Введение
Аналитическая техника в химии. Электроспектроскопия – это группа методов, основанных на анализе энергий испускаемых электронов, таких как фотоэлектроны и электроны Оже. Эта группа включает в себя рентгеновскую фотоэлектронную спектроскопию (XPS), также известную как электронная спектроскопия для химического анализа (ESCA), спектроскопию потерь энергии электронов (EELS), ультрафиолетовую фотоэлектронную спектроскопию (UPS) и спектроскопию электронов Оже (AES). Эти аналитические методы используются для идентификации и определения элементов и их электронной структуры с поверхности исследуемого образца. Образцы могут быть твердыми, газообразными или жидкими. Химическая информация получается только из верхних атомных слоев образца (глубина 10 нм или менее), поскольку энергии электронов Оже и фотоэлектронов относительно невелики, обычно от 20 до 2000 эВ. По этой причине методы электроспектроскопии используются для анализа поверхностных химических соединений. После многочисленных разработок и Второй мировой войны, Кай Зигбан (Нобелевская премия 1981 года) со своей исследовательской группой в Уппсале, Швеция, в 1954 году зарегистрировал первое устройство XPS, способное получать спектры XPS с высоким энергетическим разрешением. В 1967 году Зигбан опубликовал всестороннее исследование XPS и его применимости, назвав это электронной спектроскопией для химического анализа (ESCA). Параллельно с работой Зигбана, в 1962 году Дэвид В. Тернер в Имперском колледже Лондона (а затем в Оксфордском университете) разработал ультрафиолетовую фотоэлектронную спектроскопию (UPS) для изучения молекулярных видов с использованием гелиевой лампы.
Electron spectroscopy refers to a group formed by techniques based on the analysis of the energies of emitted electrons such as photoelectrons and Auger electrons. This group includes X ray photoelectron spectroscopy (XPS), which also known as Electron Spectroscopy for Chemical Analysis (ESCA), Electron energy loss spectroscopy (EELS), Ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS), and Auger electron spectroscopy (AES). These analytical techniques are used to identify and determine the elements and their electronic structures from the surface of a test sample. Samples can be solids, gases or liquids. Chemical information is obtained only from the uppermost atomic layers of the sample (depth 10 nm or less) because the energies of Auger electrons and photoelectrons are quite low, typically 20 2000 eV. For this reason, electron spectroscopy techniques are used to analyze surface chemicals. After numerous developments and the Second World War, Kai Siegbahn (Nobel Prize in 1981) with his research group in Uppsala, Sweden registered in 1954 the first XPS device to produce a high energy resolution XPS spectrum. In 1967, Siegbahn published a comprehensive study of XPS and its usefulness, which he called electron spectroscopy for chemical analysis (ESCA). Concurrently with Siegbahn's work, in 1962, David W. Turner at Imperial College London (and later Oxford University) developed ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) for molecular species using a helium lamp.
Основная теория
В электронной спектроскопии, в зависимости от метода, облучение образца высокоэнергетическими частицами, такими как фотоны рентгеновского излучения, электроны электронного пучка или фотоны ультрафиолетового излучения, вызывает эмиссию электронов Аугера и фотоэлектронов. На рисунке 1 это проиллюстрировано на примере одной частицы, где, например, входящий фотон рентгеновского излучения из определенного энергетического диапазона (E=hν) передает свою энергию электрону во внутренней оболочке атома. Поглощение фотона вызывает эмиссию электрона, оставляя вакансию в атомной оболочке (см. рисунок 1 (a)). Вакансия может быть заполнена двумя способами, формируя различные характеристические лучи, специфичные для каждого элемента. Когда электрон из оболочки с более высоким энергетическим уровнем заполняет вакансию, излучается флуоресцентный фотон (рисунок 1 (b)). В явлении Аугера электрон из оболочки с более высоким энергетическим уровнем заполняет вакансию, что приводит к эмиссии соседнего или близлежащего электрона, формируя электрон Аугера (рисунок 1 (c)). Как видно из вышесказанного и рисунка 1, электроны Аугера и фотоэлектроны различаются по своему физическому происхождению, однако оба типа электронов несут схожую информацию о химических элементах на поверхности материала. Каждый элемент имеет свою собственную характерную энергию электронов Аугера или фотоэлектронов, по которой их можно идентифицировать. Энергию связи фотоэлектрона можно рассчитать по следующей формуле: где Ebinding – энергия связи фотоэлектрона, hν – энергия падающей частицы излучения, Ekinetic – кинетическая энергия фотоэлектрона, измеренная прибором, а – работа выхода. Кинетическая энергия электрона Аугера приблизительно равна разности энергий связи электронных оболочек, участвующих в процессе Аугера. Это можно рассчитать следующим образом: где Ekinetic – кинетическая энергия электрона Аугера, hν – энергия падающей частицы излучения, EB – энергия связи первой внешней оболочки и EC – энергия связи второй внешней оболочки.
where Ekinetic is the kinetic energy of the Auger electron, hν is the energy of the incoming radiation particle and EB is first outer shell binding energy and EC is second outer shell binding energies.