Кіріспе

Chembox
| ImageFile =Кадмий арсениді кристалдары.jpg
| ImageSize = 240px
| ImageCaption = Cd3As2 кристалдары (112) және (400) бағыттарымен

| OtherNames = Трикадмий диарсениді
|Section1=
|Section2=
|Section3=
|Section7=Chembox Қауіптері
| FlashPt =
| NFPA F = 1
| NFPA H = 4
| NFPA R = 0
| NFPA S = W
| LD50 = дерек жоқ
| REL = Ca
| PEL = [1910.1027] TWA 0.005 мг/м3 (Cd ретінде)

2 Cd3As2(қ) → 6 Cd(г) + As4(г)

Арсеннің температураға байланысты парциалдық қысымының ретсіздігіне байланысты арсеннің стехиометриялық емес булануына энергетикалық тосқауыл табылды. Энергиялық алшақтықтың диапазоны 0,5-тен 0,6 эВ-қа дейін. Cd3As2 716 °C-да балқиды және 615 °C-да фазалық өзгеріске ұшырайды.

Фазалық ауысу

Таза кадмий арсениді жоғары температурада бірнеше фазалық ауысуларға ұшырайды, нәтижесінде α (тұрақты), α’, α” (метатұрақты) және β деп белгіленген фазалар пайда болады. 593°C-та полиморфтық ауысу α → β жүзеге асады. α Cd3As2 ↔ α’ Cd3As2 ~500 K температурада жүзеге асады. α’ Cd3As2 ↔ α’’ Cd3As2 ~742 K температурада жүзеге асады және бұл айқын гистерезис циклмен бірінші реттік фазалық ауысу болып табылады. α” Cd3As2 ↔ β Cd3As2 868 K температурада жүзеге асады.

Cd3As2-нің 23 және 700 °C аралығындағы тор параметрлерін анықтау үшін бір кристаллдық рентген сәулелерінің дифракциясы қолданылды. α → α’ ауысуы баяу болғандықтан, бұл орталық фаза болып табылады. α’ → α’’ ауысуы α → α’-ға қарағанда әлдеқайда жылдам жүреді және өте аз жылулық гистерезиске ие. Бұл ауысу тетрагональды жасушаның төрт еселік осінің өзгеруіне алып келеді, бұл кристаллдардың егізденуіне себеп болады. Циклдің ені қызу жылдамдығына тәуелді емес, бірақ бірнеше температуралық циклдан кейін тар алады.

Электрондық

Кадмий арсенидінің бу қысымы кадмий мен мырыштан төмен (0,8 атм). Кадмий арсениді буланып, қайта конденсацияланған кезде ыдырамайды. Cd3As2-дегі тасымалдағыш концентрациясы әдетте (1–4)×1018 электрон/см3 құрайды. Жоғары тасымалдағыш концентрациясына қарамастан, электронды мобильділіктері де өте жоғары (бөлме температурасында 10 000 см2/(В·с) дейін). 2014 жылы Cd3As2 графенге ұқсас жартылай металл материал екені көрсетілді, ол 3D нысанда бар және электрондық құрылғыларға қалыптастыру оңайырақ болуы тиіс.

Дирижерлік

Кадмий арсениді – II-V жартылай өткізгіш, жоғары жылдамдыққа ие, төмен тиімді массалы және өте параболалық емес өткізгіштік жолағы бар, немесе тар саңылаулы жартылай өткізгіш ретінде дегенеративті n-типті жартылай өткізгіштік қасиеттерін көрсетеді. Ол инверттік жолақ құрылымын көрсетеді, ал оптикалық энергиялық айырмасы (eg) 0-ден кем. Термиялық булану (жабыну) арқылы жатқанда кадмий арсениді жоғары электр өрістерінде Шотки (термиондық эмиссия) және Пулл-Френкель эффектін көрсетеді.

Магниттік кедергі

Кадмий арсениді 100К салыстырмалы түрде жоғары температурада да кедергіде өте күшті кванттық тербелістерді көрсетеді. Осының арқасында ол криомагниттік жүйелерді сынауға ыңғайлы, себебі мұндай күшті сигналдың болуы жүйенің жұмыс істеп тұрғанын нақты көрсетеді.

Дайындық

[[Файл:Кадмий арсенидінің өсуі.png|thumb|250px|Алюминий пешін қолданып Cd3As2 кристалдарын бу арқылы өсіру схемасы. Арсен иондары кубтық тығыздықта орналасқан, ал кадмий иондары тетраэдрлік координацияланған. Бос тетраэдрлік орындар фон Штакельберг пен Паулюс (1935) жасаған зерттеулерге себеп болды, олар бастапқы құрылымын анықтады. Әр арсен ионы бұрыс текше пішіндес сегіз бұрыштың алтысында кадмий иондарымен қоршалған, ал екі бос орын диагональдарда орналасқан.

Нернст эффектісі

Кадмий арсениді Нернст эффектісін пайдаланатын инфрақызыл детекторларда және жұқа пленкалы динамикалық қысым датчиктерінде қолданылады. Оны магнит резисторларын және фотодетекторларды жасау үшін де пайдалануға болады. Кадмий арсениді HgCdTe үшін допант ретінде қолданылуы мүмкін.