Кіріспе

Күміс теллуриді (Ag2Te) – күмістің теллуриді, сондай-ақ дикүміс теллуриді немесе күміс(I) теллуриді деп те аталады. Ол моноклиндық кристалды құрайды. Жалпы мағынада, күміс теллуриді AgTe (күміс(II) теллуриді, тұрақсыз қосылыс) немесе Ag5Te3 белгілеу үшін де қолданылуы мүмкін. Күміс(I) теллуриді табиғатта гессит минералы ретінде кездеседі, ал күміс(II) теллуриді – импрессит деп белгілі. Күміс теллуриді – n және p типтерінде допингтелуі мүмкін жартылай өткізгіш. Стойхиометриялық Ag2Te n типінде өткізгіштікке ие. Қыздырғанда материалдан күміс буланып кетеді. Стойхиометриялық емес күміс теллуридінің магниттік кедергісі өте жоғары.

Синтез

Күмiс теллуридi (AgTe) электрохимиялық жинақтау тәсiлiмен синтезделедi. Тәжірибе потенциостат пен бөлме температурасында Ag нанобөлшектерiн қамтитын 200 мл 0,5 М күкірт қышқылының электролиттiк ерiтiндiсi бар үш электродты жасуша арқылы жүргiзуге болады. Содан кейін вольфрам дителлуридiнiң (WTe2) қосылысында қолданылатын күмiс пастасы электролитке сiңiп, аз мөлшерде Ag электролитте ерiйдi. Электролиттi магниттiк тағанмен араластырып, сутектi көпiршiктердi жоюға болады. Күмiс-күмiс хлорид электроды мен платина сымы эталондық және қарсы электродтар ретiнде пайдаланылуы мүмкiн. Барлық потенциалдар эталондық электродқа қатысты өлшенiп, ERHE = EAg/AgCl + .059 pH + .197 теңдеуi арқылы калибрленедi. Көлденең AgTe-дi өсiру үшiн WTe2 1,2 және 0 вольт арасында 100 мВ/с сканерлеу жылдамдығымен бiрнеше циклдiк вольтметрлiк әдiспен өңделедi. Глутатионмен қапталған Ag2Te нанобөлшектерiн 10 мМ AgNO3, 5 мМ Na2TeO3 және 30 мМ глутатион бар 9 мл ерiтiндi дайындау арқылы синтездеуге болады. Бұл ерiтiндi мұз ваннасына қойыңыз. Ерітiндiге N2H4 қосылып, реакцияны үнемі араластыра отырып, 5 минут бойы жүргізуге рұқсат етiледi. Нанобөлшектер үш рет центрифугалау арқылы жуылады, үш рет жуып болғаннан кейiн нанобөлшектер ПБС-те тоқтата тұрады және сол әдiспен тағы да жуылады.