Кіріспе

Компьютерлік жад модулі

DIMM немесе Dual In Line Memory Module – компьютерлерде қолданылатын жад модульдерінің танымал түрі. Бұл DRAM чиптері мен контактілерді ұстайтын бір немесе екі жағы бар (алдыңғы және артқы) баспа схемалық тақта. DIMM-нің көп бөлігі JEDEC стандарттары бойынша стандартталған, бірақ авторлық DIMM-дер де бар. DIMM әртүрлі жылдамдықтар мен өлшемдерде келеді, бірақ әдетте екі ұзындықтың бірі болып табылады: PC және ноутбук (SO DIMM), олар Intel P5 негізіндегі Pentium процессорлары нарықта үлесін ала бастаған кезде шамамен жартылай өлшемде болады. Pentium процессорлары 64 биттік шина еніне ие болды, бұл дерек шинасын толтыру үшін SIMM-дерді жұптасқан түрде орнатуды қажет етті. Процессор осы екі SIMM-ге параллель түрде қол жеткізеді. DIMM-дер осы кемшілікті жою үшін ұсынылды. SIMM-дердегі екі жақтың контактілері дубликатталған, ал DIMM-дерде модульдің әр жағында жеке электрлік контактілер бар. Бұл SIMM-дердің 32 биттік дерек жолын 64 биттік дерек жолына дейін кеңейтуге мүмкіндік берді. "DIMM" атауы Dual In Line Memory Module сөзінің аббревиатурасы ретінде таңдалды, ол SIMM-нің контактілерін екі тәуелсіз қатарға бөлуді көрсетеді. SO DIMM
72 контактілі: FPM DRAM және EDO DRAM; 72 контактілі SIMM-нен өзгеше контактілік конфигурация
144 контактілі: SDR SDRAM. Осы модульдердің енгізілгеніне дейін көптеген ноутбуктерде қымбат және табу қиын болған авторлық RAM модульдері қолданылды. SO DIMM-дер көбінесе шектеулі орынға ие компьютерлерде қолданылады, оларға ноутбуктер, кішкентай габаритті жеке компьютерлер (мысалы, Nano ITX негізгі платаларындағылар), жоғары деңгейдегі жаңартылатын кеңсе принтерлері және маршрутизаторлар мен NAS құрылғылары сияқты желілік жабдықтар кіреді. Олар әдетте, стандартты DIMM-дермен бірдей дерек жолының өлшемімен және жылдамдық рейтингтерімен қол жетімді, бірақ әдетте кіші сыйымдылықпен.

SDR 168-pin SDRAM

168 тіректі DIMM-нің төменгі жиегінде екі ойыс бар, және әр ойыстың орналасуы модульдің нақты бір ерекшелігін анықтайды. Бірінші ойыс – DRAM кілтінің орны, ол RFU (резервтелген болашақ қолданыс), тіркелген және буферленбеген DIMM түрлерін (солдан оңға қарай сәйкесінше) көрсетеді. Екінші ойыс – кернеу кілтінің орны, ол 5,0 В, 3,3 В және RFU DIMM түрлерін көрсетеді (реттілік жоғарыдағыдай).

DDR DIMM-тер

DDR, DDR2, DDR3, DDR4 және DDR5-тің бәрі әртүрлі контактілер санына және/немесе әртүрлі ойықтардың орналасуына ие, және олардың ешқайсысы да алға қарай немесе артқа қарай үйлесімді емес. DDR5 SDRAM – DDR жадының ең соңғы түрі және 2020 жылдан бері қолданылып келеді.

EEPROM бірлік деректемесінің

DIMM-нің сыйымдылығы және басқа да жұмыс параметрі сериялық қатысуды анықтау (SPD) арқылы белгіленуі мүмкін, ол модуль түрі және жад контроллерінің дұрыс конфигурациялануы үшін уақыт туралы ақпаратты қамтитын қосымша чип. SPD EEPROM жүйелік басқару шинасына қосылады және DIMM-де жылу сенсорларын (TS) да қамтуы мүмкін.

Қателерді түзету

ECC DIMM – жүйелік жад контроллері қателерді анықтау және түзету үшін пайдалана алатын қосымша дерек биттері бар жад модульдері. ECC схемалары көптеген, бірақ ең көп таралғаны – 64 биттік сөз үшін қосымша бір байтты пайдаланатын Single Error Correct, Double Error Detect (SECDED). ECC модульдері әдетте 8 чиптің еселігі орнына 9 чиптің еселігінен құралған болады.

Жетекші орын

Кейде жад модульдері бірнеше тәуелсіз DRAM чиптері жиынтығымен құрастырылады, олардың бәрі бірдей адрес және деректер шиналарына қосылған; әрбір мұндай жиынтық қатар деп аталады. Бір слотты бөлісетін қатарлардың ішінде, бір уақытта тек бір қатарға ғана қол жеткізуге болады, бұл тиісті қатардың чип таңдау (CS) сигналын белсенді ету арқылы жүзеге асырылады. Модульдегі қалған қатарлар операция кезінде олардың CS сигналдарын деактивациялау арқылы деактивацияланады. Қазіргі уақытта DIMM модульдері көбінесе модульге төрт қатарға дейін жиналған күйінде шығарылады. Жады сатушылары жақында бір және екі қатарлы DIMM-дерді ажырата бастады. Жад сөзі алынғаннан кейін, жад әдетте келесі жады ұяшығына кіру үшін сезім күшейткіштері зарядталатындықтан, ұзақ уақытқа қолжетімсіз болады. Жадыны ұйымдастыру арқылы (мысалы, 0, 4, 8 және т.б. ұяшықтар бір қатарда сақталады), тізбекті жадқа кіру жылдамдатылады, себебі сезім күшейткіштері кірулер арасында қайта зарядталу үшін 3 циклдық бос уақытқа ие. DIMM модульдері көбінесе DRAM чиптері модульдің баспа тізбегі тақтасының (PCB) бір немесе екі жағында орналасқандығын көрсету үшін "бір жақты" немесе "екі жақты" деп сипатталады. Дегенмен, бұл терминдер шатасуға әкелуі мүмкін, өйткені чиптердің физикалық орналасуы олардың логикалық ұйымдастырылуымен немесе қолжетімділігімен тікелей байланысты емес. JEDEC тіркелген DIMM (RDIMM) модульдеріне қатысты "екі жақты", "қос жақты" немесе "қос банкті" терминдерін қолданудың дұрыс емес екенін шешті.

Ұйым

DIMM-дердің көпшілігі "×4" ("төрт") немесе "×8" ("сегіз") жад чиптерін пайдаланып жасалады, әр жағында 9 чипке дейін болады; "×4" және "×8" DRAM чиптерінің дерек енін биттермен көрсетеді. 256 ГБ DIMM сияқты жоғары сыйымды DIMM-дерде әр жағында 19 чипке дейін болуы мүмкін. "×4" тіркелген DIMM-дерде әр жақтың дерек ені 36 битті құрайды; сондықтан жад контроллері (72 бит қажет болатын) қажетті деректерді оқу немесе жазу үшін екі жақты да бірден адрестеуі керек. Осы жағдайда екі жақты модуль бір қатарлы болып табылады. "×8" тіркелген DIMM-дерде әр жағы 72 бит енді, сондықтан жад контроллері бір уақытта тек бір жақты ғана адрестейді (екі жақты модуль екі қатарлы). Жоғарыдағы мысал ECC жадына қатысты, ол көбінесе қолданылатын 64 биттің орнына 72 бит сақтайды. Сонымен қатар, әр сегіз чипке бір қосымша чип қосылады, ол санауға алынбайды.

Жылдамдық

Әр түрлі технологиялар үшін белгілі бір автобус және құрылғы сағаттық жиіліктері стандартталған; сондай-ақ әр тип үшін осы жылдамдықтардың әрқайсысы үшін белгілі бір номенклатура бар. Single Data Rate (SDR) DRAM-ға негізделген DIMM-дерде дерек, мекенжай және басқару желілері үшін бірдей автобус жиілігі бар. Double Data Rate (DDR) DRAM-ға негізделген DIMM-дерде деректер, бірақ строб екі есе жылдамдықпен емес; бұл деректердің өсу және төмендеу жиегінде сағаттап беру арқылы жүзеге асырылады. DDR негізделген DIMM-дердің әрбір буынымен электр қуатын тұтыну және кернеу біртіндеп төмендеді. Тағы бір фактор – жадқа қол жеткізу жылдамдығына әсер ететін Column Access Strobe (CAS) жадкешіктігі немесе CL. Бұл READ командасы мен дерек қол жетімді болатын сәт арасындағы уақыт кешігуі. CAS/CL туралы толық мақаланы қараңыз.

+ SDR SDRAM DIMM-дері Чип модулі Тиімді сағат (МГц (мегагерц)) Дерек беру жылдамдығы (МТ/с (мегатрансферлер секундына)) Кернеу (В (вольт)) SDR 66 PC 66 66 66 3.3 SDR 100 PC 100 100 100 3.3 SDR 133 PC 133 133 133 3.3

+ DDR SDRAM (DDR1) DIMM-дері Чип модулі Жад сағаты (МГц (мегагерц)) I/O автобус сағаты (МГц (мегагерц)) Дерек беру жылдамдығы (МТ/с (мегатрансферлер секундына)) Кернеу (В (вольт)) DDR 200 PC 1600 100 100 200 2.5 DDR 266 PC 2100 133 133 266 2.5 DDR 333 PC 2700 166 166 333 2.5 DDR 400 PC 3200 200 200 400 2.6

+ DDR2 SDRAM DIMM-дері Чип модулі Жад сағаты (МГц (мегагерц)) I/O автобус сағаты (МГц (мегагерц)) Дерек беру жылдамдығы (МТ/с (мегатрансферлер секундына)) Кернеу (В (вольт)) DDR2 400 PC2 3200 200 200 400 1.8 DDR2 533 PC2 4200 266 266 533 1.8 DDR2 667 PC2 5300 333 333 667 1.8 DDR2 800 PC2 6400 400 400 800 1.8 DDR2 1066 PC2 8500 533 533 1066 1.8

+ DDR3 SDRAM DIMM-дері Чип модулі Жад сағаты (МГц (мегагерц)) I/O автобус сағаты (МГц (мегагерц)) Дерек беру жылдамдығы (МТ/с (мегатрансферлер секундына)) Кернеу (В (вольт)) DDR3 800 PC3 6400 400 400 800 1.5 DDR3 1066 PC3 8500 533 533 1066 1.5 DDR3 1333 PC3 10600 667 667 1333 1.5 DDR3 1600 PC3 12800 800 800 1600 1.5 DDR3 1866 PC3 14900 933 933 1866 1.5 DDR3 2133 PC3 17000 1066 1066 2133 1.5 DDR3 2400 PC3 19200 1200 1200 2400 1.5

+ DDR4 SDRAM DIMM-дері Чип модулі Жад сағаты (МГц (мегагерц)) I/O автобус сағаты (МГц (мегагерц)) Дерек беру жылдамдығы (МТ/с (мегатрансферлер секундына)) Кернеу (В (вольт)) DDR4 1600 PC4 12800 800 800 1600 1.2 DDR4 1866 PC4 14900 933 933 1866 1.2 DDR4 2133 PC4 17000 1066 1066 2133 1.2 DDR4 2400 PC4 19200 1200 1200 2400 1.2 DDR4 2666 PC4 21300 1333 1333 2666 1.2 DDR4 3200 PC4 25600 1600 1600 3200 1.2

+ DDR5 SDRAM DIMM-дері Чип модулі Жад сағаты (МГц (мегагерц)) I/O автобус сағаты (МГц (мегагерц)) Дерек беру жылдамдығы (МТ/с (мегатрансферлер секундына)) Кернеу (В (вольт)) DDR5 4000 PC5 32000 2000 2000 4000 1.1 DDR5 4400 PC5 35200 2200 2200 4400 1.1 DDR5 4800 PC5 38400 2400 2400 4800 1.1 DDR5 5200 PC5 41600 2600 2600 5200 1.1 DDR5 5600 PC5 44800 2800 2800 5600 1.1 DDR5 6000 PC5 48000 3000 3000 6000 1.1 DDR5 6200 PC5 49600 3100 3100 6200 1.1 DDR5 6400 PC5 51200 3200 3200 6400 1.1 DDR5 6800 PC5 54400 3400 3400 6800 1.1 DDR5 7200 PC5 57600 3600 3600 7200 1.1 DDR5 7600 PC5 60800 3800 3800 7600 1.1 DDR5 8000 PC5 64000 4000 4000 8000 1.1

Форма факторлары

DIMM-де бірнеше форма факторлары жиі қолданылады. Бір дерек жылдамдығы синхронды DRAM (SDR SDRAM) DIMM негізінен және биіктіктерде өндірілді. 1U rackmount серверлері танымал бола бастағанда, осы форма факторлы тіркелген DIMM-дерді жоғары қорапқа орналастыру үшін бұрышты DIMM ұяларына қосу қажет болды. Бұл мәселені шешу үшін келесі DDR DIMM стандарттары шамамен биіктігі бар "төмен профильді" (LP) биіктікпен жасалды. Олар 1U платформасы үшін тік DIMM ұяларына орналастырылды. Блейд-серверлер пайда болғаннан кейін, осы тар қораптарда LP форма факторлы DIMM-дерді орналастыру үшін бұрышты ұялар қайтадан кең таралды. Бұл өте төмен профильді (VLP) форма факторлы DIMM-нің дамуына әкелді, оның биіктігі шамамен . DDR3 JEDEC стандарты бойынша VLP DIMM биіктігі шамамен . Олар ATCA жүйелерінде тік орналасады. JEDEC стандарттарымен белгіленген толық биіктігі 240 контактілі DDR2 және DDR3 DIMM-дердің биіктігі шамамен . Бұл форма факторларына 240 контактілі DIMM, SO DIMM, Mini DIMM және Micro DIMM кіреді. Толық биіктігі 288 контактілі DDR4 DIMM-дер DDR3 аналогтарынан сәл биік, ал VLP DDR4 DIMM-дер DDR3 аналогтарынан шамамен биік. 2017 жылдың екінші тоқсанында Asus PCI E негізіндегі "DIMM.2" құрылғысын ұсынды, ол DDR3 DIMM-ге ұқсас ұяға ие және екі M.2 NVMe қатты күйдегі дискіні қосуға арналған модульді орнатуға мүмкіндік береді. Алайда, ол стандартты DDR типті жадты қолдана алмайды және Asus-тан басқа көп қолдау таппайды. Стандартты DIMM-дердің ұзындығы әдетте 133,35 мм, ал SO DIMM-дердің ұзындығы 67,6 мм.