Кіріспе

Қуат электроникасындағы субстраттың рөлі – электр тізбегін құруға қажетті қосылыстарды жасау (мысалы, баспалы схема тәрізді) және компоненттерді салқындату. Төмен қуатты микроэлектроникада қолданылатын материалдар мен технологияларға қарағанда, бұл субстраттар жоғары ток күшін өткізуге және жоғары кернеуден оқшаулауға (бірнеше мың вольтқа дейін) қабілетті болуы керек. Сонымен қатар, олар кең температуралық диапазонды (150 немесе 200 °C-қа дейін) қамтитын жағдайда жұмыс істеуі тиіс.

Активі металл пісірілген (AMB) субстрат

AMB металл фольгадан тұрады, ол керамикалық негізге құйма пастасы және жоғары температура (800 °C – 1000 °C) қолданылып, вакуумде қосылады. AMB электрлік қасиеттері DBC-ге өте ұқсас болғанымен, ерекше өндіріс процесінің талаптарына байланысты көбінесе шағын партиялармен шығарылады.

Металл субстратты оқшаулау (IMS)

IMS металл негіз тақтасынан (алюминий оның төмен құны мен тығыздығы себепті жиі қолданылады) диэлектриктің жұқа қабатымен (әдетте эпоксид негізді қабат) және мыс қабатымен (35 мкм-ден 200 мкм-ге дейін қалыңдығымен) жабылған. FR4 негізіндегі диэлектрик әдетте жұқа болады (шамамен 100 мкм), себебі DBC субстраттарында қолданылатын керамикаға қарағанда оның жылу өткізгіштігі нашар. Құрылымы бойынша IMS бір жақты субстрат болып табылады, яғни ол тек мыс жағында компоненттерді орналастыруға мүмкіндік береді. Көптеген қолданбаларда негіз тақтасы жылуды тарату үшін радиаторға бекітіледі, әдетте жылу пастасы және бұрандалар қолданылады. Кейбір IMS субстраттары жақсы жылу өткізгіштік үшін мыс негіз тақтасымен де қол жетімді. Классикалық басылған схемалық тақтамен салыстырғанда, IMS жақсырақ жылуды таратуды қамтамасыз етеді. Бұл бетке орнатылатын компоненттерді тиімді салқындатудың ең оңай жолдарының бірі.

Басқа субстраттар

Қуат құрылғылары тиісті жылу шығару құрылғысына (heatsink) орнатылғанда, жылу тиімді субстрат қажет болмайды. Классикалық баспа схемалық тақта (PCB) материалы қолданылуы мүмкін (бұл әдіс әдетте тесік арқылы орнатылатын компоненттермен қолданылады). Бұл төмен қуатты қолданбалар үшін де (бірнеше милливатттан бірнеше ваттқа дейін) дұрыс, себебі ПХБ-ны жылулық виалар немесе кең жолдарды пайдалану арқылы конвекцияны жақсарту арқылы термиялық жағынан күшейтуге болады. Бұл әдістің артықшылығы – көп қабатты ПХБ күрделі схемаларды жобалауға мүмкіндік береді, ал DBC және IMS көбінесе бір жақты технологиялар болып табылады. Төмен қуатты қолданбалар үшін икемді субстраттарды да пайдалануға болады. Олар Каптонды диэлектрик ретінде пайдаланып жасалғандықтан, жоғары температура мен жоғары кернеуге төтеп бере алады. Олардың икемділігі жылу циклдарынан туындаған зақымдарға төзімді етеді. Керамикалық субстраттар (қалың пленкалы технология) сенімділік ең маңызды болып табылатын кейбір қолданбаларда (мысалы, автомобиль өнеркәсібінде) да қолданылуы мүмкін. DCB-мен салыстырғанда, қалың пленкалы технология жобалау еркіндігінің жоғары деңгейін ұсынады, бірақ шығындар жағынан тиімді болмауы мүмкін. IMS, DBC және қалың пленкалы субстраттардың жылулық сипаттамалары Van Godbold, C., Sankaran, V. A. және Hudgins, J. L. еңбектерінде, IEEE Transactions on Power Electronics, 12-том, 1-сан, 1997 жылғы қаңтар, 3–11 беттер, ISSN 0885 8993 (кіру құқығы шектеулі) бағаланады.