Введение

Физисорбция, также называемая физической адсорбцией, — это процесс, в котором электронная структура атома или молекулы практически не изменяется при адсорбции.

Обзор

Фундаментальной силой, обуславливающей физисорбцию, является сила Ван-дер-Ваальса. Несмотря на то, что энергия взаимодействия очень мала (~10–100 мэВ), физисорбция играет важную роль в природе. Например, притяжение Ван-дер-Ваальса между поверхностями и волосками на лапах гекконов (см. Синтетические сеты) обеспечивает их удивительную способность карабкаться по вертикальным стенам. Силы Ван-дер-Ваальса возникают в результате взаимодействия между индуцированными, постоянными или временными электрическими диполями. В отличие от химисорбции, при которой изменяется электронная структура взаимодействующих атомов или молекул и образуются ковалентные или ионные связи, физисорбция не приводит к изменению химической структуры связей. На практике, отнесение конкретного процесса адсорбции к физисорбции или химисорбции определяется главным образом энергией связи адсорбата с подложкой, при этом физисорбция значительно слабее, в расчете на один атом, чем любой тип связи, основанный на химических связях.

Потенциал физиопоглощения

[Изображение:физиосорбция 2. jpg|миниатюра|400px|Рис. 2. Расчетная потенциальная энергия физисорбции для гелия, адсорбированного на различных металлических поверхностях, моделированных как однородный электронный газ. Следует отметить, что слабое притяжение Ван-дер-Ваальса формирует неглубокие потенциальные ямы с энергией порядка нескольких меВ. На рис. 2 показана потенциальная энергия физисорбции гелия, адсорбированного на подложках из серебра, меди и золота, которые описываются моделью однородного электронного газа с различной плотностью размытого положительного фона. Можно заметить, что слабое взаимодействие Ван-дер-Ваальса приводит к образованию неглубоких притягательных потенциальных ям (менее 10 мэВ). Одним из экспериментальных методов исследования потенциальной энергии физисорбции является процесс рассеяния, например, рассеяние атомов инертных газов от металлических поверхностей. Определенные особенности потенциала взаимодействия между рассеянными атомами и поверхностью могут быть определены путем анализа экспериментально измеренного углового распределения и сечения рассеяния частиц.

Квантово-механическое термодинамическое моделирование площади поверхности и пористости

С 1980 года разрабатывались две теории для объяснения адсорбции и получения рабочих уравнений. Эти теории известны как гипотеза χ, квантовомеханический вывод и избыточная поверхностная работа (ESW). Обе теории приводят к одному и тому же уравнению для плоских поверхностей:

где U – функция Хевисайда (единичного скачка). Определения остальных символов следующие:

где "ads" обозначает "адсорбированный", "m" – "эквивалент монослоя", а "vap" – давление паров жидкого адсорбата при той же температуре, что и твердый образец (обозначения "ads" и "vap" соответствуют последней конвенции IUPAC, в то время как для "m" эквивалентного обозначения IUPAC не существует). Функция единичного скачка определяет молярную энергию адсорбции для первой адсорбированной молекулы следующим образом:

График зависимости адсорбированного количества от называется χ-диаграммой. Для плоских поверхностей наклон χ-диаграммы соответствует площади поверхности. Эмпирически было установлено, что эта диаграмма очень хорошо согласуется с изотермой, что было отмечено Поланьи, а также де Боэром и Цвиккером, однако дальнейшего развития она не получила. Это было связано с критикой Эйнштейна в первом случае и Брунауэра – во втором. Уравнение для плоской поверхности может использоваться как "стандартная кривая" в традиционном смысле сравнительных кривых, с той лишь разницей, что начальная часть графика зависимости от для пористого образца служит собственным стандартом. Данный метод может быть использован для анализа ультрамикропористых, микропористых и мезопористых материалов. Типичные стандартные отклонения при аппроксимации полных изотерм, включая пористые образцы, обычно составляют менее 2%. Типичная аппроксимация для хороших данных по однородной непористой поверхности представлена на рисунке 3. Данные получены Пейном, Сингом и Турком и использовались для построения стандартной кривой s. В отличие от BET, который может быть точно применен лишь в диапазоне от 0,05 до 0,35 P/Pvap, диапазон аппроксимации охватывает всю изотерму.

Сравнение с химиосорбцией

Физисорбция – это общее явление, которое происходит в любой системе твердое тело/жидкость или твердое тело/газ. Химисорбция характеризуется химической специфичностью. При физисорбции возмущение электронных состояний адсорбента и адсорбата минимально. Силы адсорбции включают лондоновские силы, диполь-дипольное притяжение, диполь-индуцированное притяжение и "водородную связь". Для химисорбции изменения в электронных состояниях могут быть обнаружены подходящими физическими методами, то есть посредством химической связи. Типичная энергия связи при физисорбции составляет около 10–300 мэВ и является нелокализованной. Химисорбция обычно формирует связь с энергией 1–10 эВ и локализована. Элементарная стадия физисорбции из газовой фазы не требует энергии активации. Химисорбция часто включает энергию активации. Молекулы газовой фазы, адсорбируемые при физисорбции, образуют многослойную адсорбцию, если этому не препятствуют физические барьеры, такие как пористость. При химисорбции молекулы адсорбируются на поверхности валентными связями и образуют только однослойную адсорбцию. Прямой переход от физисорбции к химисорбции был наблюдаем при присоединении молекулы CO к кончику атомно-силового микроскопа и измерении ее взаимодействия с отдельным атомом железа. Этот эффект был впервые обнаружен в конце 1960-х годов для бензола при полевой эмиссии, о чем сообщалось в работах Кондона, и в измерениях ЭПР, о чем сообщалось в работах Мойеса и Уэллса. Другой взгляд на это заключается в том, что химисорбция изменяет топологию электронов в молекуле адсорбата (в результате химической реакции), а физисорбция – нет.