Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Мазмұны
Кіріспе
Тантал нитриді (TaN) - тантал нитридінің химиялық қосылысы. Қосындылардың бірнеше фазасы бар, стеохиметриялық жағынан Ta2N-ден Ta3N5-ке дейін, соның ішінде TaN. ТаН жұқа пленка ретінде компьютерлік чиптердің арткы желісінде мыс өзара байланыстар арасындағы диффузиялық кедергі және оқшаулағыш қабат ретінде қолданылады. Тантал нитридтері жұқа қабатты резисторларда да қолданылады.
Tantalum nitride (TaN) is a chemical compound, a nitride of tantalum. There are multiple phases of compounds, stoichimetrically from Ta2N to Ta3N5, including TaN. As a thin film TaN find use as a diffusion barrier and insulating layer between copper interconnects in the back end of line of computer chips. Tantalum nitrides are also used in thin film resistors.
Фазалық диаграмма
Тантал азот жүйесі бірнеше күйлерді, соның ішінде танталдағы азоттың қатты ерітіндісін, сондай-ақ бірнеше нитрид фазаларын қамтиды, олар тордың бос жерлеріне байланысты күтілетін стехиометриядан өзгеше болуы мүмкін. Азотқа бай "TaN" отқа жағу нәтижесінде TaN және Ta5N6 екі фазалы қоспасына айналуы мүмкін.
The tantalum nitrogen system includes several states including a nitrogen solid solution in Tantalum, as well as several nitride phases, which can vary from expected stoichiometry due to lattice vacancies. Annealing of nitrogen rich "TaN" can result in conversion to a two phase mixture of TaN and Ta5N6.
Дайындық
TaN көбінесе жұқа пленка түрінде дайындалады. Пленкаларды жинақтау әдістері: радиодиапазондық магнитрондық реактивті шашырату, бірқалыпты ток (DC) шашырату, тантал ұнтағын азотта "жағып", жоғары температурада өздігінен таралатын синтез (SHS), иондық сәуле көмегімен жинақтау (IBAD) және танталдың жоғары энергиялы азот иондарымен бірлесіп электрондық сәулемен булануы. N2 салыстырмалы мөлшеріне байланысты, азот азаюымен бірге жиналған қабыршақ (fcc) TaN-дан (алтыбұрышты) Ta2N-ге дейін өзгеруі мүмкін.
TaN is often prepared as thin films. Methods of depositing the films include RF magnetron reactive sputtering, Direct current (DC) sputtering, Self propagating high temperature synthesis (SHS) via 'combustion' of tantalum powder in nitrogen, ion beam assisted deposition (IBAD), and by electron beam evaporation of tantalum in concert with high energy nitrogen ions. Depending on the relative amount of N2, the deposited film can vary from (fcc) TaN to (hexagonal) Ta2N as nitrogen decreases.
Қолданылуы
Кейде интегралды схемаларды жасау кезінде мыс немесе басқа өткізгіш металдар арасында диффузиялық кедергі немесе "қосылма" қабаттар жасау үшін қолданылады. BEOL өңдеу кезінде (шамамен 20 нм-де) мыс алдымен танталмен, содан кейін физикалық бумен (PVD) пайдаланып TaN-мен қапталады; бұл кедергімен қапталған мыс одан кейін PVD арқылы көбірек мыспен қапталады және механикалық өңдеуден (тазалау / жылтырату) бұрын электролиттік қапталған мыспен толтырылады. Ол сондай-ақ жұқа қабатты резисторларда қолданылады. Нихром резисторларына қарағанда оның артықшылығы ылғалға төзімді пассивті оксид қабатын қалыптастыру.
It is sometimes used in integrated circuit manufacture to create a diffusion barrier or "glue" layers between copper, or other conductive metals. In the case of BEOL processing (at c. 20 nm), copper is first coated with tantalum, then with TaN using physical vapour deposition (PVD); this barrier coated copper is then coated with more copper by PVD, and infilled with electrolytically coated copper, before being mechanically processed (grind/polishing). It also has application in thin film resistors. It has the advantage over nichrome resistors of forming a passivating oxide film which is resistant to moisture.