Кіріспе

Рентгендік кристалл кесу таяқшаларын шашырату – кристалл бетінен алынған рентген сәулелерінің дифракциялық (SXRD) суретін талдауға негізделген, беттік ғылымдағы қуатты әдіс. Шегі шексіз кристалл үшін дифракциялық сурет Браг піктері сияқты Дирак дельта функциясына ұқсас шоғырланған. Кристалдық беттердің болуы бетке перпендикуляр импульс кеңістігіндегі сызықтық аймақтар болып табылатын, «кесу таяқшалары» деп аталатын қосымша құрылымды тудырады. Кристалл кесу таяқшасы (CTR) өлшемдері беттегі атомдық құрылымды егжей-тегжейлі анықтауға мүмкіндік береді, әсіресе тотығу, эпитаксиялық өсу және кристалл беттеріндегі адсорбцияны зерттеуде пайдалы.

Аспаптар

Рентгендік CTR өлшемдерінде жоғары сапалы деректер алу үшін, анықталған интенсивтілік кем дегенде осы деңгейде болуы қажет. Бұл деңгейге жету үшін рентген сәулесінің көзі әдетте синхротрон болуы керек. Әдеттегі, арзан көздер, мысалы, айналмалы анодтық көздер, рентген сәулесінің ағынынан 2-3 есе кем мөлшерде рентген сәулесін береді және тек жоғары атомдық нөмірлі материалдарды зерттеуге ғана жарамды, себебі олар жоғарырақ дифракциялық интенсивтілікті қайтарады. Ең жоғары дифракциялық интенсивтілік шамамен атомдық нөмірдің квадратына пропорционалды. Мысалы, алтынды зерттеу үшін анодтық рентген сәулесі көздері сәтті қолданылған. Рентген сәулесімен бетті өлшеген кезде, сынама жоғары вакуумда (Ultra High Vacuum) ұсталады және рентген сәулелері бериллий терезелер арқылы UHV камерасына кіріп, шығады. Камера мен дифрактометрдің құрылымына екі тәсіл қолданылады. Бірінші тәсілде, сынама вакуумдық камераға қатысты бекітіледі, камера мүмкіндігінше кіші және жеңіл болып жасалады және дифрактометрге орнатылады. Екінші тәсілде, сынама камера ішінде, сыртқы құбырлармен (bellows) байланыстырылған механизм арқылы айналдырылады. Бұл тәсіл дифрактометрдің гониометріне үлкен механикалық жүктеме түсірмейді, бұл бұрыштық ажыратымдылықты сақтауды жеңілдетеді. Көптеген конфигурациялардың бір кемшілігі – LEED немесе AES сияқты басқа беттік талдау әдістерін қолдану үшін сынаманы жылжыту қажет, ал сынаманы рентгендік дифракциялық орнына қайта жылжытқаннан кейін оны қайта баптау керек. Кейбір құрылымдарда, сынама камерасын вакуумды бұзбай дифрактометрден ажыратуға болады, бұл басқа пайдаланушыларға қол жеткізуге мүмкіндік береді. Рентгендік CTR дифрактометр аппаратының мысалдары үшін 15–17 сілтемелерді қараңыз.

CTR тағандық сканерлері

Рентген сәулелерінің бетке түсу бұрышы белгілі болғанда, кристалл кесу таяқшаларының Эвальд сферасымен қиылысқан жерлерін ғана байқау мүмкін. КТР бойымен интенсивтілікті өлшеу үшін, үлгі рентген сәулесінде айналуы керек, сонда Эвальд сферасының бастапқы нүктесі жылжып, сфера кері кеңістікте таяқшамен басқа жерде қиылысады. Осылай штангалық сканерлеуді жүзеге асыру үшін үлгі мен детектордың әртүрлі осьтер бойынша үйлесімді қозғалысы қажет. Мұндай қозғалысты қамтамасыз ету үшін үлгі мен детектор төрт шеңберлі дифрактометр деп аталатын құрылғыға орнатылады. Үлгі кіретін және шағылысқан сәулелерді екіге бөлетін жазықтықта айналдырылады, ал детектор шағылысқан КТР интенсивтілігін тіркеу үшін қажетті жағдайға жылжытылады.

Жер бетіндегі құрылымдар

Материалдың беткі ерекшеліктері CTR интенсивтілігінің өзгеруіне себеп болады, оны өлшеуге және қандай беткі құрылымдар болуы мүмкін екенін бағалауға болады. Осыған екі мысал 3-суретте көрсетілген. Бұрыш бойынша қателік болған жағдайда, өзара кеңістікте суперрешеткалық таяқшалар деп аталатын екінші таяқшалар жиыны пайда болады, олар реттелген решеткалық таяқшалардан сол бұрышқа сәйкес көлбеу болады. Рентген сәулесінің интенсивтігі решеткалық таяқшалардың (сұр жолақтар) және суперрешеткалық таяқшалардың (қара сызықтар) қиылысу аймағында ең жоғары болады. Реттелген, кезектесіп орналасқан сатылар болған жағдайда, CTR интенсивтілігі көрсетілгендей сегменттерге бөлінеді. Шын материалдарда беттік ерекшеліктердің пайда болуы мұндай реттелген болуы сирек, бірақ бұл екі мысал беттік қателіктер мен тегіссіздіктердің алынған дифракциялық суреттерде қалай көрінетінін көрсетеді.