Кіріспе
Химиядағы аналитикалық техника. Электрондық спектроскопия – фотоэлектрон және Аугер электрондары сияқты шығарылған электрондардың энергиясын талдау негізінде құрылған техникалар тобы. Бұл топқа рентгендік фотоэлектрондық спектроскопия (XPS), сонымен қатар химиялық талдау үшін электрондық спектроскопия (ESCA) деп те аталатын, электронды энергия жоғалту спектроскопиясы (EELS), ультракүлгін фотоэлектрондық спектроскопиясы (UPS) және Аугер электрондық спектроскопиясы (AES) кіреді. Бұл аналитикалық техникалар сынаманың бетінен элементтерді және олардың электрондық құрылымдарын анықтау үшін қолданылады. Сынамалар қатты, газ немесе сұйық күйде болуы мүмкін. Химиялық ақпарат тек сынамадағы ең жоғарғы атомдық қабаттардан (тереңдігі 10 нм немесе одан аз) алынады, себебі Аугер электрондары мен фотоэлектрондардың энергиясы өте төмен, әдетте 20–2000 эВ құрайды. Осы себепті электрондық спектроскопия техникалары беткі химиялық заттарды талдау үшін қолданылады. Көптеген жетілдірулер мен Екінші дүниежүзілік соғыстан кейін, Каи Зигбан (1981 жылы Нобель сыйлығы) Швецияның Уппсала қаласындағы зерттеу тобымен бірге 1954 жылы жоғары энергиялық ажыратымдылыққа ие XPS спектрін тудыратын алғашқы XPS құрылғысын тіркеді. 1967 жылы Зигбан XPS және оның қолданылуы туралы толық зерттеу жариялады, оны химиялық талдау үшін электрондық спектроскопия (ESCA) деп атады. Зигбанның жұмысымен бірге 1962 жылы Лондон Императорлық колледжінде (кейін Оксфорд университетінде) Дэвид В. Тернер гелий лампаларын пайдаланып молекулалық түрлер үшін ультракүлгін фотоэлектрондық спектроскопияны (UPS) жасады.
Electron spectroscopy refers to a group formed by techniques based on the analysis of the energies of emitted electrons such as photoelectrons and Auger electrons. This group includes X ray photoelectron spectroscopy (XPS), which also known as Electron Spectroscopy for Chemical Analysis (ESCA), Electron energy loss spectroscopy (EELS), Ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS), and Auger electron spectroscopy (AES). These analytical techniques are used to identify and determine the elements and their electronic structures from the surface of a test sample. Samples can be solids, gases or liquids. Chemical information is obtained only from the uppermost atomic layers of the sample (depth 10 nm or less) because the energies of Auger electrons and photoelectrons are quite low, typically 20 2000 eV. For this reason, electron spectroscopy techniques are used to analyze surface chemicals. After numerous developments and the Second World War, Kai Siegbahn (Nobel Prize in 1981) with his research group in Uppsala, Sweden registered in 1954 the first XPS device to produce a high energy resolution XPS spectrum. In 1967, Siegbahn published a comprehensive study of XPS and its usefulness, which he called electron spectroscopy for chemical analysis (ESCA). Concurrently with Siegbahn's work, in 1962, David W. Turner at Imperial College London (and later Oxford University) developed ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) for molecular species using a helium lamp.
Негізгі теория
Электрондық спектроскопияда, техникаға байланысты, рентген фотондары, электрондық сәуле электрондары немесе ультракүлгін сәуле фотондары сияқты жоғары энергиялы бөлшектермен үлгіні сәулелендіру нәтижесінде Аугер электрондары мен фотоэлектрондар эмиссияланады. 1-суретте бұл бір бөлшектің негізінде көрсетілген, мысалы, белгілі бір энергия диапазонынан (E=hν) келетін рентген фотоны атомның ішкі қабығындағы электронға өзінің энергиясын береді. Фотонды сіңіру нәтижесінде туындаған электрон эмиссиясы атомдық қабықта бос орын қалдырады (1 (а) суретін қараңыз). Бұл бос орын екі жолмен толтырылуы мүмкін, соның нәтижесінде әр элементке тән ерекше сәулелер пайда болады. Жоғары энергия деңгейіндегі қабықтағы электрон бос орынды толтырғанда, флуоресценттік фотон эмиссияланады (1 (b) суреті). Аугер құбылысында жоғары энергия деңгейіндегі қабықтағы электрон бос орынды толтырады, бұл жақын орналасқан электронды эмиссиялауға себеп болады, нәтижесінде Аугер электроны пайда болады (1 (с) суреті). Жоғарыда айтылғандардан және 1-суреттен көрініп тұрғанындай, Аугер электрондары мен фотоэлектрондар физикалық жағынан өзгеше, бірақ екі түрлі электрон да материалдың бетіндегі химиялық элементтер туралы ұқсас ақпаратты береді. Әр элементтің өзіне тән Аугер электроны немесе фотоэлектронының энергиясы болады, олардың көмегімен оларды анықтауға болады. Фотоэлектронның байланыс энергиясын төмендегі формула арқылы есептеуге болады: мұндағы Ebinding – фотоэлектронның байланыс энергиясы, hν – келіп түсетін сәулелену бөлшегінің энергиясы, Ekinetic – құрылғымен өлшенген фотоэлектронның кинетикалық энергиясы және – жұмыс функциясы. Аугер электронының кинетикалық энергиясы Аугер процесіне қатысатын электрон қабықтарының байланыс энергиясы арасындағы айырмаға шамамен тең. Оны былай есептеуге болады: мұндағы Ekinetic – Аугер электронының кинетикалық энергиясы, hν – келіп түсетін сәулелену бөлшегінің энергиясы, EB – бірінші сыртқы қабықтың байланыс энергиясы және EC – екінші сыртқы қабықтың байланыс энергиясы.
where Ekinetic is the kinetic energy of the Auger electron, hν is the energy of the incoming radiation particle and EB is first outer shell binding energy and EC is second outer shell binding energies.