Жоғары таза кремний: Float zone әдісімен өндіріледі, ластанусыз өсуге мүмкіндік береді. Czochralski әдісінен артықшылығы – төмен көміртек, оттегі мөлшері.
Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Кіріспе
Float zone кремнийі – тік зоналық балқыту арқылы алынатын өте таза кремний. Бұл процесті 1955 жылы Генри Тьюрер Bell Labs-те германий үшін Уильям Гарднер Пфанн әзірлеген әдістің өзгертілген нұсқасы ретінде жасады. Тік конфигурациядағы балқыған кремнийдің зарядтың бөлінуін болдырмау үшін жеткілікті беттік кернеуі болады. Басты артықшылығы – ыдыстан кремнийдің ластануына жол бермейтін, сондықтан Czochralski әдісімен өсірілген кристалдарға қарағанда тазалығы жоғары. Көміртек (C) және оттегі (O2) сияқты жеңіл қоспалардың концентрациясы өте төмен. Тағы бір жеңіл қоспа – азот (N2), микродефектілерді бақылауға көмектеседі, сонымен қатар пластиналардың механикалық түзілуін жақсартады және қазір өсу кезеңдерінде қасақана қосылады. Float zone пластиналарының диаметрі әдетте 200 мм-ден аспайды, себебі өсу кезінде беттік кернеудің шектеулері бар. Өте таза электрондық сапалы кремнийден жасалған поликристаллдық таяқ радиожиілік қыздыру орамасынан өтеді, ол кристалл қорытындысын өсіретін жергілікті балқыған аймақты құрайды. Өсуді бастау үшін бір жағынан тұқымдық кристалл қолданылады. Бүкіл процесс вакуумдалған камерада немесе инертті газбен тазартуда жүзеге асырылады. Балқыған аймақ қоспаларды өзімен бірге алып кетеді, соның салдарынан қоспалардың концентрациясы төмендейді (көптеген қоспалар кристалға қарағанда балқымада жақсы ериді). Біркелкі қоспа концентрациясын енгізу үшін ядролық қоспалау, таблеткалық қоспалау, газдық қоспалау және нейтронды трансмутациялық қоспалау сияқты арнайы қоспалау техникалары қолданылады. Float zone кремнийлі пластиналарды нейтрондармен сәулелендіру арқылы n-типті жартылай өткізгішке айналдыруға болады.
Float zone silicon is very pure silicon obtained by vertical zone melting. The process was developed at Bell Labs by Henry Theuerer in 1955 as a modification of a method developed by William Gardner Pfann for germanium. In the vertical configuration molten silicon has sufficient surface tension to keep the charge from separating. The major advantages is crucibleless growth that prevents contamination of the silicon from the vessel itself and therefore an inherently high purity alternative to boule crystals grown by the Czochralski method. The concentrations of light impurities, such as carbon (C) and oxygen (O2) elements, are extremely low. Another light impurity, nitrogen (N2), helps to control microdefects and also brings about an improvement in mechanical strength of the wafers, and is now being intentionally added during the growth stages. The diameters of float zone wafers are generally not greater than 200 mm due to the surface tension limitations during growth. A polycrystalline rod of ultrapure electronic grade silicon is passed through an RF heating coil, which creates a localized molten zone from which the crystal ingot grows. A seed crystal is used at one end to start the growth. The whole process is carried out in an evacuated chamber or in an inert gas purge. The molten zone carries the impurities away with it and hence reduces impurity concentration (most impurities are more soluble in the melt than the crystal). Specialized doping techniques like core doping, pill doping, gas doping and neutron transmutation doping are used to incorporate a uniform concentration of desirable impurity. Float zone silicon wafers may be irradiated by neutrons to turn it into a n doped semiconductor.
Қолдану
Float zone кремнийі әдетте қуат құрылғылары және детекторларда қолданылады, онда жоғары кедергі қажет. Ол терагерц сәулеленуіне өте мөлдір және көбінесе терагерц қолданбалары үшін линзалар және терезелер сияқты оптикалық компоненттер жасауға пайдаланылады. Сондай-ақ, ол спутниктердің күн батареяларында да қолданылады, себебі оның энергияны түрлендіру тиімділігі жоғары.
Float zone silicon is typically used for power devices and detector applications, where high resistivity is required. It is highly transparent to terahertz radiation, and is usually used to fabricate optical components, such as lenses and windows, for terahertz applications. It is also used in solar arrays of satellites as it has higher conversion efficiency.