Введение

Индийский профессор Кришна Сарасват – профессор кафедры электротехники Стэнфордского университета в США. Он входит в число 250 самых цитируемых исследователей в области инженерии по версии ISI, что ставит его в число лидеров мировых инженерных исследований, и является лауреатом премии IEEE Эндрю С. Гроув за "фундаментальный вклад в технологию производства кремния".

Образование и должности

В 1968 году Сарасват получил степень бакалавра в области электроники в Бирльском институте технологии и науки в Пилани (BITS), а затем степень магистра (1968) и доктора философии (1974) по электротехнике в Стэнфордском университете. Сарасват остался в Стэнфорде в качестве научного сотрудника и был назначен профессором электротехники в 1983 году. Он также имеет почетное звание адъюнкт-профессора в Бирльском институте технологии и науки в Пилани, Индия, с января 2004 года и был приглашенным профессором летом 2007 года в IIT Бомбей, Индия. В Стэнфордской школе инженерии он является профессором Рики/Нильсена, а также имеет статус профессора по совместительству в области материаловедения и инженерии.

Карьера

Сарасват занимался моделированием химического осаждения из газовой фазы (CVD) кремния, проводимости в полисилиции, диффузии в силицидах, контактного сопротивления, задержки межсоединений и эффектов окисления в кремнии. Он был пионером в разработке технологий для алюминиево-титановых многослойных межсоединений, которые стали отраслевым стандартом, а также CVD-методов формирования затворов MOS с использованием альтернативных материалов, таких как вольфрам, WSi2 и SiGe. В период обучения в аспирантуре Сарасват работал над микроволновыми транзисторами, а его диссертация была посвящена высоковольтным МОП-устройствам и схемам. В конце 1980-х годов он сосредоточился на производстве на отдельных пластинах и разработал для этого оборудование и программные симуляторы. Совместно с компанией Texas Instruments в 1993 году была продемонстрирована микрофабрика для производства на отдельных пластинах. С середины 1990-х годов Сарасват работает над технологиями масштабирования технологии МОП до суб-10-нм диапазона и предложил несколько новых концепций 3D-интегральных схем с множеством слоев гетерогенных устройств. Его текущие исследования сосредоточены на новых материалах, в частности SiGe, германии и соединениях III-V групп, для замены кремния по мере дальнейшего развития наноэлектроники. По состоянию на июль 2019 года Кришне Сарасвату было выдано около 15 патентов.