Кіріспе
Электрондық сүзгі топологиясы
Sallen–Key топологиясы – екінші реттік белсенді сүзгілерді іске асыруға қолданылатын электрондық сүзгі топологиясы, ол әсіресе қарапайымдылығымен бағаланады. Бұл кернеумен басқарылатын кернеу көзі (VCVS) сүзгі топологиясының ерекше түрі. Оны 1955 жылы MIT Линкольн зертханасының Р. П. Саллен мен Э. Л. Ки енгізген.
Орындаудың түсіндірмесі
VCVS сүзгісі, практикалық түрде шексіз кіріс кедергісі және нөлдік шығыс кедергісі бар кернеу күшейткішін пайдаланып, 2 полюсті төмен өткізгіш, жоғары өткізгіш, жолақты өткізгіш, жолақты тоқтатушы немесе барлық өткізгіш жауапты іске асырады. VCVS сүзгісі индукторларды қолданбай, жоғары Q коэффициентіне және өткізу жолағындағы күшейтуге мүмкіндік береді. VCVS сүзгісінің тағы бір артықшылығы – тәуелсіздігі: VCVS сүзгілерін кезеңдер бір-бірінің реттелуіне әсер етпей каскадтауға болады. Sallen-Key сүзгісі – бұл бірлік күшейтуі бар (яғни, буферлік күшейткіш) күшейткішті пайдаланатын VCVS сүзгісінің түрі.
Тарих және жүзеге асыру
1955 жылы Сален мен Кей вакуумдық түтікшелік катодты іздеуші күшейткіштерді қолданды; катодты іздеуші бірлік кернеу коэффициентіне жуық күшейткіш болып табылады. Қазіргі заманғы аналогты сүзгілер операциялық күшейткіштерді (сонымен қатар оп-күшейткіштер деп те аталады) пайдаланады. Жоғары кіріс кедергісі және оңай таңдалатын күшейту коэффициенті болғандықтан, VCVS схемаларында дәстүрлі инверттемейтін конфигурациядағы операциялық күшейткіштер жиі қолданылады. Sallen-Key сүзгілерін іске асыруда көбінесе кернеуді көшіруші ретінде конфигурацияланған оп-күшейткіш қолданылады; алайда, буферлік күшейткіш ретінде эмитерлік немесе шығарушылық іздеушілер де жиі қолданылады.
Құрылғы бөлшектерінің толеранттық деңгейіне сезімталдық
VCVS сүзгілері компоненттердің толеранттылығына салыстырмалы түрде төзімді, бірақ жоғары Q коэффициентін алу үшін компоненттердің мәндерінің өте кең диапазоны немесе күшейткіштің жоғары күшейту коэффициенті қажет болуы мүмкін. Мысалы, жоғары кедергілер тізбектің шу деңгейін арттырады, сонымен қатар биполярлы кіріс транзисторлары бар операциялық күшейткіштердің шығысындағы DC смещение кернеуіне әсер етеді.