Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Кіріспе
Жартылай өткізгіштерді өндіруде плазмалық күлдіру – фоторезист (жарыққа сезімтал қабық) ойылған пластинкадан алынып тастау процесі. Плазма көзін пайдалану арқылы реактивті түр деп аталатын моноатомдық (бір атомды) зат құралады. Көбінесе оттегі немесе фтор реактивті түрлер ретінде қолданылады. Тағы бір қолданылатын газ – N2/H2, онда H2 үлесі 2% құрайды. Реактивті түр фоторезистпен бірігіп, күлге айналады, ол вакуумдық сорғы арқылы алынады. Әдетте, моноатомдық оттегі плазмасы төмен қысымдағы оттегі газын (O2) жоғары қуатты радиотолқындарға ұшырату арқылы жасалады, бұл оны иондайды. Плазма жасау үшін бұл процесс вакуумда жүргізіледі. Плазма пайда болатын кезде көптеген бос радикалдар және оттегі иондары пайда болады. Бұл иондар плазма мен пластинка беті арасындағы электр өрісінің күшеюіне байланысты пластинкаға зақым келтіруі мүмкін. Жаңа, кішігірім тізбектер осы зарядталған бөлшектерге одан да осал, олар бетке еніп кетуі мүмкін. Алғашқыда плазма процестік камерада жасалған, бірақ иондардан құтылу қажеттілігі артқан сайын, көптеген машиналар қазір плазманың ағын бағытталған конфигурациясын қолданады, онда плазма қашықтықта жасалады және қажетті бөлшектер пластинкаға бағытталады. Бұл электр заряды бар бөлшектердің пластинка бетіне жетер алдында қайта бірігуіне мүмкіндік береді және пластинка бетіне зақым келтірудің алдын алады.
In semiconductor manufacturing plasma ashing is the process of removing the photoresist (light sensitive coating) from an etched wafer. Using a plasma source, a monatomic (single atom) substance known as a reactive species is generated. Oxygen or fluorine are the most common reactive species. Other gases used are N2/H2 where the H2 portion is 2%. The reactive species combines with the photoresist to form ash which is removed with a vacuum pump. Typically, monatomic oxygen plasma is created by exposing oxygen gas (O2) at a low pressure to high power radio waves, which ionise it. This process is done under vacuum in order to create a plasma. As the plasma is formed, many free radicals and also oxygen ions are created. These ions could damage the wafer due to the electric field build up between the plasma and the wafer surface. Newer, smaller circuitry is increasingly susceptible to these charged particles that can get implanted into the surface. Originally, plasma was generated in the process chamber, but as the need to get rid of the ions has increased, many machines now use a downstream plasma configuration, where plasma is formed remotely and the desired particles are channeled to the wafer. This allows electrically charged particles time to recombine before they reach the wafer surface, and prevents damage to the wafer surface.
Түрлері
Плазмалық күлдірудің екі түрі пластиналарда әдетте қолданылады. Жоғары температуралық күлдіру немесе тазарту, фоторезисттің мүмкіндігінше көп бөлігін жою үшін жасалады, ал "дескам" процесі траншеялардағы қалдық фоторезистті жоюға арналған. Екі процестің басты айырмашылығы – күлдіру камерасында пластинаның қандай температураға ұшырайтыны. Әдетте, мәселелер туындайды, егер бұл фоторезист бұрын имплантациядан өткен болса және фоторезистке ауыр металл енген болса, сондай-ақ жоғары температураға ұшырағандықтан тотығуға төзімді болады. Моноатомдық оттегі электрлік жағынан бейтарап, және ол арналар арқылы өтетін кезінде қайта біріксе де, оң немесе теріс зарядталған еркін радикалдарға қарағанда бұл процесі баяу жүреді, себебі олар бір-бірін тартады. Яғни, барлық еркін радикалдар қайта біріккеннен кейін де, белсенді түрлердің бір бөлігі процеске қолжетімді болады. Белсенді түрлердің көп бөлігі қайта бірігуге кеткендіктен, процесс уақыты ұзаруы мүмкін. Реакция аймағының температурасын арттыру арқылы осы ұзақ уақытты біршама қысқартуға болады. Бұл сонымен қатар спектрлік оптикалық іздерді байқауға да себеп болады – эмиссия төмендегенде, процесс аяқталғаны күтіледі, бірақ қолда бар реагенттердің жұтылуына байланысты спектрлік сызықтардың жарықтандыруы артуы мүмкін, бұл қолжетімді иондық түрлерді көрсететін белгілі бір спектрлік сызықтардың өсуіне әкеледі.
Two forms of plasma ashing are typically performed on wafers. High temperature ashing, or stripping, is performed to remove as much photo resist as possible, while the "descum" process is used to remove residual photo resist in trenches. The main difference between the two processes is the temperature the wafer is exposed to while in an ashing chamber. Typical issues arise when this photoresist has undergone an implant step previously and heavy metal are embedded in the photoresist and it has experienced high temperatures causing it to be resistant to oxidizing. Monatomic oxygen is electrically neutral and although it does recombine during the channeling, it does so at a slower rate than the positively or negatively charged free radicals, which attract one another. This means that when all of the free radicals have recombined, there is still a portion of the active species available for process. Because a large portion of the active species is lost to recombination, process times may take longer. To some extent, these longer process times can be mitigated by increasing the temperature of the reaction area. This also contribute to the observation of the spectral optical traces, these can be what is normally expected when the emission declines, the process is over; it can also mean that spectral lines increase in illuminance as the available reactants are consumed causing a rise in certain spectral lines representing the available ionic species.