Сравнивайте с английским: нажмите на абзац — оригинал откроется в окне. Кнопка EN под абзацем показывает его прямо в тексте.
Введение
Кремний плавающей зоны – это высокочистый кремний, получаемый методом вертикальной зонной плавки. Процесс был разработан Генри Тьюэром в лаборатории Белла в 1955 году как модификация метода, разработанного Уильямом Гарднером Пфанном для германия. В вертикальной конфигурации расплавленный кремний обладает достаточным поверхностным натяжением, чтобы предотвратить разделение материала. Основным преимуществом является бестигельная технология выращивания, которая предотвращает загрязнение кремния материалом сосуда и, следовательно, представляет собой альтернативу с высокой степенью чистоты по сравнению с кристаллами, выращенными методом Чохральского. Концентрации легких примесей, таких как углерод (C) и кислород (O2), чрезвычайно низки. Другая легкая примесь, азот (N2), помогает контролировать микродефекты, а также повышает механическую прочность пластин и теперь намеренно добавляется в процессе роста. Диаметры пластин, полученных методом зонной плавки, обычно не превышают 200 мм из-за ограничений поверхностного натяжения в процессе роста. Поликристаллический стержень из ультрачистого кремния электронной марки пропускается через ВЧ-индукционный нагреватель, который создает локализованную расплавленную зону, из которой растет кристаллический слиток. Для начала роста на одном конце используется затравка. Весь процесс проводится в вакуумной камере или в среде инертного газа. Расплавленная зона уносит с собой примеси, тем самым снижая их концентрацию (большинство примесей лучше растворяются в расплаве, чем в кристалле). Для введения равномерной концентрации необходимых примесей используются специализированные методы легирования, такие как легирование сердцевины, таблеточное легирование, газовое легирование и нейтронная трансмутация. Пластины из кремния плавающей зоны могут быть облучены нейтронами для преобразования их в полупроводники n-типа.
Float zone silicon is very pure silicon obtained by vertical zone melting. The process was developed at Bell Labs by Henry Theuerer in 1955 as a modification of a method developed by William Gardner Pfann for germanium. In the vertical configuration molten silicon has sufficient surface tension to keep the charge from separating. The major advantages is crucibleless growth that prevents contamination of the silicon from the vessel itself and therefore an inherently high purity alternative to boule crystals grown by the Czochralski method. The concentrations of light impurities, such as carbon (C) and oxygen (O2) elements, are extremely low. Another light impurity, nitrogen (N2), helps to control microdefects and also brings about an improvement in mechanical strength of the wafers, and is now being intentionally added during the growth stages. The diameters of float zone wafers are generally not greater than 200 mm due to the surface tension limitations during growth. A polycrystalline rod of ultrapure electronic grade silicon is passed through an RF heating coil, which creates a localized molten zone from which the crystal ingot grows. A seed crystal is used at one end to start the growth. The whole process is carried out in an evacuated chamber or in an inert gas purge. The molten zone carries the impurities away with it and hence reduces impurity concentration (most impurities are more soluble in the melt than the crystal). Specialized doping techniques like core doping, pill doping, gas doping and neutron transmutation doping are used to incorporate a uniform concentration of desirable impurity. Float zone silicon wafers may be irradiated by neutrons to turn it into a n doped semiconductor.
Применение
Кремний, выращенный методом плавающей зоны, обычно используется для изготовления силовых приборов и детекторов, где необходимо высокое удельное сопротивление. Он обладает высокой прозрачностью для терагерцового излучения и часто применяется для создания оптических компонентов, таких как линзы и окна, для терагерцовой техники. Также он используется в солнечных батареях спутников благодаря более высокому коэффициенту полезного действия.
Float zone silicon is typically used for power devices and detector applications, where high resistivity is required. It is highly transparent to terahertz radiation, and is usually used to fabricate optical components, such as lenses and windows, for terahertz applications. It is also used in solar arrays of satellites as it has higher conversion efficiency.