Введение
Плазменная очистка - это удаление примесей и загрязняющих веществ с поверхностей с помощью энергетической плазмы или плазмы с диэлектрическим барьерным разрядом (DBD), созданной из газообразных видов. Используются такие газы, как аргон и кислород, а также смеси, такие как воздух и водород/азот. Плазма создается с использованием высокочастотных напряжений (обычно от kHz до >MHz) для ионизации газа низкого давления (обычно около 1/1000 атмосферного давления), хотя плазмы атмосферного давления теперь также распространены.
Методы
В плазме атомы газа возбуждаются до более высоких энергетических состояний и также ионизируются. Когда атомы и молекулы "расслабляются" до нормального, более низкого энергетического состояния, они выделяют фотоны света, что приводит к характерному "свечению" или свету, связанному с плазмой. Разные газы дают разные цвета. Например, кислородная плазма излучает светло-синий цвет. Активированные виды плазмы включают атомы, молекулы, ионы, электроны, свободные радикалы, метастабильные и фотоны в коротковолновом ультрафиолетовом диапазоне (вакуумный УФ или VUV для краткости). Затем эта смесь взаимодействует с любой поверхностью, помещенной в плазму. Если используемым газом является кислород, плазма является эффективным, экономичным и экологически безопасным методом критической очистки. Энергия VUV очень эффективна в разрушении большинства органических связей (т.е. CH, CC, C=C, CO и CN) поверхностных загрязнителей. Это помогает расщеплять высокомолекулярные загрязнители. Второе очистное действие осуществляется кислородными видами, созданными в плазме (O2+, O2−, O3, O, O+, O−, ионизированным озоном, метастабильным возбужденным кислородом и свободными электронами). Эти виды вступают в реакцию с органическими загрязнителями, образуя H2O, CO, CO2 и углеводороды с меньшей молекулярной массой. Эти соединения имеют относительно высокое давление паров и выводятся из камеры во время обработки. Полученная поверхность ультрачистая. На фиг. 2, относительная концентрация углерода на глубине материала показана до и после очистки возбужденным кислородом [1]. Если деталь состоит из легко окисляющихся материалов, таких как серебро или медь, для обработки используются инертные газы, такие как аргон или гелий. Атомы и ионы, активированные плазмой, ведут себя как молекулярный песчаный взрыв и могут разрушать органические загрязнители. Эти загрязнители испаряются во время обработки и выводятся из камеры. Большинство этих побочных продуктов - это небольшое количество газов, таких как углекислый газ и водяной пар с следовым количеством окиси углерода и других углеводородов. Можно оценить, является ли органическое удаление полным или нет, измеряя угол соприкосновения. При наличии органического загрязнителя угол соприкосновения воды с устройством высок. Удаление загрязняющего вещества уменьшает угол контакта до характеристики контакта с чистой подложкой. Кроме того, XPS и AFM часто используются для проверки применений для очистки и стерилизации поверхностей. Если обработанная поверхность покрыта узорным проводящим слоем (металл, ITO), обработка путем прямого контакта с плазмой (способной сокращаться до микроарков) может быть разрушительной. В этом случае может применяться очистка нейтральными атомами, возбужденными в плазме до метастабильного состояния. Результаты тех же самых применений на поверхностях образцов стекла, покрытых слоями Cr и ITO, показаны на фиг. Третье. После обработки угол контакта капли воды уменьшается до значения, меньшего, чем его значение на неочищенной поверхности. На фиг. В таблице 4 показана кривая релаксации для отпечатка капель для образца стекла. На фиг. 1 показана фотография той же капли на неочищенной поверхности. 4 вставка. Время релаксации поверхности, соответствующее данным, показанным на фиг. 4 - это около 4 часов. Плазменное обессиление - это процесс, при котором плазменная очистка используется исключительно для удаления углерода. Плазменное обессиление всегда производится с помощью кислорода.
Чистка и стерилизация
Плазменная очистка удаляет загрязнение органическими веществами путем химической реакции или физической абляции углеводородов на обработанных поверхностях. Плазменная очистка может использоваться вместо влажных химических процессов, таких как гравировка пираньей, которые содержат опасные химические вещества, повышают опасность загрязнения реагентом и рискуют гравировать обработанные поверхности.