Введение
Устаревший тип энергонезависимой компьютерной памяти.
Пузырьковая память – это тип энергонезависимой компьютерной памяти, использующий тонкую пленку магнитного материала для хранения небольших намагниченных областей, известных как пузырьки или домены, каждая из которых хранит один бит данных. Материал организован в виде ряда параллельных дорожек, по которым пузырьки могут перемещаться под воздействием внешнего магнитного поля. Пузырьки считываются путем перемещения их к краю материала, где они могут быть прочитаны обычным магнитным считывателем, а затем перезаписаны на противоположном краю для поддержания циркуляции памяти в материале. По принципу работы пузырьковая память аналогична системам памяти с магнитной задержкой. В 1970-х годах пузырьковая память представляла собой многообещающую технологию, предлагая плотность памяти, сопоставимую с жесткими дисками, но производительность, более близкую к памяти на ферритовых сердечниках, при этом не имея движущихся частей. Это заставило многих рассматривать ее как претендента на роль "универсальной памяти", пригодной для всех задач хранения данных. Появление значительно более быстрых полупроводниковых микросхем памяти отодвинуло пузырьковую память в сегмент низкопроизводительных устройств, а столь же значительное увеличение емкости жестких дисков сделало ее неконкурентоспособной по цене. Пузырьковая память некоторое время использовалась в 1970-х и 1980-х годах в приложениях, где ее отсутствие движущихся частей было важным для обслуживания или защиты от ударов. Появление флэш-памяти и аналогичных технологий сделало даже эту нишу неконкурентоспособной, и к концу 1980-х годов пузырьковая память полностью исчезла.
Прекурсоры
Пузырьковая память – это в основном детище одного человека, Эндрю Бобека. Бобек работал над множеством проектов, связанных с магнетизмом, в 1960-х годах, и два из его проектов создали для него особенно благоприятные условия для разработки пузырьковой памяти. Первым была разработка первой системы памяти на магнитных сердечниках, управляемой контроллером на транзисторах, а вторым – разработка памяти на основе твистора. Твистор – это, по сути, версия памяти на магнитных сердечниках, в которой "сердечники" заменены куском магнитной ленты. Главным преимуществом твистора была возможность его автоматизированной сборки, в отличие от памяти на сердечниках, которая собиралась почти исключительно вручную. Компания AT&T возлагала большие надежды на твистор, полагая, что он значительно снизит стоимость компьютерной памяти и позволит ей занять лидирующие позиции в отрасли. Однако в начале 1970-х годов на рынок вышли динамические (DRAM) памяти и быстро вытеснили все предыдущие системы памяти с произвольным доступом. Твистор в итоге использовался лишь в нескольких приложениях, многие из которых – собственные компьютеры AT&T. Один интересный побочный эффект концепции твистора был замечен в процессе производства: при определенных условиях прохождение тока по одному из электрических проводов внутри ленты вызывало перемещение магнитных полей на ленте в направлении тока. При правильном использовании это позволяло сдвигать сохраненные биты вниз по ленте и "выталкивать" их с конца, формируя своего рода линию задержки, но с компьютерным управлением распространением полей, а не автоматическим продвижением с фиксированной скоростью, определяемой свойствами материалов. Однако такая система не имела существенных преимуществ перед твистором, особенно учитывая отсутствие произвольного доступа к данным.