Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Кіріспе
Индиум-галлий фосфиді (InGaP), сондай-ақ галлий-индий фосфиді (GaInP) деп аталады, индий, галлий және фосфордан тұратын жартылай өткізгіш. Ол жоғары қуатты және жоғары жиілікті электроникада қолданылады, себебі оның электрондық жылдамдығы кремний және галлий арсениді сияқты кең таралған жартылай өткізгіштерге қарағанда артық. Ол негізінен HEMT және HBT құрылымдарында, сондай-ақ ғарыш қолданылысындағы жоғары тиімділіктегі күн элементтерін жасау үшін, ал алюминиймен (AlGaInP қорытпасы) біріктірілгенде қызыл, қызғылт сары, сары және жасыл түсті жоғары жарықтың LED-терін жасау үшін қолданылады. EFluor Nanocrystal сияқты кейбір жартылай өткізгіш құрылғылар InGaP-ті өздерінің негізгі бөлшегі ретінде пайдаланады. Индиум-галлий фосфиді – индий фосфиді мен галлий фосфидінің қатты ерітіндісі. Ga0.5In0.5P – GaAs-қа ең жақын тораптық сәйкес келетін ерекше маңызды қатты ерітінді. Бұл (AlxGa1−x)0.5In0.5 қосылғанда, қызыл сәуле шығаратын жартылай өткізгіш лазерлер үшін, мысалы, қызыл сәуле шығаратын (650 нм) RCLED немесе PMMA пластикалық оптикалық талшықтары үшін VCSEL үшін тораптық сәйкес келетін кванттық құдықтардың өсуіне мүмкіндік береді. Ga0.5In0.5P GaAs-та өсірілген екі және үш торапты фотоэлектрлік жасушаларда жоғары энергиялы торап ретінде қолданылады. Соңғы жылдары GaInP/GaAs тандемді күн батареялары AM0 (ғарыштағы күн сәулесінің түсуі = 1,35 кВт/м2) тиімділігі 25%-дан асып түсетіні көрсетілді. GaInP-тің басқа да құрамы, негізгі GaInAs-қа тораптық сәйкес келетін, жоғары энергиялы GaInP/GaInAs/Ge үштік торапты фотоэлектрлік жасушаларда қолданылады. GaInP-тің эпитаксия арқылы өсуі, GaInP-тің нақты кездейсоқ қатты ерітінді (яғни қоспа) емес, реттелген материал ретінде өсуге бейімділігімен қиындықтарға тап болуы мүмкін. Бұл материалдың тығыздық аралығын, электрондық және оптикалық қасиеттерін өзгертеді.
Indium gallium phosphide (InGaP), also called gallium indium phosphide (GaInP), is a semiconductor composed of indium, gallium and phosphorus. It is used in high power and high frequency electronics because of its superior electron velocity with respect to the more common semiconductors silicon and gallium arsenide. It is used mainly in HEMT and HBT structures, but also for the fabrication of high efficiency solar cells used for space applications and, in combination with aluminium (AlGaInP alloy) to make high brightness LEDs with orange red, orange, yellow, and green colors. Some semiconductor devices such as EFluor Nanocrystal use InGaP as their core particle. Indium gallium phosphide is a solid solution of indium phosphide and gallium phosphide. Ga0.5In0.5P is a solid solution of special importance, which is almost lattice matched to GaAs. This allows, in combination with (AlxGa1−x)0.5In0.5, the growth of lattice matched quantum wells for red emitting semiconductor lasers, e. g., red emitting (650nm) RCLEDs or VCSELs for PMMA plastic optical fibers. Ga0.5In0.5P is used as the high energy junction on double and triple junction photovoltaic cells grown on GaAs. Recent years have shown GaInP/GaAs tandem solar cells with AM0 (sunlight incidence in space = 1.35 kW/m2) efficiencies in excess of 25%. A different composition of GaInP, lattice matched to the underlying GaInAs, is utilized as the high energy junction GaInP/GaInAs/Ge triple junction photovoltaic cells. Growth of GaInP by epitaxy can be complicated by the tendency of GaInP to grow as an ordered material, rather than a truly random solid solution (i. e., a mixture). This changes the bandgap and the electronic and optical properties of the material.