Темы

Полупроводниковые устройства

Semiconductor Devices · 39 статей

  1. Транзистор: История создания и принципы работы

    Транзистор: полупроводниковый прибор для усиления и переключения сигналов. Основа современной электроники, усиливает мощность и управляет током.

    #7225 · 14 мин чтения

  2. Сверхбольшая интеграция: от транзистора к микросхеме

    КВМО (Сверхбольшая интеграция) – создание микросхем с миллионами транзисторов. Технология, появившаяся в 70-х, лежит в основе микропроцессоров и памяти.

    #7948 · 4 мин чтения

  3. Молекулярная электроника: от теории к наноразмерным схемам.

    Молекулярная электроника: изучение и применение молекул для создания электронных компонентов. Миниатюризация, материалы, квантовая механика, будущее электроники.

    #8588 · 5 мин чтения

  4. Наблюдения за ростом ёмкости интегральных схем

    Закон Мура: удвоение транзисторов в микросхемах каждые 2 года. История, суть и значение этого эмпирического наблюдения в развитии полупроводников.

    #9274 · 22 мин чтения

  5. Транзистор с управляющим переходом (JFET): принцип работы и развитие

    JFET транзисторы: принцип работы, применение в схемах. Управляемые напряжением, без тока смещения. Полупроводниковые приборы для усиления и переключения.

    #9485 · 3 мин чтения

  6. Биполярный транзистор: принцип работы и применение.

    Биполярный транзистор: принцип работы, устройство и применение. Усиливает сигнал, используя электроны и дырки. Типы p-n переходов и допирование.

    #11589 · 13 мин чтения

  7. Технология создания интегральных схем на основе КМОП

    CMOS технология: создание интегральных схем, микропроцессоров и памяти. Принцип работы, история разработки и применение в современной электронике.

    #11602 · 14 мин чтения

  8. Стираемая программируемая постоянная память (ЭПППЗУ)

    EPROM: энергонезависимая память, стираемая ультрафиолетом. Устройство, хранящее данные без питания. Принцип работы, особенности и применение EPROM чипов.

    #16757 · 3 мин чтения

  9. Микротехнологии: от микроэлектроники к MEMS и MST

    Микротехнологии: создание структур размером в 1 микрометр. Миниатюризация электроники и механики для повышения производительности, снижения стоимости и развития технологий.

    #48950 · 3 мин чтения

  10. Монолитные микроволновые интегральные схемы: технологии и применение

    Интегральные микросхемы СВЧ (MMIC): применение, усиление, смешение, переключение. Импеданс 50 Ом для простоты каскадирования и тестирования.

    #95801 · 2 мин чтения

  11. БиCMOS Технология: Интеграция Биполярных Транзисторов и КМОП-Логики

    BiCMOS: интеграция биполярных транзисторов и CMOS для создания быстрых, энергоэффективных микросхем. Применение в RF-усилителях и логических схемах.

    #110269 · 2 мин чтения

  12. Сплав кремния и германия: свойства и применение в микроэлектронике.

    SiGe (силиций-германий): сплав для полупроводников в интегральных схемах, транзисторах и термоэлектрических материалах. Технология с 1989 года.

    #131104 · 4 мин чтения

  13. Технологии производства полупроводников на основе кремния на изоляторе (SOI)

    Технология SOI в производстве полупроводников: снижение паразитной ёмкости, повышение производительности и применение в РФ и микроэлектронике.

    #140919 · 3 мин чтения

  14. Металл-полупроводниковый полевой транзистор (MESFET): устройство и применение.

    MESFET: металл-полупроводниковый полевой транзистор для СВЧ-связи и радаров. Быстрый, но дорогой, на основе GaAs, InP, SiC. Разработка с 1966 года.

    #149558 · 2 мин чтения

  15. Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT): принцип работы и применение.

    ГЕТ (HEMT) транзисторы: принцип работы, применение в схемах и усилителях. Высокая подвижность электронов, материалы GaAs, AlGaAs, GaN.

    #149560 · 9 мин чтения

  16. Наноэлектромеханические системы: принципы и применение.

    Наноэлектромеханические системы (NEMS): принципы работы, применение в сенсорах и датчиках, миниатюризация электроники. Нанотехнологии и будущее MEMS.

    #158414 · 12 мин чтения

  17. Диэлектрики с низким κ для микроэлектроники: материалы и применение.

    Диэлектрики с низким κ: материалы для микроэлектроники, замедляющие старение кремния. Снижают паразитные ёмкости, повышают скорость и снижают нагрев чипов.

    #161593 · 3 мин чтения

  18. Безопасная рабочая область для силовых полупроводниковых приборов.

    Безопасная рабочая область (SOA) для полупроводниковых приборов: напряжение, ток, защита от повреждений. Графики SOA в datasheet для BJT, MOSFET, IGBT.

    #166509 · 3 мин чтения

  19. Технология 90-нм техпроцесса в производстве полупроводников

    Технология 90 нм в производстве полупроводников: ключевой этап развития микроэлектроники. Обзор, компании-производители, история и масштабирование.

    #176729 · 2 мин чтения

  20. Баллистические транзисторы с отклонением пучка электронов: новая эра в микроэлектронике.

    Баллистические транзисторы (BDT): новая технология для высокоскоростных микросхем. Управление электронами магнитными силами, скорость и энергоэффективность.

    #194623 · 2 мин чтения

  21. Пороговое напряжение полевого транзистора: принципы и типы.

    Пороговое напряжение FET: минимальное VGS для проводимости. Важно для энергоэффективности. Различия между Vth и "pinch-off" в JFET и IGFET.

    #215645 · 4 мин чтения

  22. Кроссбар-защёлка: альтернатива транзисторам в вычислительных системах.

    Кроссбар-защелка: технология HP Labs, потенциальная замена транзисторам в интегральных схемах. Основа для создания компьютеров из мемисторов. Патент 2003г.

    #219534 · 1 мин чтения

  23. FinFET: Трехмерные транзисторы нового поколения

    FinFET транзисторы: что это такое, принцип работы и преимущества. 3D-структура, высокая скорость переключения и плотность тока в современной электронике.

    #224473 · 3 мин чтения

  24. Органические полевые транзисторы: принципы, материалы и применение.

    Органические полевые транзисторы (OFET): принцип работы, изготовление (вакуумное напыление, полимеры), применение в гибкой и биоразлагаемой электронике.

    #233172 · 8 мин чтения

  25. Гетеропереходные биполярные транзисторы: принципы, материалы и применение.

    Гетеропереходный биполярный транзистор (HBT): принцип работы, преимущества (высокая частота, эффективность). Применение в радиочастотных схемах и усилителях.

    #245327 · 3 мин чтения

  26. 65-нм технологический процесс в производстве CMOS-чипов

    65 нм техпроцесс в производстве CMOS микросхем: размеры транзисторов до 25 нм, шаг до 130 нм. Intel, AMD, IBM и др. используют эту технологию.

    #254531 · 2 мин чтения

  27. Ионно-чувствительный полевой транзистор: принцип работы и применение.

    Ионно-чувствительный полевой транзистор (ISFET): принцип работы, применение для измерения концентрации ионов в растворах. Первый биосенсор FET!

    #275161 · 4 мин чтения

  28. Напряжение питания ядра CPU: принципы, тенденции и компромиссы.

    Напряжение VCORE процессора: что это такое и зачем нужно? Влияние на энергопотребление, тепловыделение и управление питанием CPU в ПК и ноутбуках.

    #289138 · 3 мин чтения

  29. Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью в микроэлектронике.

    Высоко-κ диэлектрики в полупроводниках: замена диоксида кремния для миниатюризации микроэлектроники и продолжения закона Мура. Высокая диэлектрическая проницаемость.

    #302015 · 3 мин чтения

  30. Напряжённый кремний: методы создания и применение в микроэлектронике

    Напряжённый кремний: технология повышения производительности чипов на 35% за счёт увеличения скорости электронов на 70%. Снижение энергопотребления.

    #308120 · 2 мин чтения

  31. Мощные MOSFET: история, принципы и применение.

    Мощные MOSFET: принцип работы, преимущества (высокая скорость, эффективность при низком напряжении) и применение в силовых схемах.

    #329171 · 10 мин чтения

  32. #360235 (нет статьи)

  33. Моделирование физических процессов в электронных приборах

    Моделирование транзисторов: физические процессы в электронике. Разработка и проектирование схем, учет сложных механизмов работы. Надежность устройств.

    #389241 · 5 мин чтения

  34. Двумерный электронный газ: свойства и методы создания.

    Двумерный электронный газ (2DEG) в физике твердого тела: свойства, квантование энергии, движение в двух измерениях. Изучение 2DEG и 2DHG.

    #396539 · 4 мин чтения

  35. Химически-чувствительный полевой транзистор (ChemFET)

    ХимFET: полевой транзистор для измерения концентрации химических веществ в растворах. Принцип работы, конструкция и применение химических сенсоров.

    #397793 · 1 мин чтения

  36. Эффект плавающего тела в транзисторах на изоляторе кремния

    Эффект плавающего тела в SOI транзисторах: влияние истории смещения и рекомбинации носителей на потенциал тела. Утечки тока, потеря данных DRAM.

    #407464 · 1 мин чтения

  37. 32-нм технологический процесс в микроэлектронике

    32 нм техпроцесс: производство микросхем Intel, AMD, Toshiba. Описание технологии, характеристики, применение в NAND флэш-памяти и MOSFET.

    #409929 · 4 мин чтения

  38. Semiconductor device modeling

    #486243 · 5 мин чтения

  39. Distributed amplifier

    #500473 · 5 мин чтения