Кіріспе

Жоғары энергиялы рентген сәулелерімен қоздырылған материалдан екінші реттік рентген сәулелерінің шығуы (XRF) – жоғары энергиялы рентген сәулелері немесе гамма сәулелерімен бомбалау арқылы қоздырылған материалдан ерекше "екінші" (немесе флуоресцентті) рентген сәулелерінің шығуы. Бұл құбылыс элементтік және химиялық талдау үшін кеңінен қолданылады, әсіресе металдар, шыны, керамика және құрылыс материалдарын зерттеуде, сондай-ақ геохимия, сот медицинасы, археология және кескіндеме сияқты өнер туындыларын зерттеуде.

Физиканың негізі

Материалдар қысқа толқынды рентген сәулелеріне немесе гамма сәулелеріне ұшырағанда, олардың құрамындағы атомдардың иондануы жүзеге асуы мүмкін. Иондану – атомнан бір немесе бірнеше электронның шығарылуынан тұрады және атомның иондану энергиясынан артық энергиясы бар сәулеленуге ұшыраған жағдайда пайда болады. Рентген және гамма сәулелері атомның ішкі орбитальдарындағы берік ұсталып тұрған электрондарды шығаруға жеткілікті энергияға ие. Электронды осылай алып тастау атомның электрондық құрылымын тұрақсыз етеді, ал жоғары орбитальдағы электрондар төменгі орбитальдағы бос орынды толтыру үшін "түседі". Түсу кезінде энергия фотон түрінде бөлінеді, оның энергиясы қатысты орбитальдардың энергия айырмасына тең болады. Осылайша, материал сәуле шығарады, бұл сәуленің энергиясы материал құрамындағы атомдарға тән. Флуоресценция термині белгілі бір энергияны сіңіргеннен кейін, басқа энергияны (әдетте төмен) қайта сәулелендіретін құбылыстарға қолданылады.

Характерлік сәулелену

Әрбір элементтің өзіне тән энергиясы бар электрондық орбиталдары болады. Бірінші сәулелену көзінен берілген энергиялы фотонмен ішкі электрон алынғаннан кейін, сыртқы қабықтағы электрон оның орнына түседі. Бұл қалай жүзеге асуы мүмкін екенінің шектеулі саны бар, бұл 1-суретте көрсетілген. Басты ауысулар белгілі бір аттармен аталады: L→K ауысуы дәстүрлі түрде Kα, M→K ауысуы Kβ, M→L ауысуы Lα деп аталады, және т.б. Бұл ауысулардың әрқайсысы бастапқы және соңғы орбитальдың энергия айырмашылығына тең сипаттамалық энергиясы бар флуоресцентті фотонды тудырады. Бұл флуоресценттік сәулеленудің толқын ұзындығы Планк заңы бойынша есептелуі мүмкін:

Флуоресценттік сәулеленуді фотондардың энергиясын сұрыптау (энергиялық дисперсиялық талдау) немесе сәулеленудің толқын ұзындығын бөлу (толқын ұзындығы дисперсиялық талдау) арқылы талдауға болады. Сұрыпталғаннан кейін, әрбір сипаттамалық сәулеленудің қарқындылығы материалдағы әрбір элементтің мөлшерімен тікелей байланысты. Бұл талдау химиясының қуатты әдісінің негізі болып табылады. 2-суретте толқын ұзындығы дисперсиялық әдісімен алынған өткір флуоресцентті спектрлік сызықтардың әдеттегі пішіні көрсетілген (Мозели заңына қараңыз).

Біріншілік сәулелену көздері

Атомдарды қоздыру үшін, ішкі электрондарды шығаруға жеткілікті энергиясы бар сәулелену көзі қажет. Ауыр металл (мысалы, вольфрам немесе родий) нысанасына электронды бомбалауға негізделген дәстүрлі рентген генераторлары ең көп қолданылады, себебі олардың шығысын қолдануға оңай реттеуге болады және басқа техникаларға қарағанда жоғары қуатты пайдалану мүмкіндігі бар. 20–60 кВ диапазондағы рентген генераторлары қолданылады, олар атомдардың кең ауқымын қоздыруға мүмкіндік береді. Ұздік спектр «бремсштраулунг» сәулеленуінен тұрады: түтік арқылы өтетін жоғары энергиялы электрондар түтік анодының материалымен («нысана») бірте-бірте баяулағанда пайда болатын сәулелену. Типтік түтік шығыс спектрі 3-суретте көрсетілген. Портативті ХРФ спектрометрлері үшін мыс нысанаға әдетте лазердің соққысы немесе пироэлектрлік кристалдар арқылы тудырылған жоғары энергиялы электрондармен бомбалау жүргізіледі. Балама ретінде, радиоактивті изотоптарға негізделген (мысалы, 109Cd, 57Co, 55Fe, 238Pu және 241Am) гамма сәуле көздерін күрделі қуат көзіне қарамастан пайдалануға болады, бұл кішкентай, портативті құралдарда оңай қолдануға мүмкіндік береді. Егер энергия көзі синхротрон болса немесе рентген сәулелері көп капиллярлы оптика сияқты нұсқамен фокусталатын болса, рентген сәулесі өте кішкентай және өте қарқынды болуы мүмкін. Нәтижесінде, микрометрлік масштабта атомдық ақпарат алуға болады.

Дисперсия

Энергияны дисперсиялық талдау кезінде материалдық үлгі шығаратын флуоресцентті рентген сәулелері, кіріс фотондар энергиясына пропорционал кернеулі "үзіліссіз" импульстар тізімін құрайтын қатты күйдегі детекторға бағытталады. Бұл сигнал көп арналы талдағыш (MCA) арқылы өңделеді, ол талдау деректерін алу үшін өңделетін жинақталатын цифрлық спектрді құрайды. Толқын ұзындығы дисперсиялық талдауда, үлгіден шығатын флуоресцентті рентген сәулелері дифракциялық торға негізделген монохроматорға бағытталады. Қолданылатын дифракциялық тор көбінесе бір кристалл болады. Кристаллға түсу бұрышын өзгерту арқылы рентген сәулелерінің тар толқын ұзындығы диапазонын таңдауға болады. Алынған толқын ұзындығы Брэгг заңымен анықталады: мұнда d – кристалл бетіне параллель атомдық қабаттардың арақашықтығы.

Анықтау

Энергияны дисперсиялық талдау кезінде дисперсия және анықтау, жоғарыда айтылғандай, бір операция болып табылады. Пропорционалдық есептегіштер немесе қатты күйдегі детекторлардың әртүрлі түрлері (PIN диод, Si(Li), Ge(Li), кремнийлі дрейф детекторы SDD) қолданылады. Олардың барлығы бірдей анықтау принципімен бөліседі: кірісетін рентген сәулесінің фотоны детектордың көптеген атомдарын иондайды, ал туындаған зарядтың мөлшері кіріс фотонының энергиясына пропорционалды болады. Содан соң заряд жиналады және процесс келесі фотон үшін қайталанады. Детектордың жылдамдығы маңызды, себебі фотонның энергиясын дұрыс өлшеу үшін өлшенген барлық заряд тасымалдаушылар бір фотоннан түуі керек (екі рентген фотоны дерлік бір уақытта келгендей көрінетін жағдайларды жою үшін шыңның ұзындығы бойынша ажырату қолданылады). Спектр энергия спектрін дискретті интервалдарға бөлу және әрбір энергия интервалында тіркелген импульстардың санын санау арқылы құрылады. EDXRF детекторларының түрлері ажыратымдылығы, жылдамдығы және салқындату тәсілдері бойынша өзгеше (қатты күйдегі детекторларда еркін заряд тасымалдаушылардың аз саны маңызды): бірнеше жүз ЭВ ажыратымдылығы бар пропорционалдық есептегіштер өнімділік спектрінің төменгі шегін қамтиды, одан кейін PIN диодты детекторлар, ал Si(Li), Ge(Li) және SDD-лер өнімділік шкаласының жоғарғы шегін құрайды. Толқын ұзындығы дисперсиялық талдау кезінде монохроматордан шығарылатын бір толқын ұзындығындағы сәулелену фотокөбейтілгішке (Гейгер санағына ұқсас детектор) жіберіледі, ол сәуле арқылы өтетін жеке фотондарды санайды. Санақ – рентген сәулелерінің фотондарымен иондалған газды қамтитын камера. Орталық электрод (әдетте) +1700 В кернеумен өткізгіш камера қабырғаларына қатысты зарядталады, және әр фотон осы өріс бойынша ток каскады сияқты импульсті тудырады. Сигнал күшейтіліп, жинақтамалы цифрлық санаққа түрлендіріледі. Бұл санақтар талдау деректерін алу үшін өңделеді.

Рентген сәулелерінің интенсивтілігі

Флуоресценция процесі тиімді емес, ал екіншілік сәуле негізгі сәуледен әлдеқайда әлсіз. Сонымен қатар, жеңіл элементтерден шығатын екіншілік сәулелену салыстырмалы түрде төмен энергиялы (ұзын толқынды) болады, оның өту қабілеті төмен және сәуле ауа арқылы қандай да бір қашықтыққа өтетін болса, күшін қатты жоғалтады. Осы себепті, жоғары өнімділіктегі талдау үшін, түтікшенің сынамаға және детекторға дейінгі жолы вакуумда (шамамен 10 Па қалдық қысымда) ұсталады. Практикалық тұрғыда, мұның аспаптың көптеген жұмыс бөліктері үлкен вакуумдық камерада орналасуы керек екенін білдіреді. Вакуумда жылжымалы бөліктерді ұстау және вакуумды бұзбай, сынаманы жылдам енгізу және алу мәселелері аспапты жобалау кезінде маңызды қиындықтар тудырады. Аз талаптар қойылатын қолданулар үшін немесе сынама вакуумнан зақымданса (мысалы, ұшқыш сынама болса), гелиймен тазартылған рентген камерасын қолдануға болады, бірақ бұл жағдайда төмен Z (Z = атомдық нөмір) элементтерінің интенсивтілігі төмендейді.

Химиялық талдау

Үлгіден флуоресценттік сәулеленуді қоздыру үшін негізгі рентген сәулесін қолдануды алғаш рет 1928 жылы Глокер мен Шрайбер ұсынды. Бүгінде бұл әдіс құрылымды бұзбайтын талдау техникасы ретінде, сондай-ақ көптеген кен өндіру және өңдеу салаларында процесті бақылау құралы ретінде қолданылады. Принцип бойынша, талдауға болатын ең жеңіл элемент – бериллий (Z = 4), бірақ құралдық шектеулерге және жеңіл элементтердің рентген сәулесінің аздығына байланысты, фонды түзетулер және элементтер арасындағы мұқият түзетулер жасалмаса, натрийден (Z = 11) жеңіл элементтерді сандық анықтау қиын.

Энергияны дисперсиялық спектрометрия

Энергиялық дисперсиялық спектрометрлерде (EDX немесе EDS) детектор фотон қабылданған кезде оның энергиясын анықтауға мүмкіндік береді. Детекторлар тарихи түрде литиймен дрейфтелген кремний кристалдары немесе жоғары тазалықтағы кремний пластиналары түріндегі кремний жартылай өткізгіштеріне негізделген.

Силлинтті (линий) детекторлары

Бұл негізінен 3–5 мм қалыңдықтағы кремнийлі түйіспе типті p i n диодтан (PIN диодқа ұқсас) тұрады, оған -1000 В кернеу қолданылады. Литиймен өңделген орталық бөлігі – бұл өткізбейтін i қабатын құрайды, онда Li қалдық акцепторларды бейтараптандырады, әйтпесе бұл қабат p-типті болар еді. Рентген сәулесінің фотоны өткен кезде электрон-тесік жұптарының көптеген саны пайда болады, бұл кернеу импульсін тудырады. Детектордың жеткілікті түрде төмен өткізгіштігін қамтамасыз ету үшін оны төмен температурада ұстау қажет, ал ең жақсы ажыратымдылықты алу үшін сұйық азотты салқындату қолданылады. Ажыратымдылықтың біраз мөлшерін жоғалтса, Пельтье салқындатуын пайдалануға болады, ол әлдеқайда ыңғайлы.

Вафель детекторлары

Соңғы уақытта жоғары тазалықтағы, төмен өткізгіштігі бар кремний пластиналары қолжетімді болды. Пелтье эффектісімен салқындатылатын бұл пластиналар арзан әрі ыңғайлы детектор болып табылады, алайда сұйық азотпен салқындатылған Si(Li) детекторы әлі де ең жоғары ажыратымдылыққа (яғни, әртүрлі фотон энергияларын ажырату қабілетіне) ие.

Көшейткіштер

Детектордан туындайтын импульстар импульстік пішіндеу күшейткіштерімен өңделеді. Күшейткішке импульстік пішіндеуді оңтайлы ажыратымдылыққа жеткізу үшін уақыт керек, сондықтан ажыратымдылық пен санау жылдамдығы арасында компромисс болады: жақсы ажыратымдылық үшін ұзақ өңдеу уақыты "импульстік үйілуге" әкеледі, онда бір-бірінен кейін келген фотондардың импульстары үстіне түседі. Бірақ көп фотондық оқиғалар әдетте бір фотондық оқиғаларға қарағанда уақыт бойынша созылған болады (фотондар бірдей уақытта келмейді), сондықтан импульс ұзындығы бойынша ажыратуды олардың көпшілігін сүзу үшін қолдануға болады. Дегенмен, үйілудің шағын шыңдары қалпында болады және ізді талдауды қажет ететін қолданбаларда үйілуді түзету бағдарламалық құралға енгізілуі керек. Детекторды тиімді пайдалану үшін, көп фотондық оқиғаларды (ажыратудан бұрын) ақылға қонымды деңгейде, мысалы, 5–20% деңгейінде ұстау үшін түтік тогын азайту керек.

Өңдеу

Импульс жинақталуын түзету және нашар ажыратылған спектрлерден деректерді алу үшін елеулі компьютерлік қуат жұмсалады. Бұл күрделі түзету процестері уақыт өте келе өзгеруі мүмкін эмпирикалық байланыстарға негізделген, сондықтан химиялық деректерді қанағаттанарлық дәлдікпен алу үшін үнемі қадағалау қажет. Жоғары өнімділіктегі ядролық құралдарда цифрлық импульстік процессорлар кеңінен қолданылады. Олар импульс жинақталуын және базалық сызымдардың өзгерісін тиімді түрде азайтады, осылайша оңай өңдеуге мүмкіндік береді. Сигнал мен шу арақатынасын жақсарту үшін төмен өткізгіш сүзгі енгізілген. Цифрлық импульстік процессор жұмыс істеу үшін көп энергия қажет етеді, бірақ ол жоғары дәлдікті қамтамасыз етеді.

Қолданылуы

EDX спектрометрлері WDX спектрометрлерінен кішірек, құрылысы қарапайым және жасалған бөліктері аз. Дегенмен, EDX спектрометрлерінің дәлдігі мен ажыратымдылығы WDX спектрометрлеріне қарағанда төмен. EDX спектрометрлері миниатюралық рентген түтікшелерін немесе гамма сәулелендіргіштерін де пайдалана алады, бұл оларды арзанрақ етеді және кішірейтуге, тасымалдауға мүмкіндік береді. Осы құралдар көбінесе портативті сапаны бақылау скринингтерінде қолданылады, мысалы, ойыншықтардағы қорғасын (Pb) мөлшерін тексеру, металл сынықтарын сұрыптау және тұрғын үйлердегі бояудың қорғасын құрамын өлшеу сияқты. Екінші жағынан, төмен ажыратымдылық және аз санау жылдамдығы мен ұзақ өлі уақытқа байланысты проблемалар оларды жоғары дәлдікті талдау үшін тиімсіз етеді. Алайда, олар жоғары жылдамдықты, көп элементті талдау үшін өте пайдалы. Қазіргі нарықтағы далалық портативті XRF анализаторлары 2 кг-нан аспайды және таза құмда қорғасынның (Pb) 2 миллионнан бір бөлігін анықтауға қабілетті. Сканерлік электронды микроскоп пен EDX қолдану арқасында зерттеулер биологиялық үлгілер мен полимерлер сияқты органикалық үлгілерге дейін кеңейтілді.

Толқын ұзындығы дисперсиялық спектрометрия

Толқын ұзындығын таратқыш спектрометрлерде (WDX немесе WDS) фотондар бір кристалда дифракция арқылы бөлініп, содан кейін анықталады. Толқын ұзындығын таратқыш спектрометрлер кейде кең толқын ұзындығы диапазонын сканерлеу үшін қолданылса, EDS-тегідей спектрлік графикті жасайды, бірақ олар әдетте қызығушылық тудыратын элементтердің эмиссиялық сызықтарының толқын ұзындығында ғана өлшеулер жасау үшін орнатылады. Бұл екі түрлі жолмен жүзеге асырылады: "Бір уақытта" спектрометрлерде бір элементті талдауға арналған бірнеше "арналар" болады, олардың әрқайсысы тұрақты геометриялық кристалл монохроматорынан, детектордан және өңдеу электроникасынан тұрады. Бұл бірнеше элементті бір уақытта өлшеуге мүмкіндік береді, ал жоғары қуатты құралдарда толыққанды жоғары дәлдікті талдауларды 30 секундтан кем уақытта алуға болады. Өндірістік ортада құралдардың айлар бойы үзіліссіз жұмыс істеуі қажет болғанда сенімділік маңызды. "Бір уақытта" спектрометрлердің кемшіліктеріне күрделі талдаулар үшін салыстырмалы түрде жоғары құн жатады, себебі қолданылатын әр арна қымбат. Өлшеуге болатын элементтердің саны 15–20-ға дейін шектеледі, өйткені флуоресценттік сынаманың айналасында орналастырылатын монохроматорлардың санына қатысты кеңістік шектеулері бар. Бірнеше монохроматорды орналастыру қажеттілігі сынаманың айналасында ашық орналасуды талап етеді, бұл түтік-сынама-кристалл арақашықтығының салыстырмалы түрде ұзаруына әкеледі, нәтижесінде анықталатын интенсивтілік төмендеп, шашырау артады. Құрал икемді емес, себебі жаңа элементті өлшеу қажет болса, жаңа өлшеу арнасын сатып алып орнату қажет. "Тізбекті" спектрометрлерде бір өзгермелі геометриялық монохроматор (бірақ әдетте кристаллдарды таңдауға мүмкіндік беретін құрылыммен), бір детектор жиынтығы (бірақ әдетте бірнеше детекторлар тізбектей орналастырылған) және бір электрондық блок болады. Құрал толқын ұзындығы бойынша қозғалып, әрбір жағдайда рентгендік сәуле түтігінің қуатын, кристалды және детектордың орналасуын таңдайды. Өлшеу бағдарламасының ұзақтығы шексіз, сондықтан бұл жүйе өте икемді. Тек бір монохроматор болғандықтан, түтік-сынама-кристалл арақашықтығы өте қысқа болып сақталады, нәтижесінде анықталған интенсивтіліктің ең аз жоғалуына қол жеткізіледі. Оның айқын кемшілігі – талдаудың салыстырмалы түрде ұзақ уақыты, әсіресе көптеген элементтер талданып жатқанда, себебі элементтер тізбектей өлшенетін, сонымен қатар өлшемдер арасында монохроматор геометриясын қайта реттеуге белгілі бір уақыт қажет. Сонымен қатар, талдау бағдарламасы кезінде монохроматордың қарбалас қызметі механикалық сенімділікке қиындық тудырады. Алайда, қазіргі заманғы тізбекті құралдар үздіксіз пайдалануда да "бір уақытта" қолданылатын құралдар сияқты сенімділікке қол жеткізе алады.

Үлгілерді дайындау

Түтік үлгі детекторының геометриясын тұрақты ұстау үшін үлгі әдетте 20-50 мм диаметрлі жазық диск түрінде дайындалады. Ол түтік терезесінен стандартталған, шағын қашықтықта орналасады. Рентген сәулесінің қарқындылығы кері квадрат заңына бағынатындықтан, қайталанатын рентген сәулесі ағынын сақтау үшін осы орналасудың және беттің тегістігінің жолдары өте қатаң болуы керек. Үлгі дисктерін алудың әртүрлі тәсілдері бар: металдарды машинамен өңдеуге болады, минералдарды ұсақ ұнтақтап таблеткаға басуға болады, ал шыныларды қажетті пішінге құюға болады. Үлгінің тегіс және өкілдік беретін бетін алудың тағы бір себебі – жеңіл элементтерден шығатын екінші рентген сәулелері көбінесе үлгінің беткі бірнеше микрометрінен ғана шығады. Беттік тегіссіздіктің әсерін одан әрі азайту үшін үлгі әдетте 5-20 айналым/мин жылдамдықпен айналдырылады. Үлгінің негізгі сәулені толығымен сіңіретіндей жеткілікті қалыңдықта болуын қамтамасыз ету қажет. Жоғары Z материалдары үшін бірнеше миллиметр қалыңдық жеткілікті, бірақ көмір сияқты жеңіл элементтер матрицасы үшін 30-40 мм қалыңдық қажет.

Монохроматизаторлар

Монохроматизаторлардың ортақ ерекшелігі – сынама, кристалл және детектор арасындағы симметриялық геометрияны сақтау болып табылады. Осындай геометрияда Брагг дифракциясының шарты орындалады. Рентген сәулелерінің эмиссиялық спектрлік сызықтары өте тар (2-суретті қараңыз), сондықтан бұрыштар жоғары дәлдікпен анықталуы тиіс. Бұл екі тәсілмен іске асырылады:

Söller коллиматорлары бар жалпақ кристалл

Сёллер коллиматоры – бір-бірінен бірнеше ондық миллиметрге дейін арақашықтығы бар параллель металл пластиналар жиынтығы. Бұрыштық ажыратымдылықты жақсарту үшін коллиматорды ұзарту және/немесе пластиналар арасындағы аралықты азайту қажет. Бұл құрылымның қарапайымдығы мен салыстырмалы түрде төмен құнының артықшылығы бар, бірақ коллиматорлар интенсивтілікті төмендетеді және шашырауды арттырады, сондай-ақ "көрінетін" сынама мен кристалдың ауданын қысқартады. Геометрияның қарапайымдығы айнымалы геометриялы монохроматорлар үшін ерекше пайдалы.

Қисық кристалл ойықтары бар

Роуленд шеңберінің геометриясы екі саңылаудың да фокуста болуын қамтамасыз етеді, бірақ Брэгг шартының барлық нүктелерде орындалуы үшін кристалды алдымен 2R радиусына (мұнда R – Роуленд шеңберінің радиусы), содан кейін R радиусына дейін иілу керек. Бұл конфигурация жоғары интенсивтіктерге (әдетте 8 есе) және жоғары ажыратымдылыққа (әдетте 4 есе) мүмкіндік береді, сондай-ақ фондық шуды азайтады. Дегенмен, өзгермелі бұрышты монохроматорда Роуленд шеңберінің геометриясын сақтаудың механикасы өте қиын. Реттелген бұрышты монохроматорларда (бір уақыттағы спектрометрлерде қолдану үшін) логарифмдік спираль пішіндегі иілген кристалдар ең жақсы фокустау өнімділігін қамтамасыз етеді. Қисық кристалдарды қабылданатын дәлдікке дейін өндіру олардың құнын едәуір арттырады.

Элементтік талдау сызықтары

Химиялық элементтерді талдау үшін қолданылатын спектрлік сызықтар олардың қарқындылығы, құралмен қолжетімділігі және сызықтардың қабаттаспауына қарай таңдалады. Типик сызықтар мен олардың толқын ұзындығы (нм) төмендегідей:
элемент сызық толқын ұзындығы (нм) элемент сызық толқын ұзындығы (нм) элемент сызық толқын ұзындығы (нм) элемент сызық толқын ұзындығы (нм)LiKα22.8 NiKα10.1658 ILα10.3149 PtLα10.1313BeKα11.4 CuKα10.1541 XeLα10.3016 AuLα10.1276BKα6.76 ZnKα10.1435 CsLα10.2892 HgLα10.1241CKα4.47 GaKα10.1340 BaLα10.2776 TlLα10.1207NKα3.16 GeKα10.1254 LaLα10.2666 PbLα10.1175OKα2.362 AsKα10.1176 CeLα10.2562 BiLα10.1144FKα1,21.832 SeKα10.1105 PrLα10.2463 PoLα10.1114NeKα1,21.461 BrKα10.1040 NdLα10.2370 AtLα10.1085NaKα1,21.191 KrKα10.09801 PmLα10.2282 RnLα10.1057MgKα1,20.989 RbKα10.09256 SmLα10.2200 FrLα10.1031AlKα1,20.834 SrKα10.08753 EuLα10.2121 RaLα10.1005SiKα1,20.7126 YKα10.08288 GdLα10.2047 AcLα10.0980PKα1,20.6158 ZrKα10.07859 TbLα10.1977 ThLα10.0956SKα1,20.5373 NbKα10.07462 DyLα10.1909 PaLα10.0933ClKα1,20.4729 MoKα10.07094 HoLα10.1845 ULα10.0911ArKα1,20.4193 TcKα10.06751 ErLα10.1784 NpLα10.0888KKα1,20.3742 RuKα10.06433 TmLα10.1727 PuLα10.0868CaKα1,20.3359 RhKα10.06136 YbLα10.1672 AmLα10.0847ScKα1,20.3032 PdKα10.05859 LuLα10.1620 CmLα10.0828TiKα1,20.2749 AgKα10.05599 HfLα10.1570 BkLα10.0809VKα10.2504 CdKα10.05357 TaLα10.1522 CfLα10.0791CrKα10.2290 InLα10.3772 WLα10.1476 EsLα10.0773MnKα10.2102 SnLα10.3600 ReLα10.1433 FmLα10.0756FeKα10.1936 SbLα10.3439 OsLα10.1391 MdLα10.0740CoKα10.1789 TeLα10.3289 IrLα10.1351 NoLα10.0724

Нақты сынама түрі мен қолданылатын құралға байланысты басқа да сызықтар жиі қолданылады.

Құралдың біліктілігі

2001 жылғы шолу сапаны бақылау/қамтамасыз ету (QA/QC) тұрғысынан портативті құралдарды қолдану мәселелерін қарастырады. Егер нормативтік талаптарға сәйкестік нұсқаулары қолжетімді болмаса, стандартты операциялық процедуралар (СОП) жиынтығын әзірлеуге арналған нұсқаулық ұсынады.