Полупроводниктік құрылғылар
-
Транзистор: Электр сигнал күшейткіш және қосқыш құрылғысының тарихы
Транзистор – электрондық сигналдарды күшейтуге және коммутацияға қолданылатын жартылай өткізгіш құрылғы. Электрониканың негізгі бөлігі!
-
Көп транзисторлы интегралды схемалар жасау және даму тарихы
Үлкен интеграция (VLSI) технологиясы – миллиондаған транзисторды бір чипке біріктіріп, күрделі микроэлектроника құрылғыларын жасау. Микропроцессорлар, жад чиптері.
-
Молекулалық электроника және кванттық механика
Молекулярлық электроника: химия, физика, материалтанудың тоғысқан нүктесі. Электрондық құрылғыларды жасауда молекулалық құрылымдардың қолданылуы, Moore заңының шегінен өту мүмкіндігі.
-
Интегралдық схемалар сыйымдылығының өсуіне қатысты байқаулар
Интегралды схемалардың сыйымдылығының өсуі: Мур заңы – транзисторлар санының 2 жылда еселеніп өсуі. Технологиялық даму тарихы, өндіріс тәжірибесі.
-
Жұқа қабатты транзисторлар: Құрылысы мен қолданылуы
Жұмыс істеу принципі, қолданылуы мен артықшылықтарын қарастыратын JFET транзисторлары туралы мақала. Электронды ажыратқыштар, күшейткіштер үшін өте қолайлы!
-
Электрон мен тесікті қолданатын транзистор
Биполярлық транзистор: Электрон мен тесіктерді пайдаланатын құрылғы. Қолдану, құрылысы, күшейту және коммутация қағидаттары туралы біліңіз.
-
Интегралдық микросхемаларды құрастыру технологиясы
CMOS технологиясы – интегралдық схемалар (микропроцессорлар, жад чиптері) жасаудағы маңызды технология. Құрылысы, тарихы және қолданылу аймақтары туралы біліңіз.
-
Жадының EPROM түрі: өшірілетін және қайта бағдарланатын жад чипі
EPROM жад туралы: қалай жұмыс істейді, деректерді сақтау, өшіру үшін ультракүлгін сәуле қажеттігі. Компьютер жадының түрі, маңызды ақпарат!
-
Микрометрлік технологиялар және микроэлектромеханикалық жүйелер (MEMS)
Микротехнология: 1 микрометрлік құрылғылар, транзисторлар, өндіріс процестері, ақпарат революциясы. Бұл технологияның артықшылықтары мен болашағы.
-
Микротолқынды интегралдық схемалар: Технологиялар мен қолданылуы
Микроволновая интегральная схема (MMIC) – микрочип для частот 300МГц-300ГГц. Усилители, микшеры, переключатели. 50 Ом импеданс для простоты использования.
-
Жарымөткішгіш технология: Биполярлық CMOS (BiCMOS) туралы
БиCMOS технологиясы: биполярлық транзисторлар мен CMOS логикасын біріктіріп, жылдам, қуатты аналогтық күшейткіштер мен төмен қуатты логикалық схемалар құруға мүмкіндік береді.
-
Кремний-германий қоспасы: қасиеттері мен қолданылуы
SiGe – кремний-германий қоспасы, жартылай өткізгіш материал. Интегралды схемаларда, транзисторларда & термоэлектрлік қолданыста кеңінен қолданылады.
-
Жарымөткіштер өндірісінде изолятордағы кремний технологиясы
Жартылай өткізгіш өндірісіндегі SOI технологиясы: құрылғылардың өнімділігін арттыру үшін кремний-изолятор-кремний қабаттары, артық сыйымдылықты азайту.
-
Металл-жартылайөткішгіштік өріс транзисторы (MESFET) туралы
MESFET транзисторы: құрылысы, артықшылықтары, қолданылуы (45 ГГц дейін). Галлий арсениді, кремний карбиді негізінде жасалған, жоғары жиілікті байланыс құралдарында қолданылады.
-
Жоғары Электронды Көшпелді Транзисторлар: Қолданылуы мен Технологиясы
Жоғары электронда жылдамдығы бар транзистор (HEMT): құрылымы, қолданылуы, артықшылықтары. Алғашқы рет GaAs/AlGaAs, сосын GaN материалдары қолданылады. Биік жиілікте жұмыс істейді.
-
Наноэлектромеханикалық жүйелер: Нанотехнологияның болашағы
Наноэлектромеханикалық жүйелер (NEMS) – нанодеңгейде электр және механикалық функцияларды біріктіретін құрылғылар. Сенсорлар, датчиктерде қолданылады.
-
Жартылай өткізгіш өндірісінде төмен κ диэлектриктері
Жартылайөткішгіш өндірісте төмен κ диэлектриктері Moore заңының сақталуына көмектеседі. Құрылғылардың жылдамдығын арттырып, жылуды азайтады.
-
Қуатты жартылай өткізгіш құрылғылардың қауіпсіз жұмыс аймағының сипаттамасы
Жарымжетекгіш құрылғылардың қауіпсіз жұмыс аймағы (SOA) – бұл құрылғының бұзылусыз жұмыс істеуі үшін кернеу және ток шарттары. Техникалық сипаттамалар, графикалық түрде көрсетіледі.
-
90 нм технологиялық түйін: Жартылай өткізгіш өндірісінің дамуы
90нм технологиясы – жартылай өткізгіш құрылғыларды жасаудағы маңызды кезең. 130нм-ден жақсы, 65нм, 45нм-ге дейін жетілді. Өндірушілер: Intel, Samsung, TSMC.
-
Баллистикалық шағылыстыру транзисторлары: Жаңа буын электрондық құрылғылар
Жаңа буынды баллистикалық бұрылыс транзисторлары (BDT) – жоғары жылдамдықты интегралды схемалар үшін электроникалық құрылғы. Электронды басқару, жылдамдық, қуат үнемдеу.
-
Транзистордың өткізгіштік шегі және қақпалық кернеу
Транзистордың өткізгіштік шегі (Vth): ток жүргізу үшін қажетті ең төменгі қақпа-көз кернеуі. Жылдамдық, қуат тиімділігі үшін маңызды.
-
Транзисторларды алмастыруға арналған қиылыс тіреуіш технологиясы
Кроссбар құлтылдағышы: транзисторларды алмастыруға бағытталған HP Labs технологиясы. Интегралды схемалар мен есептеу жүйелерінде қолданылуы мүмкін.
-
Қанатты транзистор: Жалпақ емес құрылым және қазіргі заманғы технологиясы
FinFET транзисторы: құрылымы, артықшылықтары, қолданылуы. Жоғары жылдамдық, үлкен ток тығыздығы, наноэлектроникадағы маңызды рөлі.
-
Органикалық далалық эффекті транзисторлары: даму тарихы мен қолданылуы
Органикалық өріс транзисторы (OFET) – арзан, үлкен аудандағы электроника жасауға арналған құрылғы. Дайындалу жолдары, геометриясы туралы ақпарат.
-
Гетерожұрнақты биполярлық транзистор: Қасиеттері мен қолданылуы
Гетеропереходтық биполярлық транзистор (HBT) – жоғары жиілікті сигналдарды өңдеуге арналған, қуатты тиімді құрылғы. RF жүйелерінде қолданылады.
-
65 нм технологиясы: CMOS өндірісіндегі жетістіктер мен қиындықтар
65нм CMOS технологиясы: Жартылай өткізгіштерді жасаудағы ең озық литографиялық түйін. 25нм дейін сызық ені, 130нм аралық. Intel, AMD және т.б. өндірушілер.
-
Ионға сезімтал өріс транзисторы және оның қолданылуы
Иондық сезімталдығы жоғары транзистор (ISFET) – ерітіндідегі иондар концентрациясын өлшеуге арналған құрылғы. Биосенсор ретінде қолданылады.
-
Процессорлық ядроның вольтажы: қағидалары мен тенденциялары
Процессордың VCORE кернеуі – CPU, GPU немесе өңдеу ядросы бар кез келген құрылғыға берілетін қуат көзі. Жылуды басқару және қуатты үнемдеу үшін динамикалық реттеу мүмкіндігі бар.
-
Жоғары диэлектрлік тұрақтысы бар материалдар (Жоғары κ диэлектриктері)
Жартылайөткізгіштерде жоғары диэлектрлік тұрақтысы (high-κ) бар материалдар SiO2-нің орнына қолданылады. Бұл микроэлектрониканы кішірейтуге көмектеседі.
-
Созылған кремний технологиясы және оның қолданылуы
Созды силиций – транзисторлардың жылдамдығын арттыратын, энергия тұтынуын азайтатын технология. Чип өнімділігін жақсартады.
-
Қуатты MOSFET транзисторлары: даму тарихы мен қолданылуы
Қуатты MOSFET транзисторлары: артықшылықтары, жылдамдық, тиімділік, басқару оңайдығы. IGBT және тиристорлардан қалай ерекшеленеді? Толық ақпарат!
-
#360235 (мақала жоқ)
-
Электрондық құрылғыдағы физикалық процестерді модельдеу
Транзисторларды модельдеу: электрондық құрылғылардағы физикалық процестерді симуляциялау, құрылымдық ерекшеліктері мен қанағатты жұмыс істеуі.
-
Екі өлшемді электрондық газ және оның қасиеттері
Физика жартылай өткішгіштердегі 2D электрондық газ (2DEG) – қозғалысы екі өлшемде еркін, үшіншісінде шектелген электрондық жүйе. Қасиеттері мен қолданысы.
-
ХимFET: Химиялық концентрацияны өлшеуге арналған өрістік эффект транзисторы
ХимFET – ерітіндідегі химиялық концентрацияны өлшеуге арналған сезімтал транзистор. Аналит концентрациясы өзгере қалғанда ток күші өзгеріп, нақты нәтиже береді.
-
Жылжымалы дене әсері: Силиций изоляторы технологиясындағы транзисторлардың ерекшелігі
Транзисторлардың (SOI технологиясы) жүзуші дене әсері: кернеу тарихы, тасымалдаушы рекомбинациясы, паразиттік тоқтар, жад жоғалтуы, еңбек әсері.
-
32 нм технологиясы: Даму тарихы мен ерекшеліктері
32 нм технологиясы – CMOS микросхемаларындағы 45 нм процесінен кейінгі кезең. Intel, AMD, Toshiba және IBM микрочиптерінде қолданылды. Жаңа технология туралы біліңіз!
-
Semiconductor device modeling
-
Distributed amplifier