Введение

Молекулярная память – это термин, обозначающий технологии хранения данных, использующие молекулярные виды в качестве элемента хранения, а не, например, электронные схемы, магнитные носители, неорганические материалы или физические формы. Молекулярный компонент можно описать как молекулярный переключатель, который может выполнять эту функцию различными механизмами, включая хранение заряда, фотохромизм или изменение ёмкости. В идеальном устройстве молекулярной памяти каждая отдельная молекула содержит один бит данных, что обеспечивает огромную ёмкость хранения. Однако на практике устройства, скорее всего, будут использовать большое количество молекул для кодирования каждого бита, подобно 3D-оптическому хранению данных (многие примеры которого можно рассматривать как устройства молекулярной памяти). Термин "молекулярная память" чаще всего относится к очень быстрой, электронно адресуемой памяти на твердом теле, как и термин "компьютерная память". В настоящее время молекулярная память существует только в лабораторных условиях.

Примеры

Один из подходов к молекулярным запоминающим устройствам основан на специальных соединениях, таких как полимеры на основе порфиринов, способных накапливать электрический заряд. При достижении определенного порогового напряжения материал окисляется, высвобождая электрический заряд. Этот процесс обратим, что по сути создает электрический конденсатор. Свойства материала обеспечивают значительно большую емкость на единицу площади по сравнению с традиционной памятью DRAM, что потенциально может привести к созданию более компактных и дешевых интегральных схем. Ряд университетов и компаний (Hewlett Packard, ZettaCore) объявили о работах в области молекулярных запоминающих устройств, которые, по мнению некоторых, смогут заменить память DRAM как наиболее экономичную технологию для высокоскоростной компьютерной памяти. NASA также поддерживает исследования неволатильных молекулярных запоминающих устройств. В 2018 году исследователи из Университета Ювяскюля (Финляндия) разработали молекулярное запоминающее устройство, способное сохранять направление магнитного поля в течение длительного времени после отключения питания при экстремально низких температурах, что позволит увеличить емкость жестких дисков без увеличения их физических размеров.