Введение

Одноразовый программируемый компонент памяти – это торговая марка сбросаемого предохранителя от Littelfuse, используемого для защиты цепей. Полипредохранитель (полифуз) – это одноразовый программируемый компонент памяти, применяемый в полупроводниковых схемах для хранения уникальных данных, таких как идентификационные номера микросхем или данные для восстановления памяти, но чаще – в мелко- и среднесерийном производстве устройств памяти только для чтения или микроконтроллеров. Они также использовались для обеспечения программирования программируемых логических матриц. Использование полипредохранителей позволило программировать устройство электрически спустя некоторое время после его изготовления и герметизации в корпусе. Ранее для перегорания предохранителей требовалось использование лазера непосредственно в процессе производства памяти. Полипредохранители были разработаны для замены более ранних никель-хромовых (нихромовых) предохранителей. Поскольку нихром содержит никель, перегоревший нихромовый предохранитель имел тенденцию к восстановлению, что делало память неработоспособной.

История

Первые полифузы состояли из поликремниевой линии, которая программировалась путем подачи высокого напряжения (10–15 В) на устройство. Возникший ток физически изменяет устройство и увеличивает его электрическое сопротивление. Это изменение сопротивления можно обнаружить и зарегистрировать как логический ноль. Непрограммированный полифуз регистрировался как логическая единица. Эти ранние устройства имели серьезные недостатки, такие как высокое напряжение программирования и ненадежность запрограммированных устройств.

Современные полифюзеляжи

Современные полифузы состоят из силицированной поликремниевой линии, которая также программируется путем подачи напряжения на устройство. Вновь, результирующий ток необратимо изменяет сопротивление. Силицидный слой, покрывающий поликремниевую линию, уменьшает её сопротивление (до программирования), что позволяет использовать значительно более низкие напряжения программирования (1,8–3,3 В). Показано, что полифузы надежно сохраняют запрограммированные данные и могут быть запрограммированы с высокой скоростью. Сообщалось о скоростях программирования в 100 нс.