Введение

Сульфид индия (III) (сесквисульфид индия, сульфид индия (2:3), сульфид индия (3+) - неорганическое соединение с формулой In2S3. Он имеет характерный для соединений серы запах "гнилого яйца", и при реакции с минеральными кислотами образует сероводородный газ. Известны три различных структуры ("полиморфы"): желтый, α In2S3 имеет дефектную кубическую структуру, красный β In2S3 имеет дефектную спинельную, четырехугольную структуру, а γ In2S3 имеет слоистую структуру. Красная форма, β, считается наиболее стабильной формой при комнатной температуре, хотя желтая форма может присутствовать в зависимости от способа производства. In2S3 подвергается нападению кислот и сульфидов. Немного растворим в Na2S. Сульфид индия был первым описанным соединением индия, о котором сообщалось в 1863 году. Райх и Рихтер определили существование индия как нового элемента из сульфидного осаждения.

Структура и свойства

In2S3 имеет четырехгранные центры In(III), связанные с четырьмя сульфидолигандами. α In2S3 имеет дефектную кубическую структуру. Полиморф претерпевает фазовый переход при 420 °C и превращается в спинелевую структуру β In2S3. Другой фазовый переход при 740 °C дает слоистый γ In2S3 полиморф. β In2S3 имеет дефектную спинельную структуру. Сульфидные анионы плотно упаковываются в слои, с октаэдрически скоординированными кациями In ((III) в слоях и тетраэдрически скоординированными кациями In ((III) между ними. Часть тетраэдрических интерстиций пуста, что приводит к дефектам спинеля. β In2S3 имеет два подтипа. В подтипе T In2S3 тетрагонально скоординированные вакансии расположены в упорядоченном порядке, тогда как вакансии в подтипе C In2S3 расположены в беспорядочном порядке. Непорядочный подтип β In2S3 показывает активность для фотокаталитического производства H2 с помощью кокатализатора благородных металлов, но упорядоченный подтип - нет. β In2S3 - полупроводник типа N с оптическим диапазоном 2,1 ЭВ. Предлагается заменить опасный сульфид кадмия, CdS, в качестве буферного слоя в солнечных элементах и в качестве дополнительного полупроводника для повышения производительности фотоэлектрических элементов на основе TiO2. Тонкие пленки бета-комплекса могут выращиваться химическим пиролизом. Растворы солей In ((III) и органических соединений серы (часто тиомочевины) распыляют на предварительно нагретые стеклянные пластины, где химические вещества вступают в реакцию с образованием тонких пленок сульфида индия. Изменение температуры, при которой химические вещества откладываются, и соотношение In:S может повлиять на оптический разрыв пленки. Одностенные нанотрубки сульфида индия могут быть сформированы в лаборатории с использованием двух растворителей (один, в котором соединение плохо растворяется, и другой, в котором оно хорошо растворяется). Сульфидные лиганды частично заменяются O2−, и соединение образует тонкие нанорулочки, которые самостоятельно собираются в массивы нанотрубок диаметром порядка 10 нм и толщиной стенки около 0,6 нм. Процесс имитирует кристаллизацию белка.]]

Безопасность

Полиморф β In2S3 в порошкообразном виде может раздражать глаза, кожу и органы дыхания. При проглатывании он токсичен, но его можно безопасно обрабатывать в обычных лабораторных условиях. С ним следует обращаться в перчатках, и следует следить за тем, чтобы не вдыхать соединение и не допускать его контакта с глазами.

Фотовольтаические и фотокаталитические

Существует значительный интерес к использованию In2S3 для замены полупроводника CdS (сульфид кадмия) в фотоэлектронных устройствах. В2С3 имеет регулируемый полосовой разрыв, что делает его привлекательным для фотоэлектрических применений, но сульфид индия (III) имеет мало неблагоприятных биологических эффектов и может откладываться в виде тонкой пленки менее опасными методами.

Биомедицинские

Препарат из сульфида индия, полученный из радиоактивного 113In, может использоваться в качестве пульмоноскопического средства для медицинской визуализации. Он хорошо поглощается тканями легких, но не накапливается там.

Другое

Наночастицы In2S3 светятся в видимом спектре. Приготовление наночастиц In2S3 в присутствии иных ионов тяжелых металлов создает высокоэффективные синий, зеленый и красный фосфоры, которые могут использоваться в проекторах и дисплеях приборов.