Введение
Pro Electron или EECA — это европейская система обозначения типов и регистрации активных компонентов (таких как полупроводники, жидкокристаллические дисплеи, датчики, электронные лампы и кинескопы). Pro Electron была создана в 1966 году в Брюсселе, Бельгия. В 1983 году она была объединена с Европейской ассоциацией производителей электронных компонентов (EECA) и с тех пор функционирует как агентство при EECA. Цель Pro Electron — обеспечить однозначную идентификацию электронных компонентов, даже если они производятся разными производителями. Для этого производители регистрируют новые устройства в агентстве и получают для них новые обозначения типов.
Вторая буква обозначает предполагаемое использование
2-я буква Назначение Пример
A Диод малой мощности/малого сигнала AA119, BA121
B Варикап BB105G
C Малосигнальный транзистор, RthG > 15K/Вт BC546C
D Высокомощный, низкочастотный силовой транзистор, RthG ≤ 15K/Вт BD139E
E Туннельный (Эсаки) диод AE100F
F Маломощный, ВЧ (высокочастотный) биполярный или полевой транзистор, RthG > 15K/Вт BF245G
G Гибридное устройство BGY32, BGY585H
H Датчик/диод Холла
I Высокочастотный, высокомощный транзистор (для передатчиков), RthG ≤ 15K/Вт BLW34M
J Кольцевой модулятор, смеситель частот
K Оптоизолятор CNY17P
L Детектор излучения (фотодиод, фототранзистор) BPW34
M Генератор излучения (светодиод) CQY99
N Низкомощное управляющее или коммутирующее устройство: тиристоры, диаки, триаки, УЗИ, программируемые униполярные транзисторы (PUT), кремниевый двунаправленный переключатель (SBS), оптотриаки и т.д. BR100
O Низкомощный коммутирующий транзистор, биполярный или MOSFET, RthG > 15K/Вт BS170T
P Высокомощное управляющее или коммутирующее устройство: тиристоры, TRIAC, кремниевый двунаправленный переключатель (SBS) и т.д. BT138
Q Высокомощные коммутирующие транзисторы, биполярные или MOSFET, RthG ≤ 15K/Вт BU508, BUZ11
R Антенна
S Устройство поверхностной акустической волны
T Умножитель частоты: варактор, диод быстрого восстановления
U Высокомощный выпрямительный диод BY228
V Лавинный, TVS, диод Зенера BZY91
Серийный номер
После этих двух букв следует серийный номер, состоящий из 3 или 4 цифр (или другая буква, за которой следуют цифры), присвоенный компанией Pro Electron. Это не всегда простая последовательность номеров; иногда номер содержит дополнительную информацию: в ранних устройствах серийный номер часто указывал тип корпуса (например, AF114 7 для корпуса TO 5, а AF124 7 – TO 72 версии тех же транзисторов); современные компоненты для поверхностного монтажа часто начинаются с цифры "8", а ранние кремниевые транзисторы соответствовали правилу использования цифры 0 или 5 в середине номера для NPN и 6 или 9 для PNP. Последняя цифра часто указывала на конкретную спецификацию или принадлежность к определенной группе применения, например, AF117 и AF127 были похожими устройствами усилителя промежуточной частоты в разных корпусах; BC109, BC149, BC169 и BC549 – это похожие малошумящие транзисторы. Некоторые современные устройства используют буквы, такие как "B", для обозначения биполярных транзисторов HBT.
In early devices only, the serial number often indicated the case/package type (e. g. AF114 7 for TO 5 case, while AF124 7 were TO 72 versions of the same transistors); modern surface mount devices often begin with "8",
early silicon transistors followed the convention of using a middle digit of 0 5 for NPN and 6 9 for PNP. the last digit often indicated a particular specification or application grouping, e. g. the AF117 and AF127 were similar IF amplifier devices in different cases; the BC109, BC149, BC169 and BC549 are similar low noise transistors). some modern devices use letters, such as "B" to indicate HBT bipolar transistors.
Интегрированные схемы
Обозначение интегральной схемы состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер длиной от трех до пяти цифр.