Введение

Индий-галлиевый фосфид (InGaP), также называемый галлий-индиевый фосфид (GaInP), — это полупроводник, состоящий из индия, галлия и фосфора. Он используется в высокомощной и высокочастотной электронике благодаря превосходной скорости электронов по сравнению с более распространенными полупроводниками кремнием и арсенидом галлия. Он применяется преимущественно в структурах HEMT и HBT, а также для изготовления высокоэффективных солнечных элементов, используемых в космических приложениях, и в сочетании с алюминием (сплав AlGaInP) для создания светодиодов высокой яркости оранжевого, красного, желтого и зеленого цветов. Некоторые полупроводниковые устройства, такие как EFluor Nanocrystal, используют InGaP в качестве сердцевины. Индий-галлиевый фосфид представляет собой твердый раствор фосфида индия и фосфида галлия. Ga0.5In0.5P — это твердый раствор особого значения, который почти идеально согласован по кристаллической решетке с GaAs. Это позволяет, в сочетании с (AlxGa1−x)0.5In0.5, выращивать квантовые ямы, согласованные по решетке, для красных излучающих полупроводниковых лазеров, например, красных излучающих (650 нм) RCLED или VCSEL для оптических волокон из пластика PMMA. Ga0.5In0.5P используется в качестве высокоэнергетичного перехода в тандемных фотоэлектрических элементах с двойным и тройным p-n переходом, выращенных на GaAs. В последние годы эффективность тандемных солнечных элементов GaInP/GaAs с AM0 (интенсивность солнечного излучения в космосе = 1,35 кВт/м²) превысила 25%. Другой состав GaInP, согласованный по решетке с GaInAs, используется в качестве высокоэнергетичного перехода в тройных фотоэлектрических элементах GaInP/GaInAs/Ge. Выращивание GaInP методом эпитаксии может быть осложнено склонностью GaInP к росту в виде упорядоченной структуры, а не истинного случайного твердого раствора (т.е. смеси). Это изменяет ширину запрещенной зоны и электронные и оптические свойства материала.