Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Кіріспе
Рентген сәулелерін шашырату әдістері – материалдар мен жұқа пленкалардың кристалдық құрылымы, химиялық құрамы және физикалық қасиеттері туралы ақпаратты ашатын, бұзусыз талдау әдістерінің бір тобы. Бұл әдістер рентген сәулесінің үлгіге түсуінен туындайтын шашыраңқы қарқындылығын, түсу және шашырау бұрыштарына, поляризациясына және толқын ұзындығына немесе энергиясына тәуелділігі бойынша бақылауға негізделген. Рентгендік дифракция кейде рентгендік шашыраудың ішкі жиынтығы ретінде қарастырылады, онда шашырау серпімді болып келеді және шашыратын объект кристаллдық болып табылады, нәтижесінде алынған суретте рентгендік кристаллографиямен талдайтын анық дақтар пайда болады (суретте көрсетілгендей). Дегенмен, шашырау және дифракция – өзара байланысты жалпы құбылыстар, және олардың арасындағы айырмашылық әрқашан болған жоқ. Мысалы, Гвинердің 1963 жылғы классикалық еңбегі «Кристаллдардағы, ақаулы кристаллдардағы және аморфты денелердегі рентгендік дифракция» деп аталады, яғни сол кезде «дифракция» термині тек кристаллдармен ғана шектелмегені анық көрінеді.
X ray scattering techniques are a family of non destructive analytical techniques which reveal information about the crystal structure, chemical composition, and physical properties of materials and thin films. These techniques are based on observing the scattered intensity of an X ray beam hitting a sample as a function of incident and scattered angle, polarization, and wavelength or energy. Note that X ray diffraction is sometimes considered a sub set of X ray scattering, where the scattering is elastic and the scattering object is crystalline, so that the resulting pattern contains sharp spots analyzed by X ray crystallography (as in the Figure). However, both scattering and diffraction are related general phenomena and the distinction has not always existed. Thus Guinier's classic text from 1963 is titled "X ray diffraction in Crystals, Imperfect Crystals and Amorphous Bodies" so 'diffraction' was clearly not restricted to crystals at that time.
Рентген сәулелерінің инертикалық шашырауы (IXS)
IXS-те иэластикалық шашыраған рентген сәулелерінің энергиясы мен бұрышы қадағаланады, нәтижесінде динамикалық құрылым факторын береді. Осыдан материалдардың көптеген қасиеттерін алуға болады, ал нақты қасиет энергияның берілу масштабына байланысты. Төмендегі кестеде техникалар тізімі келтірілген. Иэластикалық шашыраған рентген сәулелерінің аралық фазалары бар, сондықтан принцип бойынша олар рентген кристаллографиясы үшін тиімді емес. Іс жүзінде, кішкентай энергия берілімі бар рентген сәулелері эластикалық шашыраудан туындаған дифракциялық дақтармен бірге қарастырылады, ал үлкен энергия берілімі бар рентген сәулелері дифракциялық суреттегі фондық шуға үлесін қосады.
In IXS the energy and angle of inelastically scattered X rays are monitored, giving the dynamic structure factor From this many properties of materials can be obtained, the specific property depending on the scale of the energy transfer. The table below, listing techniques, is adapted from. Inelastically scattered X rays have intermediate phases and so in principle are not useful for X ray crystallography. In practice X rays with small energy transfers are included with the diffraction spots due to elastic scattering, and X rays with large energy transfers contribute to the background noise in the diffraction pattern. Technique Typical Incident Energy, keV Energy transfer range, eV Information on: Compton scattering 100 1,000 Fermi Surface Shape Resonant IXS (RIXS) 4 20 0.1 50 Electronic Structure & Excitations Non Resonant IXS (NRIXS) 10 0.1 10 Electronic Structure & Excitations X ray Raman scattering 10 50 1000 Absorption Edge Structure, Bonding, Valence High resolution IXS 10 0.001 0.1 Atomic Dynamics,Phonon Dispersion
Техника Типтік түсетін энергия, кэВ Энергия берілу диапазоны, эВ Ақпарат:
Комптон шашырауы 100 1000 Ферми бетінің пішіні
Резонанс IXS (RIXS) 4 20 0.1 50 Электрондық құрылым және қозулар
Резонанссыз IXS (NRIXS) 10 0.1 10 Электрондық құрылым және қозулар
Рентгендік Раман шашырауы 10 50 1000 Абсорбция жиегінің құрылымы, байланыс, валенттілік
Жоғары ажыратымды IXS 10 0.001 0.1 Атомдық динамика, фононды дисперсия
In IXS the energy and angle of inelastically scattered X rays are monitored, giving the dynamic structure factor From this many properties of materials can be obtained, the specific property depending on the scale of the energy transfer. The table below, listing techniques, is adapted from. Inelastically scattered X rays have intermediate phases and so in principle are not useful for X ray crystallography. In practice X rays with small energy transfers are included with the diffraction spots due to elastic scattering, and X rays with large energy transfers contribute to the background noise in the diffraction pattern. Technique Typical Incident Energy, keV Energy transfer range, eV Information on: Compton scattering 100 1,000 Fermi Surface Shape Resonant IXS (RIXS) 4 20 0.1 50 Electronic Structure & Excitations Non Resonant IXS (NRIXS) 10 0.1 10 Electronic Structure & Excitations X ray Raman scattering 10 50 1000 Absorption Edge Structure, Bonding, Valence High resolution IXS 10 0.001 0.1 Atomic Dynamics,Phonon Dispersion