Введение

Состояние, при котором поверхность Ферми имеет частичный энергетический разрыв в физике конденсированного состояния.

В физике конденсированного состояния псевдоразрыв описывает состояние, в котором поверхность Ферми материала обладает частичным энергетическим разрывом, например, состояние зонной структуры, при котором поверхность Ферми имеет разрыв только в определенных точках. Термин «псевдоразрыв» был введен Невиллом Мотом в 1968 году для обозначения минимума плотности состояний на уровне Ферми, N(E<sub>F</sub>), возникающего из-за кулоновского отталкивания между электронами в одном и том же атоме, энергетического разрыва в неупорядоченном материале или их комбинации. В современном контексте псевдоразрыв – это термин из области высокотемпературной сверхпроводимости, который относится к энергетическому диапазону (обычно вблизи уровня Ферми), с которым связано очень мало состояний. Это очень похоже на настоящий «разрыв», который представляет собой энергетический диапазон, не содержащий разрешенных состояний. Такие разрывы возникают, например, при взаимодействии электронов с кристаллической решеткой. Феномен псевдоразрыва наблюдается в области фазовой диаграммы, характерной для купратных высокотемпературных сверхпроводников, существующей в недостаточно легированных образцах при температурах выше температуры сверхпроводящего перехода. Только определенные электроны «видят» этот разрыв. Разрыв, который должен быть связан с изолирующим состоянием, существует только для электронов, движущихся параллельно медно-кислородным связям. Электроны, движущиеся под углом 45° к этой связи, могут свободно перемещаться по всему кристаллу. Таким образом, поверхность Ферми состоит из фермиевских дуг, формирующих карманы, центрированные на углах зоны Бриллюэна. В фазе псевдоразрыва эти дуги постепенно исчезают при понижении температуры, пока не останутся незатронутыми только четыре точки на диагоналях зоны Бриллюэна. С одной стороны, это может указывать на совершенно новую электронную фазу, которая поглощает доступные состояния, оставляя лишь немногие для образования пар и сверхпроводимости. С другой стороны, сходство между этим частичным разрывом и разрывом в сверхпроводящем состоянии может указывать на то, что псевдоразрыв является результатом предварительно сформированных куперовских пар. Недавно о состоянии псевдоразрыва также сообщалось в сильно дефектных обычных сверхпроводниках, таких как TiN, NbN или гранулированный алюминий.

Экспериментальные данные

Псевдоразрыв можно наблюдать с помощью различных экспериментальных методов. Одним из первых наблюдений стало выявление псевдоразрыва в измерениях ЯМР (Ядерного магнитного резонанса) YBa2Cu3O6+x группой H. Alloul и в измерениях удельной теплоемкости, проведенных группой Loram. Псевдоразрыв также проявляется в данных, полученных методами ARPES (спектроскопия фотоэмиссии с угловым разрешением) и STM (сканирующий туннельный микроскоп), которые позволяют измерять плотность электронных состояний в материале.

Механизм

Происхождение псевдоразрыва остаётся спорным и до сих пор является предметом дискуссий в сообществе физики конденсированного состояния. Вырисовываются два основных объяснения:

1. Сценарий предварительно сформированных пар
В рамках этого сценария электроны образуют пары при температуре T*, которая может быть значительно выше критической температуры Tc, при которой возникает сверхпроводимость. Значения T* порядка 300 K были измерены в недостаточно легированных купратах, где Tc составляет около 80 K.

Сверхпроводимость не возникает при T* из-за того, что большие фазовые флуктуации поля спаривания не могут упорядочиться при этой температуре. Псевдоразрыв, таким образом, возникает вследствие некогерентных флуктуаций поля спаривания. Псевдоразрыв является предшественником сверхпроводящего разрыва в нормальном состоянии, обусловленным локальными, динамическими корреляциями спаривания. Эта точка зрения подкрепляется количественным анализом модели притягательного спаривания применительно к экспериментам по удельной теплоёмкости. 2. Сценарий псевдоразрыва, не связанного со сверхпроводимостью
В этом классе сценариев было предложено множество различных возможных причин его возникновения, таких как формирование электронных полос, антиферромагнитное упорядочение или другие экзотические параметры порядка, конкурирующие со сверхпроводимостью.