Кіріспе

Конденсацияланған материя физикасында Ферми бетінің ішінара энергиялық саңылауы бар күй

Конденсацияланған материя физикасында псевдосаңылау – материалдың Ферми бетінде ішінара энергиялық саңылаудың болуын сипаттайтын күй, мысалы, Ферми бетінің белгілі бір нүктелерде ғана саңылаулары бар жолақты құрылым күйі. Псевдогап терминін 1968 жылы Невилл Мотт Ферми деңгейіндегі күйлердің тығыздығының минимумдауын көрсету үшін қолданды, N(EF), ол бір атомдағы электрондар арасындағы Кулон итеркілесуінен, ретсіз материалдағы жолақтық саңылаудан немесе олардың комбинациясынан туындайды. Қазіргі заманғы контексте псевдосаңылау – жоғары температуралық суперөткізгіштік саласындағы термин, ол энергия диапазонына (әдетте Ферми деңгейіне жақын) қатысты, оған өте аз күйлер сәйкес келеді. Бұл нақты "саңылауға" өте ұқсас, ол рұқсат етілген күйлерді қамтымайтын энергия диапазоны болып табылады. Мұндай саңылаулар, мысалы, электрондар тормен өзара әрекеттескенде ашылады. Псевдосаңылау құбылысы фазалық диаграмманың купраттық жоғары температуралық суперөткізгіштерге тән аймағында байқалады, ол суперөткізгіштікке өту температурасынан жоғары температурада жетілмеген үлгілерде кездеседі. Тек белгілі бір электрондар ғана осы саңылауды "көреді". Оқшаулану күйімен байланысты болуы тиіс бұл саңылау тек мыс-оттегі байланыстарына параллель қозғалатын электрондар үшін ғана бар. Осы байланысқа 45° бұрышпен қозғалатын электрондар кристалда еркін қозғала алады. Сондықтан Ферми беті Бриллуэн аймағының бұрышында орналасқан қалталарды құрайтын Ферми доғаларынан тұрады. Псевдосаңылау фазасында температура төмендегенде бұл доғалар біртіндеп жоғалады, сонда Бриллуэн аймағының диагональдеріндегі төрт нүкте ғана саңылаусыз қалады. Бір жағынан, бұл қол жетімді күйлерді жұтатын және жұптасуға және суперөткізгіштікке айналуға тек бірнешеуін қалдыратын мүлдем жаңа электрондық фазаны білдіруі мүмкін. Екінші жағынан, осы ішінара саңылау мен суперөткізгіштік күйдегі ұқсастық псевдосаңылаудың алдын ала құрылған Купер жұптарынан пайда болатынын көрсетеді. Соңғы уақытта псевдосаңылау күйі TiN, NbN немесе ұсақ түйіршікті алюминий сияқты күшті бұзылған дәстүрлі суперөткізгіштерде де хабарланды.

Эксперименттік дәлелдер

Псевдоауақты бірнеше түрлі эксперименттік әдістермен байқауға болады. Алғашқы байқаулардың бірі H. Alloul және авторлар тобының YBa2Cu3O6+x материалының ЯМР (ядролық магниттік резонанс) өлшеулерінде, сондай-ақ Loram және авторлар тобының қалыпты жылу сыйымдылығы өлшеулерінде тіркелді. Псевдоауақ ARPES (бұрыш бойынша шешілген фотоэмиссиялық спектроскопия) және STM (сканерлік туннельдік микроскопия) деректерінде де көрінеді, олар материалдағы электрондардың күй тығыздығын өлшеуге мүмкіндік береді.

Механизм

Псевдоауыздың шығу тегі даулы және әлі күнге дейін конденсирленген заттар қауымдастығында талқыланып келеді. Екі негізгі түсінік қалыптасты:

1. Алдын ала қалыптасқан жұптар сценарийі
Бұл сценарийде электрондар суперөткізгіштік пайда болатын Tс критикалық температурасынан әлдеқайда жоғары T* температурасында жұптар құрайды. T* шамамен 300 K мәндері аз дозаланған купраттарда өлшенді, онда Tс шамамен 80 K-қа тең.

T* температурасында суперөткізгіштік пайда болмайды, себебі жұптасу өрісінің үлкен фазалық флуктуациялары осы температурада реттелмейді. Псевдоауыз содан кейін жұптасу өрісінің когерентсіз флуктуацияларынан пайда болады. Псевдоауыз – жергілікті, динамикалық жұптасу корреляцияларының нәтижесінде пайда болатын суперөткізгіштік аралығының қалыпты күйдегі белгісі. Бұл көзқарасқа тартымды жұптасу моделінің нақты жылу эксперименттеріне сандық тәсілі қолдау көрсетеді. 2. Суперөткізгіштікке қатысы жоқ псевдоауыз сценарийі
Бұл сценарийлер класында электрондық жолақтардың қалыптасуы, антиферромагниттік реттелу, немесе суперөткізгіштікпен бәсекелесетін басқа экзотикалық рет параметрлері сияқты көптеген әртүрлі мүмкін шығу тегі ұсынылған.