Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Кіріспе
Ағымды тығыздау (сонымен қатар ток тығыздау әсері немесе CCE) - өткізгіш немесе жартылай өткізгіш арқылы ток тығыздығының біркелкі емес таралуы, әсіресе электрлік контактілер мен ПН түйіспелер айналасында. Ағымды жинақтау жарық шығаратын диодтардың тиімділігін шектейтін факторлардың бірі болып табылады. Заряд тасымалдаушылардың қозғалмалылығы төмен материалдар (мысалы, алюминий галлий-индий фосфиді (AlGaInP)) ағымдық жиналу құбылыстарына әсіресе бейім. Бұл кейбір LED-тердегі басым шығындар механизмі, онда ток тығыздықтары, әсіресе P жақты байланыстар айналасында, жарықтығы / ток тиімділігі төмен сәуле шығару сипаттамаларының аймағына жетеді. Ағымның көптеп жиналуы жергілікті ыстыққа және жылулық нүктелердің пайда болуына әкелуі мүмкін, апатты жағдайларда жылулық қашып кетуіне әкелуі мүмкін. Ағымдағы біртекті емес таралу электрлік көші-қон әсерін және саңылаулар пайда болуын да күшейтеді (мысалы, Киркендалл әсерін қараңыз). Бос орындардың пайда болуы ток тығыздығының жергілікті біртектілігін тудырады, ал бос орынның айналасындағы кедергілердің артуы температураның одан әрі жергілікті өсуіне әкеледі, бұл өз кезегінде бос орынның пайда болуын тездетеді. Керісінше, ток тығыздығын жергілікті төмендету көшіп келген атомдардың жинақталуына әкелуі мүмкін, бұл ток тығыздығын одан әрі төмендетуге, материалдың одан әрі жинақталуына және қысқа тұйықталуларға әкелуі мүмкін дөңгелектердің пайда болуына әкелуі мүмкін. Үлкен биполярлы тұйықталған транзисторларда негізгі қабаттың кедергісі негізгі аймақта, әсіресе эмитер жағында ток тығыздығының таралуына әсер етеді. Ағымды жинақтау, әсіресе, жергілікті төмендеу кедергілері бар аймақтарда немесе өріс күші шоғырланған аймақтарда (мысалы, қабаттардың шеттерінде) пайда болады.
Current crowding (also current crowding effect, or CCE) is a nonuniform distribution of current density through a conductor or semiconductor, especially in the vicinity of electrical contacts and over PN junctions. Current crowding is one of the factors limiting the efficiency of light emitting diodes. Materials with low mobility of charge carriers (e. g., aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)) are especially prone to current crowding phenomena. It is the dominant loss mechanism in some LEDs, where the current densities, especially around the P side contacts, reach an area of the emission characteristics with lower brightness/current efficiency. Current crowding can lead to localized overheating and formation of thermal hotspots, in catastrophic cases leading to thermal runaway. Nonhomogenous distribution of current also aggravates electromigration effects and the formation of voids (see, e. g., the Kirkendall effect). Formation of voids causes localized nonhomogeneity of current density, and the increased resistance around the void causes further localized temperature rise, which in turn accelerates the formation of the void. Conversely, localized lowering of current density may lead to deposition of the migrated atoms, leading to further lowering of current density, further deposition of material, and formation of hillocks, which may cause short circuits. In large bipolar junction transistors, the resistance of the base layer influences the distribution of current density through the base region, especially at the emitter side. Current crowding occurs especially in areas of localized lowered resistance, or in areas where the field strength is concentrated (e. g., at the edges of layers).