Введение

Модель Gummel–Poon — это модель биполярного транзистора. Она впервые была описана в статье, опубликованной Германом Гаммелом и Х. С. Пуном в Bell Labs в 1970 году. Модель Gummel–Poon и современные её варианты широко используются в популярных программах моделирования схем, таких как SPICE. Важным эффектом, который учитывает модель Gummel–Poon, является изменение параметров β и в зависимости от уровня постоянного тока. При исключении определенных параметров модель Gummel–Poon упрощается до более простой модели Ebers–Moll. #ИмяСвойстваМоделируемыйПараметрЕдиницыИзмеренияЗначениеПоУмолчанию1ISтоктранспортный ток насыщенияА12BFтокмаксимальное идеальное β—1003NFтоккоэффициент эмиссии прямого тока—14VAFтокпрямое напряжение раннего пробояВ∞5IKFтокугол для высокого β при больших токахА∞6ISEтокток насыщения утечки B–EА07NEтоккоэффициент эмиссии утечки B–E—1.58BRтокмаксимальное идеальное обратное β—19NRтоккоэффициент эмиссии обратного тока—110VARтокобратное напряжение раннего пробояВ∞11IKRтокугол для высокого β при больших токахА∞12ISCтокток насыщения утечки B–CА013NCтоккоэффициент эмиссии утечки B–C—214RBсопротивлениесопротивление базы при нулевом смещенииОм015IRBсопротивлениеток, при котором сопротивление базы уменьшается вдвое до минимального значенияА∞16RBMсопротивлениеминимальное сопротивление базы при больших токахОмRB17REсопротивлениесопротивление эмиттераОм018RCсопротивлениесопротивление коллектораОм019CJEёмкостьёмкость B–E при нулевом смещенииФ020VJEёмкостьвстроенный потенциал B–EВ0.7521MJEёмкостьэкспоненциальный фактор B–E—0.3322TFёмкостьидеальное прямое время переноса023XTFёмкостькоэффициент для зависимости TF от смещения—024VTFёмкостьнапряжение, описывающее зависимость TF от VBCВ∞25ITFёмкостьпараметр больших токов, влияющий на TFА026PTFфазаизбыточная фаза при частоте = 1/(2π TF)°027CJCёмкостьёмкость B–C при нулевом смещенииФ028VJCёмкостьвстроенный потенциал B–CВ0.7529MJCёмкостьэкспоненциальный фактор B–C—0.3330XCJCёмкостьдоля ёмкости B–C, подключённая к внутреннему узлу базы—131TRёмкостьидеальное обратное время переноса032CJSёмкостьёмкость коллектор–подложка при нулевом смещенииФ033VJScёмкостьвстроенный потенциал подложки–переходаВ0.7534MJScёмкостьэкспоненциальный фактор подложки–перехода—035XTBэкспонента температуры для прямого и обратного β—036Eэнергияэнергетическая щель для температурного эффекта ISэВ1.137XTItemпературная экспонента для эффекта IS—338KFшумкоэффициент мерцающего шума—039AFшумэкспонента мерцающего шума—140FCкоэффициентформула ёмкости при прямом смещении—0.541TNOMпараметртемпература измерения°C27