2N3055: мощный NPN транзистор, разработанный RCA в 1960-х. Общее применение, hometaxial/эпитаксиальная база, популярность и характеристики зависят от производителя.
Сравнивайте с английским: нажмите на абзац — оригинал откроется в окне. Кнопка EN под абзацем показывает его прямо в тексте.
Содержание
Введение
Ранний силовой транзистор. 2N3055 – это кремниевый NPN-силовой транзистор, предназначенный для широкого спектра применений. Он был представлен в начале 1960-х годов компанией RCA с использованием гомотаксального процесса изготовления силовых транзисторов, а в середине 1970-х годов перешел на эпитаксиальную базу. Его маркировка соответствует стандарту JEDEC. Это транзистор, который долгое время остается популярным.
Early power transistor
The 2N3055 is a silicon NPN power transistor intended for general purpose applications. It was introduced in the early 1960s by RCA using a hometaxial power transistor process, transitioned to an epitaxial base in the mid 1970s. Its numbering follows the JEDEC standard. It is a transistor type of enduring popularity.
Технические характеристики
Точные характеристики производительности зависят от производителя и даты; до перехода на эпитаксиальную базовую версию в середине 1970-х годов fT мог быть, например, 0,8 МГц. производительДатаVCEOVCBOVCER (100 Ом)ICIBPD @ TC=25 градусов. hfe (импульсное измерение)fTRCA196760 ВCEO(макс)100 ВCBO70 ВCER(макс)15 А7 А115 Вт20–70 (при IC = 4 А, импульсный режим)не указаноON Semiconductor200560 ВCEO 100 ВCBO70 ВCER15 А (непрерывный режим)7 А115 Вт20–70 (при IC = 4 А)2,5 МГц
The exact performance characteristics depend on the manufacturer and date; before the move to the epitaxial base version in the mid 1970s the fT could be as low as 0.8 MHz, for example. manufacturerDateVCEOVCBOVCER (100 ohms)ICIBPD @ TC=25 deg. hfe (pulsed test)fTRCA196760 VCEO(sus)100 VCBO70 VCER(sus)15 A7 A115 W20–70 (at IC = 4 Apulsed)not givenON Semiconductor200560 VCEO 100 VCBO70 VCER15 A (continuous)7 A115 W20–70 (at IC = 4 A)2.5 MHz
Поставляется в корпусе TO-3, это мощный транзистор на 15 А, 60 В (или более, см. ниже), мощностью 115 Вт, с β (коэффициентом усиления по току) от 20 до 70 при токе коллектора 4 А (это значение может превышать 100 при измерении при более низких токах, в противном случае может произойти физическое повреждение или ухудшение тепловых характеристик, особенно при использовании корпусов или радиаторов, которые не идеально плоские).
Packaged in a TO 3 case style, it is a 15 amp, 60 volt (or more, see below), 115 watt power transistor with a β (forward current gain) of 20 to 70 at a collector current of 4 A (this may be over 100 when testing at lower currents else physical damage or worsened power handling may result, especially with cases or heatsinks that are not perfectly flat.
Частота перехода, fT
В руководстве по транзисторам RCA 1967 года, SC 13, не указывались никакие параметры высокочастотных характеристик для 2N3055; в руководстве 1971 года SC 15 была указана частота перехода, fT, не менее 800 кГц (при IC = 1 А) и частота, на которой коэффициент усиления малого сигнала снижается на 3 дБ, также была указана при 1 А как минимум 10 кГц. Другие производители в то же время также указывали схожие значения (например, в 1973 году Philips указывал fT > 0,8 МГц и > 15 кГц для своего транзистора 2N3055). К 1977 году RCA изменила свои спецификации, указав значение 2,5 для минимальной величины усиления малого сигнала при f = 1 МГц, что фактически соответствовало минимальному fT 2,5 МГц (и 4 МГц для их MJ2955). Современные технические описания 2N3055 часто, но не всегда, указывают fT 2,5 МГц (минимум), поскольку со временем были внесены некоторые улучшения (особенно переход к эпитаксиальной технологии производства). Тем не менее, нельзя предполагать, что 2N3055 (и многие другие силовые транзисторы того времени) обладают высокими частотными характеристиками, и даже в звуковом диапазоне частот может наблюдаться ухудшение фазового сдвига и коэффициента усиления в разомкнутом контуре. Современные аналоги 2N3055 могут быть гораздо более подходящими для быстродействующих схем или высококачественных усилителей мощности.
The 1967 RCA Transistor Manual, SC 13, did not mention any measure of high frequency performance for the 2N3055; by the 1971 SC 15 manual a transition frequency, fT, of at least 800 kHz was specified (at IC = 1 A) and (the frequency at which the small signal current gain drops by 3 dB) was also specified at 1 A to be 10 kHz minimum. Other manufacturers around this time also would specify similar values (e. g. in 1973 Philips gave fT > 0.8 MHz and > 15 kHz for their 2N3055 device). RCA by 1977 had changed their specification to give 2.5 for the minimum magnitude of the small signal gain at f = 1 MHz, essentially giving a minimum fT of 2.5 MHz (and 4 MHz for their MJ2955). Modern 2N3055 datasheets often, but not always, specify fT of 2.5 MHz (minimum) because some improvements have been made over time (especially the move to the epitaxial manufacturing process). Nevertheless, a 2N3055 (and many other power transistors originating from this era) cannot be assumed to have great high frequency performance and there can be degradation of phase shift and open loop gain even within the audio frequency range. Modern successors to the 2N3055 can be much more suitable in fast switching circuits or high end audio power amplifiers.
История
Исторически значимый транзистор 2N3055 был разработан инженерной группой Херба Мейзеля совместно с RCA; это был первый многоамперный кремниевый силовый транзистор, продававшийся по цене менее одного доллара, и он стал отраслевым стандартом. Транзисторы 2N3054 и 2N3055 были разработаны на основе 2N1486 и 2N1490 после изменения конструкции корпуса Милтом Граймсом. В 1965 году команда инженеров, занимавшихся проектированием, производством и применением, получила награды за достижения от RCA Electronic Components. 2N3055 по-прежнему очень популярен в качестве транзистора последовательного управления в линейных блоках питания и до сих пор используется в схемах среднего и высокого тока, включая низкочастотные преобразователи мощности, хотя его применение в звуковых усилителях мощности и инверторах постоянного тока в переменный ток стало менее распространенным, а использование в высокочастотных импульсных приложениях никогда не было особенно практичным. Другие производители также выпускали этот транзистор; Texas Instruments указала однодиффузную версию устройства в спецификации от августа 1967 года. Одним из ограничений было относительно низкое значение частотного отклика (обычно частота единичного усиления или частота перехода, fT, составляла 1 МГц). Хотя этого было достаточно для большинства низкочастотных приложений, где он использовался как "рабочая лошадка", и соответствовало характеристикам других мощных транзисторов примерно 1970 года, это создавало определенные трудности при разработке высококачественных усилителей мощности в диапазоне около 20 кГц, поскольку коэффициент усиления начинает снижаться, а фазовый сдвиг увеличивается.
The historically significant 2N3055 was designed by Herb Meisel's engineering group with RCA; it was the first multi amp silicon power transistor to sell for less than one dollar, and became an industry workhorse standard. The 2N3054 and 2N3055 were derived from the 2N1486 and 2N1490 after package redesigns by Milt Grimes. The team of design, production, and applications engineers received RCA Electronic Components achievement awards in 1965. The 2N3055 remains very popular as a series pass transistor in linear power supplies and is still used in for medium current and high power circuits generally, including low frequency power converters although its use in audio power amplifiers and DC to AC inverters is now less common and its use in higher frequency switch mode applications never was very practical. It was second sourced by other manufacturers; Texas Instruments listed a single diffused mesa version of the device in an August 1967 datasheet. One limitation was that its frequency response was rather low (typically the unity gain frequency or transition frequency, fT, was 1 MHz). Although this was adequate for most of the low frequency "workhorse" applications, and par with other high power transistors around 1970, it did bring some difficulty to high fidelity power amplifier designs around 20 kHz, as the gain begins to fall and phase shift increases.
Середина 1970-х годов
С изменениями в технологии производства полупроводников, оригинальный процесс стал экономически неконкурентоспособным в середине 1970-х годов, и аналогичное устройство было создано с использованием эпитаксиальной базовой технологии в выходной конфигурации push-pull.
With changes to semiconductor manufacturing technology, the original process became economically uncompetitive in the mid 1970s, and a similar device was created using epitaxial base technology. in a push–pull output configuration.
Связанные устройства
Существуют варианты с более высоким номинальным напряжением (например, 2N3055HV с номинальным напряжением 100 Вceo), различным материалом или типом корпуса (например, сталь, алюминий или пластик с металлической площадкой), а также другие модификации, помимо незначительных изменений в параметрах (таких как рассеиваемая мощность 115 или 117 Вт) между устройствами 2N3055 от разных производителей, начиная с оригинального производства RCA. MJ2955 (PNP) (не путать с 2N2955, являющимся малосигнальным PNP-транзистором)), который также сегодня производится эпитаксиальным методом, является комплементарным транзистором к 2N3055. В 1960-х и начале 1970-х годов Philips выпускала аналогичные устройства в корпусе TO-3 под обозначениями BDY20 (описываемые как предназначенные для "hifi") и BDY38 (хотя BDY38 имеет более низкое номинальное напряжение, чем 2N3055). Версия 2N3055 в корпусе TO-3P (пластиковый корпус) и его комплементарное устройство MJ2955 доступны как TIP3055 и TIP2955 соответственно, с несколько сниженной рассеиваемой мощностью. TIP33 (NPN) и TIP34 (PNP) на 10 А (пиковый ток 15 А), мощностью 80 Вт – пластиковые транзисторы с характеристиками, близкими к 2N3055 и MJ2955 соответственно, и доступны в вариантах с напряжением пробоя 40/60/80/100 Вceo. 2N3773 в корпусе TO-3 имеет немного меньший коэффициент усиления, но значительно более высокие максимальные параметры (150 Вт, 140 Вceo, 16 А). 2N3054 – это версия 2N3055 с гораздо меньшей мощностью, рассчитанная на 25 Вт, 55 В и 4 А, но практически устарела к концу 1980-х годов, когда многие устройства в корпусе TO-66 были сняты с производства основными производителями. Во многих случаях вместо 2N3054, а также в некоторых применениях 2N3055, можно использовать версию в корпусе TO-220, например, MJE3055T. KD503 – более мощный эквивалент, используемый в странах Восточного блока, предназначенный для общего применения. Он производился исключительно чехословацкой компанией Tesla. KD503 поставляется в корпусе TO-3 (называемом Tesla T41), это 20-амперный, 80-вольтный, 150-ваттный силовый транзистор с переходной частотой 2,0 МГц. KD503 имеет большую мощность и больший ток, чем 2N3055. Они широко использовались в странах бывшего Восточного блока в аудиоусилителях, производимых чехословацкой Tesla и польской Unitra.
Variants with higher voltage ratings (e. g. 2N3055HV, with a 100 Vceo rating), different case material or type (e. g. steel, aluminium, or plastic with metal tab), and other variations exist, in addition to the minor variations in ratings (such as a power dissipation of 115 or 117 Watts) between 2N3055 marked devices from various manufacturers since RCA's original. An MJ2955 (PNP) (not to be confused with a 2N2955 which is a small signal PNP transistor )), which is also manufactured using the epitaxial process today, is a complementary transistor to the 2N3055. In the sixties and early seventies, Philips produced similar devices encapsulated in TO 3 packages under the reference BDY20 (described as being for "hifi" purposes) and BDY38 (although the BDY38 has lower voltage ratings than the 2N3055). A TO 3 P (plastic case) version of the 2N3055 and its complementary device MJ2955 are available as the TIP3055 and TIP2955 respectively, with slightly reduced power dissipation ratings. The 10 amp (15 amp peak), 80 watt TIP33 (NPN) and TIP34 (PNP) are plastic cased transistors with somewhat similar characteristics to the 2N3055 and MJ2955 respectively, and available in variants with 40/60/80/100 Vceo breakdown voltage ratings. The 2N3773, with a TO 3 case has slightly lower gain but significantly higher maximum ratings (150 W, 140 Vceo, 16 amps). The 2N3054 is a much lower power version of the 2N3055, rated at 25 W, 55 V and 4 A, but became almost obsolete about the late 1980s when many TO 66 devices were withdrawn from mainstream manufacturers's lists. In many cases a TO 220 packaged version, such as MJE3055T, can be used instead of the 2N3054 as well as in some 2N3055 applications. KD503 is a higher power equivalent used in Eastern Bloc countries, and is intended for general purpose applications. It was produced exclusively by the Czechoslovakian electronics company Tesla. KD503 are packaged in a TO 3 case style (called T41 by Tesla), it is a 20 amp, 80 volt, 150 watt power transistor. It has a transition frequency of 2.0 MHz;. The KD503 have higher power and higher current than 2N3055. They were used extensively in the former Eastern Bloc countries in audio power amplifiers made by Czechoslovakian Tesla, Polish Unitra. + Comparison of specificationsdevicemanufacturertypecase/packageVceo(BR)Ic (continuous)PD (@ case=25 deg)hfefT (MHz)2N3055RCA 1977ON Semiconductor 2005NPNTO 3 (=TO 204AA)60 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 A2N3055GON Semiconductor 2005NPNTO 3 (Lead free)60 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 A2N3055HRCANPNTO 360VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz)2N3055HVCDILNPNTO 3100 V15 A100 W (some say 90 W)20–100 at 4 A2.5 MHz min @0.5 A2N3772RCA NPNTO 360 V20 A150 W16–60 at 10 A0.2 MHz min (hfe >=4 at 0.05 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N3773RCA NPNTO 3140V16 A150 W16–60 at 8 A0.2 MHz min (hfe >=4 at 0.05 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6253RCA NPNTO 345 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 3 A0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6254RCA NPNTO 380VCEO(sus)15 A150 W20–70 at 5 A0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6371RCA NPNTO 340VCEO(sus)15 A117 W15–60 at 8 A0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6371HV TransysNPNTO 3100 V15 A117 W15–60 at 8 A2.5 MHz min BDP620UNITRA CEMINPNTO 360 V15 A115 W20–40 at 4 A0,8 MHz minKD502TeslaNPN T41 case60 V20 A150 W40 ? @ 1 A2.0 MHz minKD503TeslaNPNT41 case80 V20 A150 W40 ? @ 1 A 2.0 MHz minKD3055TeslaNPNT42 case60 V15 A117 W20–70 @ 4 A 1.0 MHz minKD3442TeslaNPNT42 case140 V10 A117 W20–70 @ 4 A 1.0 MHz minMJ2955AMotorolaPNPTO 360 V15 A115 W20–100 at 4 A2.2 MHz min @ 1 AMJ15015GON SemiconductorNPNTO 3120 V15 A180 W20–100 at 4 A0.8 MHz min @ 1 AMJ15016GOn SemiconductorPNPTO 3120 V15 A180 W20–100 at 4 A2.2 MHz min @ 1 AMJE2955TFairchild,Central Semiconductor Corp. PNPTO 22060VCEO(sus)10 A75 W20–100 at 4 A2.0 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 AMJE3055TFairchild,Central Semiconductor Corp. NPN TO 22060 VCEO(sus)10 A75 W20–100 at 4 A2.0 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 ARCS617 RCA NPNTO 380 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz) TIP2955Texas Instr,Central Semiconductor CorpPNPTO 218AA/SOT 9370 VCER (RBE <= 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A3.0 MHz min TIP2955MotorolaPNP340D 02 plastic60 VCEO70VCER (RBE = 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A2.5 MHz min TIP3055Texas Instr,Philips,Central Semiconductor CorpNPNTO 218AA/SOT 9370 VCER (RBE <= 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A3.0 MHz min TIP3055MotorolaNPN340D 02 plastic60VCEO70VCER (RBE = 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A2.5 MHz min
Сравнение характеристик
Variants with higher voltage ratings (e. g. 2N3055HV, with a 100 Vceo rating), different case material or type (e. g. steel, aluminium, or plastic with metal tab), and other variations exist, in addition to the minor variations in ratings (such as a power dissipation of 115 or 117 Watts) between 2N3055 marked devices from various manufacturers since RCA's original. An MJ2955 (PNP) (not to be confused with a 2N2955 which is a small signal PNP transistor )), which is also manufactured using the epitaxial process today, is a complementary transistor to the 2N3055. In the sixties and early seventies, Philips produced similar devices encapsulated in TO 3 packages under the reference BDY20 (described as being for "hifi" purposes) and BDY38 (although the BDY38 has lower voltage ratings than the 2N3055). A TO 3 P (plastic case) version of the 2N3055 and its complementary device MJ2955 are available as the TIP3055 and TIP2955 respectively, with slightly reduced power dissipation ratings. The 10 amp (15 amp peak), 80 watt TIP33 (NPN) and TIP34 (PNP) are plastic cased transistors with somewhat similar characteristics to the 2N3055 and MJ2955 respectively, and available in variants with 40/60/80/100 Vceo breakdown voltage ratings. The 2N3773, with a TO 3 case has slightly lower gain but significantly higher maximum ratings (150 W, 140 Vceo, 16 amps). The 2N3054 is a much lower power version of the 2N3055, rated at 25 W, 55 V and 4 A, but became almost obsolete about the late 1980s when many TO 66 devices were withdrawn from mainstream manufacturers's lists. In many cases a TO 220 packaged version, such as MJE3055T, can be used instead of the 2N3054 as well as in some 2N3055 applications. KD503 is a higher power equivalent used in Eastern Bloc countries, and is intended for general purpose applications. It was produced exclusively by the Czechoslovakian electronics company Tesla. KD503 are packaged in a TO 3 case style (called T41 by Tesla), it is a 20 amp, 80 volt, 150 watt power transistor. It has a transition frequency of 2.0 MHz;. The KD503 have higher power and higher current than 2N3055. They were used extensively in the former Eastern Bloc countries in audio power amplifiers made by Czechoslovakian Tesla, Polish Unitra. + Comparison of specificationsdevicemanufacturertypecase/packageVceo(BR)Ic (continuous)PD (@ case=25 deg)hfefT (MHz)2N3055RCA 1977ON Semiconductor 2005NPNTO 3 (=TO 204AA)60 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 A2N3055GON Semiconductor 2005NPNTO 3 (Lead free)60 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 A2N3055HRCANPNTO 360VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz)2N3055HVCDILNPNTO 3100 V15 A100 W (some say 90 W)20–100 at 4 A2.5 MHz min @0.5 A2N3772RCA NPNTO 360 V20 A150 W16–60 at 10 A0.2 MHz min (hfe >=4 at 0.05 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N3773RCA NPNTO 3140V16 A150 W16–60 at 8 A0.2 MHz min (hfe >=4 at 0.05 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6253RCA NPNTO 345 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 3 A0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6254RCA NPNTO 380VCEO(sus)15 A150 W20–70 at 5 A0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6371RCA NPNTO 340VCEO(sus)15 A117 W15–60 at 8 A0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6371HV TransysNPNTO 3100 V15 A117 W15–60 at 8 A2.5 MHz min BDP620UNITRA CEMINPNTO 360 V15 A115 W20–40 at 4 A0,8 MHz minKD502TeslaNPN T41 case60 V20 A150 W40 ? @ 1 A2.0 MHz minKD503TeslaNPNT41 case80 V20 A150 W40 ? @ 1 A 2.0 MHz minKD3055TeslaNPNT42 case60 V15 A117 W20–70 @ 4 A 1.0 MHz minKD3442TeslaNPNT42 case140 V10 A117 W20–70 @ 4 A 1.0 MHz minMJ2955AMotorolaPNPTO 360 V15 A115 W20–100 at 4 A2.2 MHz min @ 1 AMJ15015GON SemiconductorNPNTO 3120 V15 A180 W20–100 at 4 A0.8 MHz min @ 1 AMJ15016GOn SemiconductorPNPTO 3120 V15 A180 W20–100 at 4 A2.2 MHz min @ 1 AMJE2955TFairchild,Central Semiconductor Corp. PNPTO 22060VCEO(sus)10 A75 W20–100 at 4 A2.0 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 AMJE3055TFairchild,Central Semiconductor Corp. NPN TO 22060 VCEO(sus)10 A75 W20–100 at 4 A2.0 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 ARCS617 RCA NPNTO 380 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz) TIP2955Texas Instr,Central Semiconductor CorpPNPTO 218AA/SOT 9370 VCER (RBE <= 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A3.0 MHz min TIP2955MotorolaPNP340D 02 plastic60 VCEO70VCER (RBE = 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A2.5 MHz min TIP3055Texas Instr,Philips,Central Semiconductor CorpNPNTO 218AA/SOT 9370 VCER (RBE <= 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A3.0 MHz min TIP3055MotorolaNPN340D 02 plastic60VCEO70VCER (RBE = 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A2.5 MHz min
| Устройство | Производитель | Тип | Корпус/Пакет | Vceo (BR) | Ic (постоянный) | Pd (@ case=25°C) | hfe | fT (МГц) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3055 | RCA, ON Semiconductor | NPN | TO-3 (=TO-204AA) | 60 В | 15 А | 115 Вт | 20–70 при 4 А | 2,5 МГц мин (hfe при 1 МГц) |
| 2N3055 | ON Semiconductor | NPN | TO-3 (без свинца) | 60 В | 15 А | 115 Вт | 20–70 при 4 А | 2,5 МГц мин (hfe при 1 МГц) |
| 2N3055 | RCA | NPN | TO-3 | 60 В | 15 А | 115 Вт | 20–70 при 4 А | 2,5 МГц мин (hfe при 1 МГц) |
| 2N3055HV | CDIL | NPN | TO-3 | 100 В | 15 А | 100 Вт (некоторые указывают 90 Вт) | 20–100 при 4 А | 2,5 МГц мин при 0,5 А |
| 2N3772 | RCA | NPN | TO-3 | 60 В | 20 А | 150 Вт | 16–60 при 10 А | 0,2 МГц мин (hfe >=4 при 0,05 МГц) |
| 2N3773 | RCA | NPN | TO-3 | 140 В | 16 А | 150 Вт | 16–60 при 8 А | 0,2 МГц мин (hfe >=4 при 0,05 МГц) |
| 2N6253 | RCA | NPN | TO-3 | 45 В | 15 А | 115 Вт | 20–70 при 3 А | 0,8 МГц мин (hfe >=2 при 0,4 МГц) |
| 2N6254 | RCA | NPN | TO-3 | 80 В | 15 А | 150 Вт | 20–70 при 5 А | 0,8 МГц мин (hfe >=2 при 0,4 МГц) |
| 2N6371 | RCA | NPN | TO-3 | 40 В | 15 А | 117 Вт | 15–60 при 8 А | 0,8 МГц мин (hfe >=2 при 0,4 МГц) |
| 2N6371HV | Transys | NPN | TO-3 | 100 В | 15 А | 117 Вт | 15–60 при 8 А | 2,5 МГц мин |
| BDP620 | UNITRA CEMI | NPN | TO-3 | 60 В | 15 А | 115 Вт | 20–40 при 4 А | 0,8 МГц мин |
| KD502 | Tesla | NPN | T41 корпус | 60 В | 20 А | 150 Вт | 40 ? при 1 А | 2,0 МГц мин |
| KD503 | Tesla | NPN | T41 корпус | 80 В | 20 А | 150 Вт | 40 ? при 1 А | 2,0 МГц мин |
| KD3055 | Tesla | NPN | T42 корпус | 60 В | 15 А | 117 Вт | 20–70 при 4 А | 1,0 МГц мин |
| KD3442 | Tesla | NPN | T42 корпус | 140 В | 10 А | 117 Вт | 20–70 при 4 А | 1,0 МГц мин |
| MJ2955A | Motorola | PNP | TO-3 | 60 В | 15 А | 115 Вт | 20–100 при 4 А | 2,2 МГц мин при 1 А |
| MJ15015 | GON Semiconductor | NPN | TO-3 | 120 В | 15 А | 180 Вт | 20–100 при 4 А | 0,8 МГц мин при 1 А |
| MJ15016 | GON Semiconductor | PNP | TO-3 | 120 В | 15 А | 180 Вт | 20–100 при 4 А | 2,2 МГц мин при 1 А |
| MJE2955T | Fairchild, Central Semiconductor Corp. | PNP | TO-220 | 60 В | 10 А | 75 Вт | 20–100 при 4 А | 2,0 МГц мин (hfe при 1 МГц) |
| MJE3055T | Fairchild, Central Semiconductor Corp. | NPN | TO-220 | 60 В | 10 А | 75 Вт | 20–100 при 4 А | 2,0 МГц мин (hfe при 1 МГц) |
| RCS617 | RCA | NPN | TO-3 | 80 В | 15 А | 115 Вт | 20–70 при 4 А | 2,5 МГц мин (hfe при 1 МГц) |
| TIP2955 | Texas Instr, Central Semiconductor Corp | PNP | TO-218AA/SOT-93 | 70 В | 15 А | 90 Вт | 20–70 при 4 А | 3,0 МГц мин |
| TIP2955 | Motorola | PNP | 340D 02 plastic | 60 В | 15 А | 90 Вт | 20–70 при 4 А | 2,5 МГц мин |
| TIP3055 | Texas Instr, Philips, Central Semiconductor Corp | NPN | TO-218AA/SOT-93 | 70 В | 15 А | 90 Вт | 20–70 при 4 А | 3,0 МГц мин |
| TIP3055 | Motorola | NPN | 340D 02 plastic | 60 В | 15 А | 90 Вт | 20–70 при 4 А | 2,5 МГц мин |
Variants with higher voltage ratings (e. g. 2N3055HV, with a 100 Vceo rating), different case material or type (e. g. steel, aluminium, or plastic with metal tab), and other variations exist, in addition to the minor variations in ratings (such as a power dissipation of 115 or 117 Watts) between 2N3055 marked devices from various manufacturers since RCA's original. An MJ2955 (PNP) (not to be confused with a 2N2955 which is a small signal PNP transistor )), which is also manufactured using the epitaxial process today, is a complementary transistor to the 2N3055. In the sixties and early seventies, Philips produced similar devices encapsulated in TO 3 packages under the reference BDY20 (described as being for "hifi" purposes) and BDY38 (although the BDY38 has lower voltage ratings than the 2N3055). A TO 3 P (plastic case) version of the 2N3055 and its complementary device MJ2955 are available as the TIP3055 and TIP2955 respectively, with slightly reduced power dissipation ratings. The 10 amp (15 amp peak), 80 watt TIP33 (NPN) and TIP34 (PNP) are plastic cased transistors with somewhat similar characteristics to the 2N3055 and MJ2955 respectively, and available in variants with 40/60/80/100 Vceo breakdown voltage ratings. The 2N3773, with a TO 3 case has slightly lower gain but significantly higher maximum ratings (150 W, 140 Vceo, 16 amps). The 2N3054 is a much lower power version of the 2N3055, rated at 25 W, 55 V and 4 A, but became almost obsolete about the late 1980s when many TO 66 devices were withdrawn from mainstream manufacturers's lists. In many cases a TO 220 packaged version, such as MJE3055T, can be used instead of the 2N3054 as well as in some 2N3055 applications. KD503 is a higher power equivalent used in Eastern Bloc countries, and is intended for general purpose applications. It was produced exclusively by the Czechoslovakian electronics company Tesla. KD503 are packaged in a TO 3 case style (called T41 by Tesla), it is a 20 amp, 80 volt, 150 watt power transistor. It has a transition frequency of 2.0 MHz;. The KD503 have higher power and higher current than 2N3055. They were used extensively in the former Eastern Bloc countries in audio power amplifiers made by Czechoslovakian Tesla, Polish Unitra. + Comparison of specificationsdevicemanufacturertypecase/packageVceo(BR)Ic (continuous)PD (@ case=25 deg)hfefT (MHz)2N3055RCA 1977ON Semiconductor 2005NPNTO 3 (=TO 204AA)60 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 A2N3055GON Semiconductor 2005NPNTO 3 (Lead free)60 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 A2N3055HRCANPNTO 360VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz)2N3055HVCDILNPNTO 3100 V15 A100 W (some say 90 W)20–100 at 4 A2.5 MHz min @0.5 A2N3772RCA NPNTO 360 V20 A150 W16–60 at 10 A0.2 MHz min (hfe >=4 at 0.05 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N3773RCA NPNTO 3140V16 A150 W16–60 at 8 A0.2 MHz min (hfe >=4 at 0.05 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6253RCA NPNTO 345 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 3 A0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6254RCA NPNTO 380VCEO(sus)15 A150 W20–70 at 5 A0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6371RCA NPNTO 340VCEO(sus)15 A117 W15–60 at 8 A0.8 MHz min (hfe >=2 at 0.4 MHz) fhfe >= 10 kHz @ 1 A2N6371HV TransysNPNTO 3100 V15 A117 W15–60 at 8 A2.5 MHz min BDP620UNITRA CEMINPNTO 360 V15 A115 W20–40 at 4 A0,8 MHz minKD502TeslaNPN T41 case60 V20 A150 W40 ? @ 1 A2.0 MHz minKD503TeslaNPNT41 case80 V20 A150 W40 ? @ 1 A 2.0 MHz minKD3055TeslaNPNT42 case60 V15 A117 W20–70 @ 4 A 1.0 MHz minKD3442TeslaNPNT42 case140 V10 A117 W20–70 @ 4 A 1.0 MHz minMJ2955AMotorolaPNPTO 360 V15 A115 W20–100 at 4 A2.2 MHz min @ 1 AMJ15015GON SemiconductorNPNTO 3120 V15 A180 W20–100 at 4 A0.8 MHz min @ 1 AMJ15016GOn SemiconductorPNPTO 3120 V15 A180 W20–100 at 4 A2.2 MHz min @ 1 AMJE2955TFairchild,Central Semiconductor Corp. PNPTO 22060VCEO(sus)10 A75 W20–100 at 4 A2.0 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 AMJE3055TFairchild,Central Semiconductor Corp. NPN TO 22060 VCEO(sus)10 A75 W20–100 at 4 A2.0 MHz min (hfe at 1 MHz) fhfe >= 20 kHz @ 1 ARCS617 RCA NPNTO 380 VCEO(sus)15 A115 W20–70 at 4 A2.5 MHz min (hfe at 1 MHz) TIP2955Texas Instr,Central Semiconductor CorpPNPTO 218AA/SOT 9370 VCER (RBE <= 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A3.0 MHz min TIP2955MotorolaPNP340D 02 plastic60 VCEO70VCER (RBE = 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A2.5 MHz min TIP3055Texas Instr,Philips,Central Semiconductor CorpNPNTO 218AA/SOT 9370 VCER (RBE <= 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A3.0 MHz min TIP3055MotorolaNPN340D 02 plastic60VCEO70VCER (RBE = 100 Ohms)15 A90 W20–70 at 4 A2.5 MHz min