Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Кіріспе
Жүгіретін дене эффектісі – кремнийді изолятор (SOI) технологиясымен жасалған транзистордың дене потенциалының, оның кернеулену тарихы мен заряд тасымалдаушылардың рекомбинация процестеріне тәуелділігі. Транзистордың денесі оқшауланған негізге қарсы конденсатор құрайды. Заряд осы конденсаторда жиналады және жағымсыз әсерлерге алып келуі мүмкін, мысалы, құрылымдағы паразиттік транзисторлардың ашылуы және өшірілген кезде ток ағып кетуі, нәтижесінде ток тұтынудың артуы және DRAM жағдайында жад жасушаларынан ақпараттың жоғалуы. Бұл эффект тарих эффектісін де тудырады, яғни транзистордың шекті кернеуінің оның бұрынғы күйлеріне тәуелділігін. Аналогтық құрылғыларда жүгіретін дене эффектісі бұрылу эффектісі деп аталады. Жүгіретін дене эффектісіне қарсы шаралардың бірі – толықтай толыққан (FD) құрылғыларды қолдану. FD құрылғыларындағы изолятор қабаты арнаның азайту енінен едәуір жұқа болады. Сондықтан транзисторлардың заряды және дене потенциалы да бекітіледі. Дегенмен, FD құрылғыларында қысқа арна эффектісі нашарлайды, егер бастапқы және аяқтағы электродтар жоғары болса, дене әлі де зарядтала алады, ал архитектура денемен байланыс қажет болатын кейбір аналогтық құрылғыларға сәйкес келмейді. Гибридтік траншеялық оқшаулау – тағы бір тәсіл. Жүгіретін дене эффектісі SOI DRAM чиптерінде мәселе тудырса да, ол Z RAM және T RAM технологияларының негізгі принципі ретінде пайдаланылады. Осы себепті бұл эффекті осы технологиялар контекстінде кейде «Сүкіршік эффектісі» деп аталады, өйткені ол кемшілікті артықшылыққа айналдырады. AMD және Hynix Z RAM лицензиясын алды, бірақ 2008 жылға дейін оны өндіріске енгірген жоқ. Ал Intel-де жетілдірілгені – «Floating Body Cell» (FBC).
The floating body effect is the effect of dependence of the body potential of a transistor realized by the silicon on insulator (SOI) technology on the history of its biasing and the carrier recombination processes. The transistor's body forms a capacitor against the insulated substrate. The charge accumulates on this capacitor and may cause adverse effects, for example, opening of parasitic transistors in the structure and causing off state leakages, resulting in higher current consumption and in case of DRAM in loss of information from the memory cells. It also causes the history effect, the dependence of the threshold voltage of the transistor on its previous states. In analog devices, the floating body effect is known as the kink effect. One countermeasure to floating body effect involves use of fully depleted (FD) devices. The insulator layer in FD devices is significantly thinner than the channel depletion width. The charge and thus also the body potential of the transistors is therefore fixed. However, the short channel effect is worsened in the FD devices, the body may still charge up if both source and drain are high, and the architecture is unsuitable for some analog devices that require contact with the body. Hybrid trench isolation is another approach. While floating body effect presents a problem in SOI DRAM chips, it is exploited as the underlying principle for Z RAM and T RAM technologies. For this reason, the effect is sometimes called the Cinderella effect in the context of these technologies, because it transforms a disadvantage into an advantage. AMD and Hynix licensed Z RAM, but as of 2008 had not put it into production. and refined at Intel is Floating Body Cell (FBC).