Введение

Электрический ток через фоточувствительное устройство

Фототок – это электрический ток, протекающий через фоточувствительное устройство, такое как фотодиод, в результате воздействия излучения. Фототок может возникать вследствие фотоэлектрического, фотоэмиссионного или фотовольтаического эффекта. Фототок может быть усилен внутренним усилением, вызванным взаимодействием между ионами и фотонами под воздействием приложенного электрического поля, как это происходит в лавинном фотодиоде (APD). При использовании подходящего излучения фотоэлектрический ток прямо пропорционален интенсивности излучения и возрастает с увеличением ускоряющего напряжения до тех пор, пока фототок не достигнет максимума и дальнейшее увеличение напряжения не приведет к его росту. Наивысшее (максимальное) значение фототока называется током насыщения. Значение запирающего потенциала, при котором фототок становится равным нулю, называется пороговым напряжением или потенциалом остановки для данной частоты падающего излучения.

Фотоэлектричество

Генерация фототока лежит в основе работы фотоэлектрической ячейки.

Фототоковая спектроскопия

Метод характеристики, называемый фототоковой спектроскопией (PCS), также известный как спектроскопия фотопроводности, широко используется для изучения оптоэлектронных свойств полупроводников и других светопоглощающих материалов. Установка для проведения измерений включает в себя полупроводник с прикрепленными электродами, позволяющими подавать электрическое смещение, и регулируемый источник света с заданной длиной волны (энергией) и мощностью, обычно модулируемый механическим чоппером. Измеряется электрический отклик цепи, который сопоставляется со спектром, полученным путем изменения энергии падающего света с помощью монохроматора. Электрическая цепь и оптическая система связаны посредством усилителя с фазовой синхронизацией. Измерения предоставляют информацию, связанную с шириной запрещенной зоны полупроводника, что позволяет идентифицировать различные переходы заряда, такие как энергии экситонов и трионов. Это особенно важно для изучения полупроводниковых наноструктур, таких как квантовые ямы, и других наноматериалов, таких как монослои дихалькогенидов переходных металлов. Кроме того, используя пьезоэлектрическую платформу для изменения бокового положения полупроводника с микронной точностью, можно получить ложноцветное микрографическое изображение спектров для различных позиций. Этот метод называется сканирующей фототоковой микроскопией (SPCM).