Сравнивайте с английским: нажмите на абзац — оригинал откроется в окне. Кнопка EN под абзацем показывает его прямо в тексте.
Содержание
Введение
Химическое соединение, сочетающее в себе кремний и более электроположительный элемент.
Chemical compound that combines silicon and a more electropositive element
Силицид – это тип химического соединения, объединяющий кремний и, как правило, более электроположительный элемент. Кремний более электроположителен, чем углерод. По своим физическим свойствам силициды структурно ближе к боридам, чем к карбидам. Однако, из-за разницы в размерах, силициды не являются изоструктурными с боридами и карбидами.
A silicide is a type of chemical compound that combines silicon and a usually more electropositive element. Silicon is more electropositive than carbon. In terms of their physical properties, silicides are structurally closer to borides than to carbides. Because of size differences however silicides are not isostructural with borides and carbides.
Подготовка и реактивность
Большинство силицидов получают прямым соединением элементов. Силицид, изготовленный с использованием процесса самовыравнивания, называется салицидом. Этот процесс заключается в формировании контактов силицида только в тех областях, где осажденный металл (который после отжига становится металлической составляющей силицида) находится в непосредственном контакте с кремнием, благодаря чему процесс является самовыравнивающимся. Он широко используется в процессах MOS/CMOS для формирования омических контактов истока, стока и поликремниевого затвора.
Most silicides are produced by direct combination of the elements. A silicide prepared by a self aligned process is called a salicide. This is a process in which silicide contacts are formed only in those areas in which deposited metal (which after annealing becomes a metal component of the silicide) is in direct contact with silicon, hence, the process is self aligned. It is commonly implemented in MOS/CMOS processes for ohmic contacts of the source, drain, and poly Si gate.
Переходные металлы и другие элементы
Силициды переходных металлов обычно инертны к водным растворам. При красном калении они реагируют с гидроксидом калия, фтором и хлором. Ртуть, таллий, висмут и свинец несмешиваются с жидким кремнием.
The transition metal silicides are usually inert to aqueous solutions. At red heat, they react with potassium hydroxide, fluorine, and chlorine. Mercury, thallium, bismuth, and lead are immiscible with liquid silicon.
Приложения
Силицидные тонкие пленки находят применение в микроэлектронике благодаря высокой электропроводности, термической стабильности, коррозионной стойкости и совместимости с фотолитографическими процессами обработки пластин. Например, силициды, формирующиеся над слоями поликремния, известные как полициды, широко используются в качестве межсоединительного материала в интегральных схемах из-за их высокой проводимости. Силициды, получаемые в процессе салицидирования, также применяются в качестве металла с низкой работой выхода в охмических и контактах Шоттки. Металлы с высокой работой выхода часто не подходят для непосредственного использования в металл-полупроводниковых переходах из-за закрепления уровня Ферми, при котором потенциал барьера Шоттки перехода фиксируется в диапазоне 0,7–0,8 В. По этой причине для создания диодов Шоттки с низким прямым напряжением и охмических межсоединений между полупроводником и металлом часто используют тонкий слой силицида в области контакта металл-полупроводник.
Silicide thin films have applications in microelectronics due to their high electrical conductivity, thermal stability, corrosion resistance, and compatibility with photolithographic wafer processes. For example silicides formed over layers of polysilicon, called polycides, are commonly used as an interconnect material in integrated circuits for their high conductivity. Silicides formed through the salicide process also see use as a low work function metal in ohmic and Schottky contacts. High work function metals are often not ideal for use in metal–semiconductor junctions directly due to fermi–level pinning where the Schottky barrier potential of the junction becomes locked around 0.7–0.8V. For this reason low forward voltage Schottky diodes and ohmic interconnects between a semiconductor and a metal often utilize a thin layer of silicide at the metal–semiconductor interface.