Жар фазалық ыдырау арқылы жартылай өткізгіштердегі из элементтерді анықтау
Vapour phase decomposition
Жар фазалық ыдырау (VPD) әдісі TXRF сезімталдығын арттырады. Ластанушы заттарды ұсақ түйіршіктерге айналдыру арқылы анықтау шегі жақсартылады. AAS-тан өзгеше.
Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Мазмұны
Кіріспе
Бу фазасында ыдырау (VPD) – жартылай өткізгіштер индустриясында толық шағылысқан рентгендік флуоресценциялық спектроскопияның сезімталдығын арттыруға қолданылатын әдіс. Бұл әдіс ластанушыны жұқа қабаттан (TXRF саласында бұрышқа тәуелді флуоресценция қарқындылығы бар) ұсақ түйіршікті қалдыққа өзгерту арқылы жүзеге асырылады. Ұсақ түйіршікті қалдықтарды пайдаланғанда, изокинетикалық бұрыштан кіші бұрыштарда флуоресценция сигналының күштілігі артып, анықтау шегі жақсарады.
Vapour phase decomposition (VPD) is a method used in the semiconductor industry to improve the sensitivity of total reflection x ray fluorescence spectroscopy by changing the contaminant from a thin layer (which has an angle dependent fluorescence intensity in the TXRF domain) to a granular residue. When using granular residue the limits of detection are improved because of a more intense fluorescence signal in angles smaller than the isokinetic angle.
Әдіс
Гранулярлы қалдықтарды қолданғанда, изокинетикалық бұрыштан кіші бұрыштардағы күшті флуоресценция сигналының арқасында анықтау шегі жақсартады. Бұл, талдауға алынатын ерітіндідегі қоспа концентрациясын арттыру арқылы қол жеткізіледі. Стандартты атомдық абсорбциялық спектроскопияда (AAS) қоспа матрицалық элементпен бірге ерітіледі. VPD (бу фазалық тарату) кезінде пластинаның беті фторсутек қышқылының буына ұшыратылады, бұл беттік оксидтің қоспа металдарымен бірге еріуіне себеп болады. Содан кейін, бетке конденсацияланған қышқыл тамшылары AAS арқылы талданады.
When using granular residue the limits of detection are improved because of a more intense fluorescence signal in angles smaller than the isokinetic angle. This can be achieved by enhancing the impurity concentration in the solution to be analyzed. In standard atomic absorption spectroscopy (AAS), the impurity is dissolved together with the matrix element. In VPD, the surface of the wafer is exposed to hydrofluoric acid vapour, which causes the surface oxide to dissolve together with the impurity metals. The acid droplets, condensed on the surface, are then analyzed using AAS.
Артықшылықтар
Бұл әдіс никель мен темірді анықтау және өлшеу үшін жақсы нәтижелер берді. Элементтік қоспалардың ауқымын кеңейту және анықтау шегін төмендету үшін кремнийлі пластиналардан алынған қышқыл тамшылары ICP MS (индуктивті түрлендірілген плазмалық массалық спектрометрия) арқылы талданады. Бұл техника, VPD ICP MS, кремнийлі пластинада 60 элементке дейін дәл өлшеуге және 1E6 – 1E10 атом/см² деңгейінде анықтауға мүмкіндік береді.
The method has yielded good results for the detection and measurement of nickel and iron. To improve the range of elemental impurities and lower detection limits, the acid droplets obtained from the silicon wafers are analyzed by ICP MS (Inductively coupled plasma mass spectrometry). This technique, VPD ICP MS provides accurate measurement of up to 60 elements and detection limits of in the range of 1E6 E10 atoms/sq. cm on the silicon wafer.
Қатынасты әдістер
Бір байланысты әдіс – VPD DC (бу фазасындағы ыдырау тамшыларын жинау), онда пластинка ыдырау кезінде еріген металл иондарын жинайтын тамшымен сканерленеді. Бұл процедура ААС қолданылғанда пластинка бетіндегі өте төмен концентрациядағы металл қоспаларын анықтау шегін жақсартады.
One related technique is VPD DC (vapour phase decomposition droplet collection), where the wafer is scanned with a droplet that collects the metal ions that were dissolved in the decomposition step. This procedure affords better limits of detection when applying AAS in order to detect metal impurities of very small concentrations on wafer surfaces.