Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Кіріспе
Екі жартылай өткізгіш материалды "сендвич" тәрізді өсіргенде қос гетероструктура, кейде қос гетероқосылым деп аталады. Бір материал (мысалы, AlGaAs) сыртқы қабаттар (немесе қаптама) үшін, ал кіші жолақты аралықтағы (мысалы, GaAs) ішкі қабат үшін қолданылады. Бұл мысалда ішкі қабаттың екі жағында екі AlGaAs-GaAs түйіспелері (немесе шекаралары) бар. Құрылғы қос гетероқұрылым болуы үшін екі шекара болуы керек. Егер қаптама материалдың тек бір жағы болса, құрылғы қарапайым, яғни бір гетероқұрылым болады. Қос гетероструктура оптоэлектрондық құрылғыларда өте пайдалы құрылым және қызықты электрондық қасиеттерге ие. Егер қаптама қабаттарының бірі p-допингтелген, екіншісі n-допингтелген, ал кіші энергетикалық саңылауы бар жартылай өткізгіш материал допингтелмеген болса, p-i-n құрылымы пайда болады. Осы p-i-n құрылымының ұштарына ток қосылғанда электрондар мен тесіктер гетероқұрылымға енгізіледі. Кіші энергетикалық саңылау материалдары шекараларда энергияның үзілуін тудырады, электрондар мен тесіктерді кіші энергетикалық саңылау жартылай өткізгіште шектейді. Электрондар мен тесіктер фотондарды шығаратын ішкі жартылай өткізгіште қайта бірігеді. Егер ішкі аймақтың ені де Бройль толқын ұзындығына дейін азайтылса, ішкі аймақтағы энергиялар үздіксіз болмай, дискретті болады. (Шындығында, олар үздіксіз емес, бірақ энергия деңгейлері өте жақын болғандықтан, оларды үздіксіз деп есептейміз.) Осы жағдайда қос гетероқұрылым кванттық құдыққа айналады.
A double heterostructure, sometimes called double heterojunction, is formed when two semiconductor materials are grown into a "sandwich". One material (such as AlGaAs) is used for the outer layers (or cladding), and another of smaller band gap (such as GaAs) is used for the inner layer. In this example, there are two AlGaAs GaAs junctions (or boundaries), one at each side of the inner layer. There must be two boundaries for the device to be a double heterostructure. If there was only one side of cladding material, the device would be a simple, or single, heterostructure. The double heterostructure is a very useful structure in optoelectronic devices and has interesting electronic properties. If one of the cladding layers is p doped, the other cladding layer n doped and the smaller energy gap semiconductor material undoped, a p i n structure is formed. When a current is applied to the ends of the pin structure, electrons and holes are injected into the heterostructure. The smaller energy gap material forms energy discontinuities at the boundaries, confining the electrons and holes to the smaller energy gap semiconductor. The electrons and holes recombine in the intrinsic semiconductor emitting photons. If the width of the intrinsic region is reduced to the order of the de Broglie wavelength, the energies in the intrinsic region no longer become continuous but become discrete. (Actually, they are not continuous but the energy levels are very close together so we think of them as being continuous.) In this situation the double heterostructure becomes a quantum well.