Введение

Квадратичная скорость передачи данных (QDR) SRAM — это тип статической оперативной памяти (RAM) компьютера, способный передавать до четырех слов данных в каждом тактовом цикле. Как и SDRAM с двойной скоростью передачи данных (DDR), QDR SRAM передает данные как по переднему, так и по заднему фронту тактового сигнала. Основная цель этой возможности — обеспечить выполнение операций чтения и записи на высоких тактовых частотах без потери пропускной способности из-за циклов разворота шины, возникающих в DDR SRAM. QDR SRAM использует два тактовых генератора, один для чтения данных и один для записи данных, и имеет отдельные шины данных для чтения и записи (также известные как раздельные вводы/выводы), в то время как DDR SRAM использует один тактовый генератор и одну общую шину данных, используемую как для чтения, так и для записи (также известные как общие вводы/выводы). Это помогает устранить проблемы, вызванные задержкой распространения сигнала тактирования, и создает иллюзию одновременного чтения и записи (как видно на шине, хотя внутри памяти все еще используется традиционная однопортовая организация, операции конвейеризированы, но последовательны). При учете всех сигналов ввода/вывода данных, QDR SRAM не в два раза быстрее, чем DDR SRAM, но на 100% эффективна при чередовании операций чтения и записи. В отличие от нее, DDR SRAM наиболее эффективна, когда постоянно повторяется только один тип запроса, например, циклы только чтения. При чередовании циклов записи с циклами чтения теряется один или несколько циклов для разворота шины, чтобы избежать конфликта данных, что снижает эффективность шины. Большинство производителей SRAM создавали QDR и DDR SRAM на основе одного и того же физического кремния, различаясь последующим выбором параметров (например, перегоранием предохранителя на чипе). QDR SRAM была разработана для высокоскоростных коммуникаций и сетевых приложений, где пропускная способность данных важнее стоимости, энергоэффективности или плотности. Технология была разработана компаниями Micron и Cypress, за которыми последовали IDT, NEC, Samsung и Renesas. В настоящее время компания Cypress Semiconductor разрабатывает память Quad Data Rate II+ для радиационно-стойких сред.