Кіріспе
Кристаллдың бөліктерінің кристаллографиялық жазықтықтағы орын ауысуы. Материалдар ғылымында, сырғанау – кристаллдың бір бөлігінің кристаллографиялық жазықтықтар мен бағыттар бойынша екінші бөлігіне қатысты үлкен орын ауысуы болып табылады. Сырғанау тығыз қапталған жазықтықтардағы дислокациялардың қозғалысы арқылы жүзеге асады, бұл жазықтықтар бір ауданға шаққанда ең көп атомдарды, ал тығыз қапталған бағыттарда (бір ұзындыққа шаққанда ең көп атомдарды) қамтиды. Тығыз қапталған жазықтықтар сырғанау немесе жылғанау жазықтықтары деп аталады. Сырғанау жүйесі симметриялық түрде бірдей сырғанау жазықтықтарының жиынтығын және дислокациялардың оңай қозғалуына және пластикалық деформацияға әкелуі мүмкін сырғанау бағыттарының сәйкес тобын сипаттайды. Сырғанаудың шамасы мен бағыты "Бургерс" векторы 'b' арқылы көрсетіледі. Сыртқы күш кристалл торының бөліктерін бір-бірімен жылғауға мәжбүр етеді, бұл материалдың геометриясын өзгертеді. Сырғанауды бастау үшін шектік серпімділік кернеуі қажет.
In materials science, slip is the large displacement of one part of a crystal relative to another part along crystallographic planes and directions. Slip occurs by the passage of dislocations on close/packed planes, which are planes containing the greatest number of atoms per area and in close packed directions (most atoms per length). Close packed planes are known as slip or glide planes. A slip system describes the set of symmetrically identical slip planes and associated family of slip directions for which dislocation motion can easily occur and lead to plastic deformation. The magnitude and direction of slip are represented by the Burgers vector, 'b'. An external force makes parts of the crystal lattice glide along each other, changing the material's geometry. A critical resolved shear stress is required to initiate a slip.
Сырғалақтық белсенділікті анықтау
Белсенді тайғанақ жүйесін анықтаудың негізгі әдістері, бір кристаллдың немесе поликристаллдың тайғанақ іздерін талдау, жоғары бұрыштық ажыратымдылық электронды кері шашырау дифракциясы арқылы эластикалық деформация талдау, немесе дислокациялардың дифракциялық бейнелеуін трансляциялық электронды микроскопиямен жүргізуді қамтиды. Тайғанақ іздерін талдау кезінде тек тайғанақ жазықтығы өлшенеді, ал тайғанақ бағыты болжанады. Мысалы, цирконийде бұл базальды, призмалық немесе 1/2 реттік пирамидалық жазықтықтағы тайғанақ белсенділігін анықтауға мүмкіндік береді. 1-ші реттік пирамидалық жазықтық іздерінің жағдайында, тайғанақ <𝑎> немесе <𝑐 + 𝑎> бағыттарында болуы мүмкін; тайғанақ іздерін талдау осы екеуінің арасын ажырата алмайды. Алты бұрышты цирконий сияқты төмен симметриялы кристаллдарда, геометриялық қажетті дислокациялар жинақталмауы мүмкін, негізінен бір ғана тайғанақтың аймақтары болуы мүмкін. Қалдық дислокация құрамы жылжушы және сессильді дислокацияларды ажыратпайды. Жылжушы дислокациялар тайғанаққа және қатаюға үлес қосады, бірақ сессильді дислокациялар тек жасырын қатаюға ғана үлес қосады. Дифракциялық әдістер әдетте қалдық дислокацияның тайғанақ жазықтығын анықтап көрсете алмайды. Мысалы, Zr-де <𝑎> дислокацияларының бұрандалы компоненттері призмалық, базальды немесе 1-ші реттік пирамидалық жазықтықта тайғана алады. Сол сияқты, <𝑐 + 𝑎> бұрандалы дислокациялар 1-ші немесе 2-ші реттік пирамидалық жазықтықта да тайғана алады.