QDR SRAM жадысы – жоғары жылдамдықпен мәліметтерді өңдейтін, екі такталық жүйесі бар жад. DDR SDRAM-нан артықшылығы – жоғары өткізгіштік және деректерді бір мезгілде оқу/жазу мүмкіндігі.
Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Кіріспе
Quad Data Rate (QDR) SRAM – әр сағат циклында төрт сөздік деректерге дейін жіберуге мүмкіндік беретін статикалық RAM компьютерлік жадының бір түрі. Double Data Rate (DDR) SDRAM сияқты, QDR SRAM да сағат сигналының өсу және төмендеу жиектерінде деректерді жібереді. Бұл мүмкіндіктің басты мақсаты – DDR SRAM-да кездесетін шина айналу циклдарынан туындайтын жолақтың жоғалуын болдырмай, жоғары сағат жиілігінде оқу және жазу операцияларын жүзеге асыру. QDR SRAM екі сағатты пайдаланады: біреуі оқу деректері үшін, екіншісі жазу деректері үшін, сондай-ақ жеке оқу және жазу деректер шиналарына ие (бұл Жеке I/O деп те аталады), ал DDR SRAM бір сағатты пайдаланады және оқу мен жазу үшін бір ортақ дерек шинасын қолданады (бұл Ортақ I/O деп те аталады). Бұл сағат сымдарының таралу кешігуіне байланысты туындайтын мәселелерді жоюға көмектеседі және бір уақытта оқу мен жазудың мүмкіндігін қамтамасыз етеді (шығыста көрінетіндей, бірақ жадтың ішінде әлі де дәстүрлі бір порты бар, операциялар тізбектелген, бірақ ретті). Барлық дерек I/O сигналдары ескерілгенде, QDR SRAM DDR SRAM-дан 2 есе жылдам емес, бірақ оқу және жазу араласатын кезде 100% тиімді. Керісінше, DDR SRAM тек бір сұрау түрі үздіксіз қайталанғанда, мысалы, тек оқу циклдары болғанда ең тиімді. Жазу циклдары оқу циклдарымен араласса, деректердің қақтығысын болдырмау үшін шинаны айналу үшін бір немесе бірнеше циклдар жоғалады, бұл шинаның тиімділігін төмендетеді. Көптеген SRAM өндірушілері QDR және DDR SRAM-ды бірдей физикалық кремнийді пайдаланып, өндірістен кейінгі таңдау арқылы (мысалы, чиптегі фиутчіні күйдіру) ерекшелендірді. QDR SRAM жоғары жылдамдықты байланыс және желілік қолданбалар үшін жасалған, онда деректерді өткізу жылдамдығы құннан, қуат тиімділігінен немесе тығыздығынан маңыздырақ. Бұл технологияны Micron және Cypress жасады, кейін IDT, NEC, Samsung және Renesas қосылды. Cypress Semiconductor қазіргі уақытта радиациялық қорғалған орта үшін Quad Data Rate II+ жадын жобалап жатыр.
Quad Data Rate (QDR) SRAM is a type of static RAM computer memory that can transfer up to four words of data in each clock cycle. Like Double Data Rate (DDR) SDRAM, QDR SRAM transfers data on both rising and falling edges of the clock signal. The main purpose of this capability is to enable reads and writes to occur at high clock frequencies without the loss of bandwidth due to bus turnaround cycles incurred in DDR SRAM. QDR SRAM uses two clocks, one for read data and one for write data and has separate read and write data buses (also known as Separate I/O), whereas DDR SRAM uses a single clock and has a single common data bus used for both reads and writes (also known as Common I/O). This helps to eliminate problems caused by the propagation delay of the clock wiring, and allows the illusion of concurrent reads and writes (as seen on the bus, although internally the memory still has a conventional single port operations are pipelined but sequential). When all data I/O signals are accounted, QDR SRAM is not 2x faster than DDR SRAM but is 100% efficient when reads and writes are interleaved. In contrast, DDR SRAM is most efficient when only one request type is continually repeated, e. g. only read cycles. When write cycles are interleaved with read cycles, one or more cycles are lost for bus turnaround to avoid data contention, which reduces bus efficiency. Most SRAM manufacturers constructed QDR and DDR SRAM using the same physical silicon, differentiated by a post manufacturing selection (e. g. blowing a fuse on chip). QDR SRAM was designed for high speed communications and networking applications, where data throughput is more important than cost, power efficiency or density. The technology was created by Micron and Cypress, later followed by IDT, then NEC, Samsung and Renesas. Quad Data Rate II+ Memory is currently being designed by Cypress Semiconductor for Radiation Hardened Environments.