Сравнивайте с английским: нажмите на абзац — оригинал откроется в окне. Кнопка EN под абзацем показывает его прямо в тексте.
Содержание
Введение
Индий фосфид (InP) — это бинарный полупроводник, состоящий из индия и фосфора. Он обладает гранецентрированной кубической ("цинкблендовой") кристаллической структурой, идентичной структуре GaAs и большинству полупроводников группы III–V.
Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. It has a face centered cubic ("zincblende") crystal structure, identical to that of GaAs and most of the III V semiconductors.
Производство
Фосфид индия может быть получен в результате реакции белого фосфора и йодида индия при 400 °C, а также прямым соединением очищенных элементов при высокой температуре и давлении, или термическим разложением смеси триалкилинда и фосфина.
Indium phosphide can be prepared from the reaction of white phosphorus and indium iodide at 400 °C., also by direct combination of the purified elements at high temperature and pressure, or by thermal decomposition of a mixture of a trialkyl indium compound and phosphine.
Приложения
Области применения InP можно разделить на три основных направления. Он используется в качестве основы для оптоэлектронных компонентов, высокоскоростной электроники и фотовольтаики.
The application fields of InP splits up into three main areas. It is used as the basis for optoelectronic components, high speed electronics, and photovoltaics
Высокоскоростная оптоэлектроника
InP используется в качестве подложки для эпитаксиальных оптоэлектронных устройств на основе других полупроводников, таких как арсенид-галлиевый индий. Эти устройства включают псевдоморфные гетероструктурные биполярные транзисторы, способные работать на частоте 604 ГГц. Сам InP обладает прямой зонной структурой, что делает его полезным для оптоэлектронных устройств, таких как лазерные диоды и фотонные интегральные схемы для оптической телекоммуникационной отрасли, обеспечивая применение мультиплексирования с разделением по длине волны. Он применяется в высокомощной и высокочастотной электронике благодаря превосходящей скорости электронов по сравнению с более распространенными полупроводниками кремнием и арсенидом галлия.
InP is used as a substrate for epitaxial optoelectronic devices based other semiconductors, such as indium gallium arsenide. The devices include pseudomorphic heterojunction bipolar transistors that could operate at 604 GHz. InP itself has a direct bandgap, making it useful for optoelectronics devices like laser diodes and photonic integrated circuits for the optical telecommunications industry, to enable wavelength division multiplexing applications. It is used in high power and high frequency electronics because of its superior electron velocity with respect to the more common semiconductors silicon and gallium arsenide.
Оптические коммуникации
InP используется в лазерах, высокочувствительных фотодетекторах и модуляторах в диапазоне длин волн, обычно применяемом в телекоммуникациях, то есть на длинах волн 1550 нм, поскольку это полупроводниковый материал III-V группы с прямой запрещенной зоной. Диапазон длин волн от примерно 1510 нм до 1600 нм характеризуется наименьшими потерями в оптическом волокне (около 0,2 дБ/км). Кроме того, длины волн диапазонов O и C, поддерживаемые InP, обеспечивают работу в одномодовом режиме, снижая влияние интермодальной дисперсии.
InP is used in lasers, sensitive photodetectors and modulators in the wavelength window typically used for telecommunications, i. e., 1550 nm wavelengths, as it is a direct bandgap III V compound semiconductor material. The wavelength between about 1510 nm and 1600 nm has the lowest attenuation available on optical fibre (about 0.2 dB/km). Further, O band and C band wavelengths supported by InP facilitate single mode operation, reducing effects of intermodal dispersion.