Кіріспе

Эксперименталды химия техникасы

Матрицалық оқшаулау – химия және физикада қолданылатын эксперименталды техника. Ол әдетте реакцияға түспейтін матрицаға қамалған материалды қамтиды. Қонақ матрицасы – үздіксіз қатты фаза, онда қонақ бөлшектер (атомдар, молекулалар, иондар және т.б.) орналасқан. Қонақ қонақ матрицасының ішінде оқшауланған болып саналады. Алғашқыда матрицалық оқшаулау термині химиялық түрлерді кез келген реакцияға түспейтін материалға, көбінесе полимерлерге немесе шайырларға орналастыруды сипаттау үшін қолданылды, бірақ соңғы кезде төмен температурадағы қатты денелердегі газдарға қатысты қолданылады. Типик матрицалық оқшаулау экспериментінде қонақ үлгісі газ фазасында қонақ беруші материалмен, әдетте инерт газ немесе азотпен араластырылады. Бұл қоспа кейіннен қонақ беруші газдың қату температурасынан төмен температурада суытылған терезеге жатқызылады. Үлгі содан кейін әртүрлі спектроскопиялық әдістерді қолдану арқылы зерттелуі мүмкін.

Эксперименттік қондырғы

Үлгі орналастырылған мөлдір терезе әдетте қысылған гелий немесе ұқсас тоңазытқышпен салқындатылады. Қажетсіз газдардан келген ластанушы заттардың суық терезеге қатып қалмауы үшін тәжірибелерді жоғары вакуумда жүргізу қажет. Матрицалық материалдың қатаңдығы мен "шыны тәрізді" қасиеттері жақсарғандықтан, төмен температуралар артықшылыққа ие. Аргон сияқты асыл газдар олардың реакцияға түспеуімен қатар, қатты күйдегі кең оптикалық мөлдірлігі үшін де қолданылады. Моноатомдық газдардың қарапайым бетке орталықтанған кубикалық (fcc) кристалдық құрылымы, қонақтың орналасуын және кристалдық өрістің бөлінуін түсіндіруді жеңілдетеді. Кейбір жағдайларда, метан, сутегі немесе аммиак сияқты реактивті материалдар қоныс беруші материал ретінде қолданылуы мүмкін, осылайша қоныс берушінің қонақ түрмен реакциясы зерттеледі. Матрицалық оқшаулау әдісін қолдану арқылы, қысқа ғұмырлы, жоғары реактивті түрлер, мысалы, радикалды иондар мен реакция аралықтары спектроскопиялық әдістермен байқалып, анықталуы мүмкін. Мысалы, қатты асыл газ криптон инертті матрицаны құру үшін қолданылуы мүмкін, онда реактивті F3− ионы химиялық оқшаулануда болады. Реактивті түрлер аппараттың сыртында (сайылу алдында) туындауы мүмкін, содан кейін матрицаның ішінде (сайылудан кейін) прекурсорды сәулелендіру немесе қыздыру арқылы, немесе екі реактивті затты өсіп келе жатқан матрица бетінде біріктіру арқылы конденсациялануы мүмкін. Екі түрдің сайылуы үшін контактілік уақытты және температураны бақылау маңызды болуы мүмкін. Екі ағынды саю кезінде екі түрдің контактілік уақыты (және температурасы) біріктірілген ағынға қарағанда әлдеқайда қысқа болады. Концентрлі ағынмен контактілік уақытты реттеуге болады.

Спектроскопия

Қонақ матрицасында қонақ бөлшектің айналуы және орын ауыстыруы көбінесе шектеледі. Сондықтан матрицалық оқшаулау әдісі газ фазасындағы түрлердің спектрін айналу және орын ауыстыру кедергісіз модельдеу үшін қолданылуы мүмкін. Төмен температуралар да спектрлерді қарапайымдауға көмектеседі, себебі тек төменгі электрондық және тербеліс кванттық деңгейлері ғана толтырылады. Әсіресе молекулалық тербелісті зерттеуге қолданылатын инфрақызыл (ИҚ) спектроскопиясы матрицалық оқшаулау әдісінен үлкен пайда көреді. Мысалы, фторэтанның газ фазасындағы ИҚ спектріндегі кейбір спектрлік аймақтарды түсіндіру өте қиын, себебі тербеліс кванттық деңгейлері көптеген айналыс-тербеліс кванттық деңгейлерімен үлкен үйлесімділік көрсетеді. Фторэтанды аргон немесе неон матрицаларында төмен температурада оқшаулағанда, фторэтан молекуласының айналуы шектеледі. Фторэтанның матрицалық оқшаулау ИҚ спектрінде айналыс-тербеліс кванттық деңгейлері басылғандықтан, барлық тербеліс кванттық деңгейлерін анықтауға болады. Бұл есептеу химиясынан алынған модельделген инфрақызыл спектрлерді тексеру үшін ерекше пайдалы.

Тарих

Матрицалық оқшаулаудың бастауы 20 ғасырдың бірінші жартысында фотохимиктер мен физиктердің сұйытылған газдарда үлгілерді қатыру эксперименттерімен байланысты. Ең алғашқы оқшаулау эксперименттері EPA (эфир/изопентан/этанол 5:5:2) сияқты мөлдір, төмен температуралы органикалық шыныларға түрлерді қатыруды қамтиды. Қазіргі заманғы матрицалық оқшаулау техникасы 1950-ші жылдары, әсіресе Джордж С. Пиментельдің еңбегі арқасында кеңінен дамыды. Ол бастапқыда ксенон және азот сияқты жоғары қайнайтын инертті газдарды матрица ретінде қолданды және оны көбінесе "матрицалық оқшаулаудың әкесі" деп атайды. Матрицалық оқшаулау спектроскопиясында лазерлік буландыруды алғаш рет 1969 жылы Шеффер мен Пирсон иттрий-алюминий гранаты (YAG) лазерін пайдаланып, көміртек буландыру арқылы жүзеге асырды, ол сутекпен реакцияласып ацетиленді құрады. Олар сондай-ақ лазерлік буланған бордың HCl-мен реакцияласып BCl түзетінін көрсетті. 1970 жылдары К. фон Густорфтың зертханасы бұл әдісті бос металл атомдарын алу үшін пайдаланды, олар кейін органикалық металл химиясында қолданылу үшін органикалық субстраттармен жабылды. 1980 жылдардың басында Белл зертханалары реакциялық аралық заттарды зерттеу үшін спектроскопиялық әдістер қолданды. Олар лазерлік флуоресценцияны пайдаланып SnBi және SiC сияқты көптеген молекулаларды сипаттады. Смолли тобы бұл әдісті Al кластерлерін талдау үшін ұшу уақыты массалық спектрометриясымен бірге қолданды. Осы және басқа да химиктердің жұмысының нәтижесінде лазерлік буландыру матрицалық оқшаулау спектроскопиясы металдар, қорытпалар және жартылай өткізгіш молекулалар мен кластерлерін қамтитын өткінші күйлерді жасау мүмкіндігіне байланысты кең танымал болды.