Физика полупроводников
-
Диод: Принцип работы, характеристики и применение.
Диод: полупроводниковый компонент с двумя выводами, проводящий ток в одном направлении. Низкое сопротивление в прямом, высокое – в обратном. Основы электроники.
-
Полупроводники: свойства, типы и применение.
Полупроводники: материалы с проводимостью между проводниками и изоляторами. Изменение свойств при добавлении примесей (легирование) – основа электроники.
-
Полупроводниковые приборы и физика полупроводников.
Полупроводниковые приборы: принцип работы, физика полупроводников, применение в электронике. Замена вакуумных ламп, интегральные схемы (IC).
-
Фототок: природа, спектроскопия и микроскопия
Фототок: электрический ток в фоточувствительных устройствах (фотодиодах) под воздействием излучения. Эффекты, усиление, насыщенный ток – всё о фототоке!
-
Оптический диод Нисидзавы: принцип работы и применение
Оптический диод PIN: изобретение Jun Ichi Nishizawa, особенности структуры и применения в фотодетекторах, аттенюаторах и высоковольтной электронике.
-
Фотодиоды: Преобразование света в электрический ток.
Фотодиод: принцип работы, применение в солнечных элементах и спектрометрах. Преобразование света в электрический ток, чувствительность к разным видам излучения.
-
Фотопроводность: увеличение электропроводности под воздействием электромагнитного излучения.
Фотопроводимость: увеличение электропроводности материалов при поглощении света и ЭМ-излучения. Принцип работы, примеры (пленка Kodachrome, Fujifilm).
-
Фоторезистор: принцип работы и характеристики
Фоторезистор (LDR): принцип работы, характеристики и применение в схемах. Полупроводниковый резистор, меняющий сопротивление от освещенности.
-
Энергетическая щель в твердых телах и полупроводниках.
Зазор в энергии твердых тел: объяснение зонной структуры, полупроводников и изоляторов. Энергетическая щель – ключевой параметр в физике твердого тела.
-
Электронная дырка в физике твердого тела
Отверстие в физике и электронике: квазичастица, обозначающая отсутствие электрона. Важна для работы транзисторов, диодов и интегральных схем.
-
Эффективная масса частицы и отрицательная масса в физике твердого тела.
Эффективная масса частицы в физике твердого тела: влияние взаимодействия с другими частицами, упрощение расчетов в теории зон. Теоретическая физика.
-
Шоттки диод: принцип работы и характеристики
Шоттки диод: особенности, принцип работы и применение. Низкое прямое напряжение, высокая скорость переключения. Полупроводниковые приборы для электроники.
-
Лавинный диод: принцип работы и применение.
Лавинный диод: принцип работы, особенности и применение в электронике. Предотвращает перегрев при пробое, обеспечивает стабильное напряжение.
-
Метод ван дер Пау для измерения сопротивления и эффекта Холла
Метод Ван дер Пау: точное измерение сопротивления и эффекта Холла для материалов любой формы. Определение проводимости, типа легирования и концентрации носителей заряда.
-
Широкозонные полупроводники: свойства и перспективы применения
Широкозонные полупроводники (WBG): свойства, применение в LED, лазерах и радарах. Высокое напряжение, частота, температура – преимущества!
-
Потенциальный барьер в металл-полупроводниковых переходах
Шоттки барьер: потенциальный барьер в металл-полупроводниковых переходах. Характеристики, высота барьера (ΦB) и отличие от омического контакта.
-
Туннельный диод: принцип работы и применение квантового туннелирования.
Туннельный диод (диод Эсаки): принцип работы, квантовый туннельный эффект, история изобретения (Лео Эсаки, Sony). Применение в электронике.
-
Электромиграция: влияние на надежность интегральных схем.
Электромиграция: перемещение ионов в электрическом поле, влияющее на надежность микроэлектроники. Важно при высоких плотностях тока и уменьшении размеров чипов.
-
Квантовые ямы: теория и применение
Квантовая яма: принцип работы, квантовое ограничение, дискретные энергетические уровни. История создания (Кромер, Алфёров, Эсаки, Цу). Полупроводники.
-
Гетеропереходы: структура, свойства и применение в нанотехнологиях.
Гетеропереход: интерфейс между разными полупроводниками. Ключевые особенности, применение в лазерах, солнечных элементах и транзисторах. Структура гетероструктур.
-
Металлические выпрямители: история и принцип работы.
Металлические выпрямители: история, принцип работы и применение в радио и зарядных устройствах. Селеновые и оксидные выпрямители Westector.
-
Квантовая эффективность фоточувствительных устройств
Квантовая эффективность фотоприборов: определение, измерение и зависимость от длины волны. Важный параметр для CCD и других фотодетекторов.
-
Гунновский диод: принцип работы и применение.
Гунновский диод: принцип работы, применение в микроволновой электронике (радары, передатчики данных, автоматические двери). Особенности конструкции.
-
Квантовые проволоки: влияние квантовых эффектов на электропроводность.
Квантовая проволока: проводник, где квантовые эффекты влияют на проводимость. Наноразмерные структуры, квантовое ограничение электронов, новое сопротивление.
-
Глубинная спектроскопия временных переходов: исследование дефектов в полупроводниках.
Детектор DLTS: анализ дефектов и ловушек носителей заряда в полупроводниках. Определение параметров дефектов, концентрации и идентификация для анализа материалов.
-
Диффузионная ёмкость в полупроводниковых приборах
Диффузионная ёмкость в полупроводниках: что это такое, как возникает при переносе зарядов в диодах и транзисторах, и как она связана с изменением напряжения.
-
Шумы типа "всплески" в полупроводниках и тонких пленках
Шумы типа "всплеска" в полупроводниках: причины, характеристики (RTN, "попкорн-шум"). Влияние на микросхемы и приборы. История открытия.
-
Область обеднения в полупроводниках
Область обеднения в полупроводниках: что это такое, как формируется и роль в работе диодов, транзисторов и других электронных компонентов.
-
Фотоэлектрический эффект: генерация электричества из света
Фотоэлектрический эффект и генерация тока светом: принцип работы, отличие от фотоэффекта, возбуждение носителей заряда в материале. Солнечная энергия.
-
Генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках.
Генерация и рекомбинация носителей заряда в полупроводниках: основы, процессы создания и исчезновения электронов и дырок. Важно для оптоэлектроники и p-n переходов.
-
Собственные полупроводники: свойства и характеристики.
Полупроводник без примесей: что такое собственный полупроводник, его свойства (n=p), отличие от легированных. Основы электроники и физики полупроводников.
-
Эффект Шоттки и усиление термоэлектронной эмиссии
Эффект Шоттки: снижение высоты потенциального барьера и увеличение эмиссионного тока в электронных приборах под действием электрического поля. Физика полупроводников.
-
Нелинейные детекторы переходов: принцип работы и применение.
Детектор нелинейных соединений (NLJD) обнаруживает электронику по гармоникам излучения. Обнаруживает скрытые устройства, даже выключенные, требует опыта.
-
Изоляция p–n переходом в интегральных схемах
Изоляция p–n переходом: метод электрической изоляции компонентов в интегральных схемах. Создание изолирующих "колодцев" с помощью обратного смещения.
-
Рубрен: свойства, синтез и применение в органической электронике
Рубрен (C18H8(C6H5)4) – органическое соединение, полупроводник для OLED-дисплеев и гибких экранов. Изучается за оптические и электрические свойства.
-
Лавинный пробой в материалах и полупроводниках.
Пробой по лавинообразному типу: явление в диэлектриках и полупроводниках, приводящее к резкому увеличению тока. Объяснение механизма и принципов работы.
-
Поверхностные состояния в материалах: Шокли и Тамм
Поверхностные состояния в материалах: особенности, формирование, типы (Шоклей, Тамм). Влияние на электронную структуру и свойства твердых тел.
-
Баллистическая проводимость в мезоскопических системах
Баллистическая проводимость: беспрепятственное движение электронов в материалах без рассеяния. Узнайте о факторах, влияющих на среднюю длину свободного пробега.
-
Пьезорезистивный эффект в полупроводниках и металлах
Пьезорезистивный эффект: изменение электросопротивления полупроводников и металлов под механическим напряжением. Области применения и материалы.
-
Сингулярности Ван Гове в плотности состояний твердых тел
Сингулярность Ван Гова: особенности плотности состояний в кристаллах. Критические точки Бриллиуэна, анализ оптических спектров, физика твердого тела.
-
Омические контакты в полупроводниковых приборах.
Омический контакт в полупроводниках: что это такое, отличие от неомических контактов, принцип работы и применение для эффективного протекания тока.
-
Квантование электрической проводимости
Квантовое сопротивление (G₀) – фундаментальная единица электропроводности. Связано с элементарным зарядом и постоянной Планка, важно в квантовых проводниках.
-
Разрывные контакты: от квантовых точек до туннелирования электронов.
Разрывные переходы: создание и контроль наноразрывов в металлах с точностью до пикометра. Применение в электронике и материаловедении.
-
Моделирование диодов: методы и приближения.
Моделирование диодов в электронике: математические модели для анализа цепей и расчета нелинейной вольт-амперной характеристики. Закон Шокли и упрощенные модели.
-
Уравнение диода Шокли: Моделирование токово-вольтажной характеристики
Уравнение Шокли для диодов: формула для расчета тока-напряжения в полупроводниковых диодах. Идеальный фактор, тепловое напряжение, ток насыщения.
-
Эффект Франца — Келдыша: изменение оптического поглощения в полупроводниках в электрическом поле.
Эффект Франца — Келдыша: изменение оптического поглощения в полупроводниках под действием электрического поля. Волновые функции, поглощение света, физика полупроводников.
-
Двойная гетероструктура и квантовые ямы: принципы и применение.
Двойная гетероструктура: принцип работы, устройство и применение в полупроводниковых лазерах. AlGaAs/GaAs – ключевые материалы для создания эффективных переходов.
-
Метод емкостно-вольтамперной профилировки полупроводниковых материалов и приборов.
Профилирование емкости-напряжения (C-V профилирование) – метод характеристики полупроводников и приборов. Анализ вольт-фарадных характеристик для оценки свойств.
-
Правило Андерсона для гетеропереходов: теория и применение.
Правило Андерсона для гетеропереходов: выравнивание уровней вакуума, расчет ширины запрещенной зоны и смещения полос проводимости/валентности в полупроводниках.
-
Quantum point contact
-
Current crowding
-
Current density