IGCT – мощный полупроводниковый прибор для коммутации тока в промышленности. Разработка Mitsubishi и ABB. Контролируемый выключатель, как GTO тиристор.
Сравнивайте с английским: нажмите на абзац — оригинал откроется в окне. Кнопка EN под абзацем показывает его прямо в тексте.
Содержание
Введение
Силовое полупроводниковое электронное устройство
Power semiconductor electronic device
Интегрированный тиристор с принудительной коммутацией (IGCT) – это силовое полупроводниковое электронное устройство, используемое для коммутации электрического тока в промышленном оборудовании. Он является развитием тиристора с отпиранием управляющим электродом (GTO). Он был разработан совместно компаниями Mitsubishi и ABB. Как и тиристор GTO, IGCT представляет собой полностью управляемый силовой переключатель, то есть он может включаться и выключаться посредством управляющего электрода (затвора). Электроника управления затвором интегрирована с тиристором.
The integrated gate commutated thyristor (IGCT) is a power semiconductor electronic device, used for switching electric current in industrial equipment. It is related to the gate turn off (GTO) thyristor. It was jointly developed by Mitsubishi and ABB. Like the GTO thyristor, the IGCT is a fully controllable power switch, meaning that it can be turned both on and off by its control terminal (the gate). Gate drive electronics are integrated with the thyristor device.
Описание устройства
[[Файл: 1 GCT выреза.svg|мини|Типичная структура и легирование вентильного тиристора с коммутацией затвором (GCT)
В высоковольтных применениях тиристоры с коммутацией затвором (IGCT) чувствительны к космическим лучам. Для снижения вероятности отказов, вызванных космическими лучами, требуется большая толщина n-основания.
IGCTs, in high power applications, are sensitive to cosmic rays. To decrease cosmic ray induced malfunctions, more thickness in the n− base is required.
Обратная смена
IGCT доступны с возможностью обратной блокировки или без нее. Наличие обратной блокировки увеличивает прямое падение напряжения из-за необходимости создания длинной, слабо легированной области P1. IGCT, способные блокировать обратное напряжение, называются симметричными IGCT, сокращенно S IGCT. Как правило, номинальное обратное и прямое напряжение блокировки одинаковы. Типичное применение симметричных IGCT – инверторы тока. IGCT, не способные блокировать обратное напряжение, называются асимметричными IGCT, сокращенно A IGCT. Обычно их обратное пробивное напряжение составляет десятки вольт. Асимметричные IGCT используются там, где параллельно применяется обратный диод (например, в инверторах напряжения) или где обратное напряжение не возникает (например, в импульсных источниках питания или преобразователях тяги постоянного тока). Асимметричные IGCT могут быть изготовлены в одном корпусе с обратным диодом. Они называются RC IGCT – IGCT с обратной проводимостью.
IGCT are available with or without reverse blocking capability. Reverse blocking capability adds to the forward voltage drop because of the need to have a long, low doped P1 region. IGCTs capable of blocking reverse voltage are known as symmetrical IGCT, abbreviated S IGCT. Usually, the reverse blocking voltage rating and forward blocking voltage rating are the same. The typical application for symmetrical IGCTs is in current source inverters. IGCTs incapable of blocking reverse voltage are known as asymmetrical IGCT, abbreviated A IGCT. They typically have a reverse breakdown rating in the tens of volts. A IGCTs are used where either a reverse conducting diode is applied in parallel (for example, in voltage source inverters) or where reverse voltage would never occur (for example, in switching power supplies or DC traction choppers). Asymmetrical IGCTs can be fabricated with a reverse conducting diode in the same package. These are known as RC IGCT, for reverse conducting IGCT.
Приложения
Основные области применения – преобразователи частоты с регулируемым напряжением, приводы, тяговые системы и быстродействующие коммутационные аппараты переменного тока. Для приложений, требующих большей мощности, несколько IGCT могут быть соединены последовательно или параллельно.
The main applications are in variable frequency inverters, drives, traction and fast AC disconnect switches. Multiple IGCTs can be connected in series or in parallel for higher power applications.