Введение

Тип полевого транзистора
ChemFET — это химически чувствительный полевой транзистор, то есть полевой транзистор, используемый в качестве датчика для измерения концентрации химических веществ в растворе. При изменении концентрации целевого аналита ток через транзистор также изменяется. В данном случае раствор аналита разделяет истоковый и затворный электроды. Градиент концентрации между раствором и затворным электродом возникает благодаря полупроницаемой мембране на поверхности полевого транзистора, содержащей рецепторные элементы, которые избирательно связывают целевой аналит.

Строительство

Источник и сток ChemFET изготавливаются аналогично ISFET, при этом электрод затвора отделен от истока раствором. Пороговое напряжение ChemFET зависит от градиента концентрации между аналитом в растворе и аналитом, контактирующим с его рецептором, встроенным в полупроницаемый барьер. Например, для определения анионов используются соли четвертичного аммония (такие как бромид тетраоктиламмония), чтобы придать мембране катионные свойства, облегчая подвижность анионов через подложку к рецепторным молекулам.

Приложения

Для обнаружения целевого аналита химические ЭФЭТ могут использоваться как в жидкой, так и в газовой фазе, что требует обратимого связывания аналита с рецептором, расположенным в мембране затворного электрода. В 1970 году Бергвельд изобрел ионно-чувствительный полевой транзистор (ISFET). Он описал ISFET как "специальный тип MOSFET с затвором, расположенным на определенном расстоянии". ChemFET основаны на модифицированном ISFET – концепции, разработанной Бергвельдом в 1970-х годах. Существует некоторая путаница относительно взаимосвязи между ChemFET и ISFET. В то время как ISFET обнаруживает только ионы, ChemFET обнаруживает любое химическое вещество (включая ионы).