Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Кіріспе
Молекулалық жад – деректерді сақтау элементі ретінде молекулалық түрлерді пайдаланатын деректерді сақтау технологияларының атауы, яғни схемалар, магниттік құрылғылар, бейорганикалық материалдар немесе физикалық пішіндер сияқты емес. Молекулалық компонентті молекулалық қосқыш деп сипаттауға болады, ол зарядты сақтау, фотохромизм немесе сыйымдылықтың өзгеруі сияқты бірнеше механизмдердің кез келгені арқылы осы функцияны орындай алады. Идеалды молекулалық жад құрылғысында әрбір жеке молекула деректердің бір битін сақтайды, бұл өте үлкен деректер сыйымдылығына әкеледі. Дегенмен, практикалық құрылғылар әр бит үшін көптеген молекулаларды пайдалануы мүмкін, 3D оптикалық деректерді сақтау сияқты (оның көптеген мысалдары молекулалық жад құрылғылары деп есептелуі мүмкін). "Молекулалық жад" термині көбінесе өте жылдам, электрондық адрестеуге ие қатты күйдегі деректерді сақтауды білдіреді, компьютерлік жад термині сияқты. Қазіргі таңдағы молекулалық жадтар әлі де тек зертханаларда ғана кездеседі.
Molecular memory is a term for data storage technologies that use molecular species as the data storage element, rather than e. g. circuits, magnetics, inorganic materials or physical shapes. The molecular component can be described as a molecular switch, and may perform this function by any of several mechanisms, including charge storage, photochromism, or changes in capacitance. In a perfect molecular memory device, each individual molecule contains a bit of data, leading to massive data capacity. However, practical devices are more likely to use large numbers of molecules for each bit, in the manner of 3D optical data storage (many examples of which can be considered molecular memory devices). The term "molecular memory" is most often used to mean very fast, electronically addressed solid state data storage, as is the term computer memory. At present, molecular memories are still found only in laboratories.
Мысалдар
Молекулалық жадтарға қатысты бір тәсіл – электр зарядын сақтауға қабілетті порфирин негізіндегі полимерлер сияқты арнайы қосылыстарға негізделген. Белгілі бір кернеу шегіне жеткенде материал тотығып, электр зарядын бөліп шығарады. Бұл процесс қайтымды, нәтижесінде электрлік конденсатор құрылады. Материалдың қасиеттері бірлік ауданына дәстүрлі DRAM жадынан гөрі әлдеқайда жоғары сыйымдылыққа мүмкіндік береді, соның салдарынан кішірек және арзан интегралдық тізбектерге қол жеткізуге болады. Бірнеше университеттер мен бірқатар компаниялар (Hewlett Packard, ZettaCore) молекулалық жадтарды зерттеуде екенін жариялады, және кейбір мамандар бұл технологияның DRAM жадын жоғары жылдамдықты компьютер жадының ең төмен құнмен қамтамасыз ететін технологиясы ретінде алмастыруы мүмкін деп үміттенеді. NASA да ұшпайтын молекулалық жадтарды зерттеуді қолдап келеді. 2018 жылы Финляндиядағы Ювяскюля университетінің ғалымдары магнит өрісінің бағытын өте төмен температурада өшірілгеннен кейін ұзақ уақыт бойы есте сақтай алатын молекулалық жадты жасады, бұл қатты дискілердің физикалық өлшемдерін өзгертпестен сақтау сыйымдылығын арттыруға көмектеседі.
One approach to molecular memories is based on special compounds such as porphyrin based polymers which are capable of storing electric charge. Once a certain voltage threshold is achieved the material oxidizes, releasing an electric charge. The process is reversible, in effect creating an electric capacitor. The properties of the material allow for a much greater capacitance per unit area than with conventional DRAM memory, thus potentially leading to smaller and cheaper integrated circuits. Several universities and a number of companies (Hewlett Packard, ZettaCore) have announced work on molecular memories, which some hope will supplant DRAM memory as the lowest cost technology for high speed computer memory. NASA is also supporting research on non volatile molecular memories. In 2018, researches from the University of Jyväskylä in Finland, developed a molecular memory which can memorize the direction of a magnetic field for long periods of time after being switched off at extremely low temperatures, which would aid in enhancing the storage capacity of hard disk drives without enlarging their physical size.