Кіріспе

Тентеллурид – қалайы мен теллурдың (SnTe) қосылысы; IV-VI тар жолақты жартылай өткізгіш және 0,18 ЭВ тікелей жолақты аралығына ие. Ол көбінесе қорғасынмен қорытылып, қорғасын-қалайы теллуридін жасау үшін қолданылады, ол инфрақызыл детектор материалы ретінде пайдаланылады. Қалайы теллурид әдетте қалайының бос орындарының нәтижесінде p-типіндегі жартылай өткізгіш (Extrinsic semiconductor) болып табылады және төмен температурадағы суперөткізгіштің қасиеттерін көрсетеді. SnTe үш кристалл фазада кездеседі. Төмен температурада, тесік тасымалдаушылардың концентрациясы 1,5x1020 см−3-тен кем болғанда, қалайы теллурид ромбоэдрлік фазада, сондай-ақ α SnTe ретінде танылады. Бөлме температурасында және атмосфералық қысымда қалайы теллурид NaCl сияқты кубикалық кристалл фазасында, β SnTe ретінде болады. Ал 18 кбар қысымда β SnTe, γ SnTe, орторомбтық фазаға, кеңістіктік тобы Pnma, өзгереді. Бұл фазалық өзгеріс γ SnTe үшін тығыздықтың 11 пайызға және кедергінің 360 пайызға артуымен сипатталады. Қалайы теллурид – термоэлектрлік материал. Теориялық зерттеулер n-типінің өнімділігі ерекше жақсы болуы мүмкін екенін көрсетеді.

Термиялық қасиеттері

Формацияның стандартты энтальпиясы: 14,6 ± 0,3 ккал/моль 298 К-та
Сублимацияның стандартты энтальпиясы: 52,1 ± 1,4 ккал/моль 298 К-та
Жылу сыйымдылығы: 12,1 + 2,1 x 10−3 T кал/градус
SnTe(g) > Sn(g) + Te(g) реакциясы үшін байланыс үзілу энергиясы: 80,6 ± 1,5 ккал/моль 298 К-та
Энтропия: 24,2 ± 0,1 кал/моль·градус
Sn2Te2 > 2SnTe(g) реакциясы үшін димеризацияның энтальпиясы: 46,9 ± 6,0 ккал/моль

Қолданбалар

Жалпы, Pb қызықты оптикалық және электрондық қасиеттерге қол жеткізу үшін SnTe-мен қорытылады. Бұған қоса, кванттық шектеудің нәтижесінде SnTe-нің энергиялық тізілімдері арасындағы айырмасы көлемдік айырмадан артығып, ортағы инфрақызыл толқын ұзындығы диапазонын қамтиды. Қорытылған материал орта инфрақызыл фотодетекторларда және термоэлектрлік генераторларда қолданылады.