Кіріспе

Иондаушы бөлшектің әсерінен болатын күйдің өзгеруі

Бір оқиғаның бұзылуы (SEU), сондай-ақ бір оқиғаның қатесі (SEE) деп аталатын құбылыс, микропроцессор, жартылай өткізгіш жад немесе қуат транзисторлары сияқты жұмыс істеп тұрған микроэлектрондық құрылғының сезімтал түйініне бір иондаушы бөлшек (мысалы, иондар, электрондар, фотондар) тиюі салдарынан болатын күйдің өзгеруі болып табылады. Күйдің өзгеруі логикалық элементтің маңызды түйінінде (мысалы, жадтың "биті") немесе оған жақын жерде иондану арқылы туындаған бос зарядтың нәтижесінде пайда болады. Осы тиюдің нәтижесінде құрылғының жұмысындағы немесе шығысындағы қателік SEU немесе жұмсақ қателік деп аталады. SEU-ның өзі транзисторлардың немесе схемалардың жұмысқа қабілеттілігіне тұрақты зақым келтірмейді, бір оқиғалық тұйықталудан (SEL), бір оқиғалық қақпаның бұзылуынан (SEGR) немесе бір оқиғалық тозудан (SEB) өзгеше. Бұлардың барлығы электрондық құрылғылардағы радиацияның әсерінен туындайтын әсерлердің жалпы класын құрайтын бір оқиға әсерлері (SEE) болып табылады.

Тарих

Бір оқиғалы тосқауылдар алғаш рет 1954 жылдан 1957 жылға дейін жер үсті ядролық сынақтар кезінде сипатталды, онда электрондық бақылау жабдығында көптеген аномалиялар байқалды. 1960 жылдары ғарыш электроникасында қосымша проблемалар байқалды, бірақ жұмсақ сәтсіздіктерді басқа түрлі кедергілерден ажырату қиын болды. 1972 жылы Hughes спутнигімен байланыс 96 секундқа үзіліп, кейін қайта жаңартылды. Ғалымдар Эдвард Смит, Ал Холман және Дэн Биндер бұл аномалияны бір оқиғаның бұзылуы (SEU) деп түсіндірді және 1975 жылы IEEE Transactions on Nuclear Science журналында SEU туралы алғашқы мақаласын жариялады. 1978 жылы Тимоти С. Мэй мен М. Х. Вудс қаптама материалдарындағы альфа бөлшектерінен туындаған жұмсақ қателердің алғашқы дәлелдерін сипаттады. 1979 жылы IBM-нің Джеймс Зиглері Йель университетінің В. Ланфордпен бірлесіп, теңіз деңгейіндегі ғарыш сәулесінің электроникада бір оқиғалы тосқауылға қалай әкелетінін алғаш рет сипаттады. Сондай-ақ 1979 жылы Лоренс Беркли ұлттық зертханасының 88 дюймдік циклотроны мен Беватронында бөлшектерді үдету қондырғысында әлемдегі алғашқы ауыр ионды "бір оқиға әсерлері" сынағы жүргізілді.

Себеп

Жердегі СЭУ атмосферадағы атомдармен ғарыш бөлшектерінің соқтығысуынан туындайды, нәтижесінде нейтрондар мен протондардың каскадтары немесе жауын-шашындары пайда болады, олар өз кезегінде электрондық тізбектермен әрекеттесе алады. Өте кішкентай (субмикрондық) геометрияда бұл атмосферадағы жартылай өткізгіш құрылғыларға әсер етеді. Ғарышта табиғи фонның бір бөлігі ретінде галактикалық ғарыш сәулелері (ГКЖ) деп аталатын жоғары энергиялы иондаушы бөлшектер бар. Күн сәулелерінің шарықталуы және Жердің магнитосферасындағы (Ван Аллен сәулелендіру белдеулері) тұтқындалған жоғары энергиялы протондар бұл мәселені одан әрі ушықтырады. Ғарыш бөлшектерінің ортасындағы бұл құбылысқа байланысты жоғары энергиялар, әдетте, ғарыш кемелерін қосымша қорғауды СЭУ-ді және апатты жекелеген оқиғаларды (мысалы, бұзылатын тұйықталуды) болдырмау үшін тиімсіз етеді. Ғарыш сәулелерінен туындаған атмосфералық екіншілік нейтрондар, сондай-ақ, полюстер үстінен немесе жоғары биіктікте ұшатын ұшақтардағы электроникада СЭУ тудыру үшін жеткілікті энергияға ие болуы мүмкін. Чиптердегі радиоактивті элементтердің шамалы мөлшері де СЭУ-ға себеп болады.

SEU сезімталдығын тексеру

Құрылғының SEU-ға сезімталдығын циклотрон немесе басқа бөлшектерді үдеткіш құрылымдағы бөлшектер ағынына сынақ құрылғысын орналастыру арқылы эмпирикалық түрде бағалауға болады. Бұл сынақ әдістемесі әсіресе белгілі ғарыш ортасында SER (жұмсақ қателік деңгейі) болжау үшін тиімді, бірақ нейтрондардан жердегі SER-ді бағалауда қиындықтар тудыруы мүмкін. Мұндай жағдайда, нақты қателік деңгейін анықтау үшін, әртүрлі биіктікте көптеген құрылғыларды сынау қажет. SEU-ға төзімділікті эмпирикалық бағалаудың тағы бір жолы – цезий-137 сияқты белгілі сәулелену көзі бар, сәулеленуден қорғалған камераны пайдалану. Микропроцессорларды SEU-ға сынағанда, құрылғыны сынау үшін қолданылатын бағдарламалық жасақтаманы да бағалау қажет, SEU пайда болған кезде құрылғының қандай бөлімдері жұмыс істегенін анықтау үшін.

SEU және контурлар құрылысы

Анықтамасы бойынша, SEU-лар қатысатын тізбектерді бұзбайды, бірақ қателерге себеп болуы мүмкін. Ғарышқа негізделген микропроцессорларда ең осал бөліктердің бірі – 1-ші және 2-ші деңгейлі кэш жады, себебі олар өте кішкентай және өте жоғары жылдамдықты болуы керек, демек, көп зарядты сақтамайды. Егер жердегі конструкциялар SEU-дан қорғалу үшін конфигурацияланса, мұндай кэштер көбінесе өшіріледі. Тағы бір осал тұс – микропроцессорды басқару тізбегіндегі күй машинасы, себебі «өлі» күйге (шығу жолы жоқ) түсу қаупі бар. Алайда, осы тізбектер процессордың барлық бөлігін басқаруы керек болғандықтан, оларда салыстырмалы түрде үлкен транзисторлар орналасқан, олар жеткілікті электр тогын қамтамасыз етеді және ойлағандай осал емес. Процессордың тағы бір осал компоненті – RAM, әсіресе кэш жадында қолданылатын статикалық RAM (SRAM). SRAM жады әдетте бірлік ауданына максималды сандағы биттерді орналастыру үшін технологиямен рұқсат етілген ең кішкентай транзистор өлшемдерімен жобаланады. Транзисторлардың кішкентай өлшемдері мен жоғары биттік тығыздығы жадыны SEU-ға ең сезімтал компоненттердің біріне айналдырады. SEU-ға төзімділікті қамтамасыз ету үшін қателерді түзету жады жиі қолданылады, сонымен қатар, қателерді түзету тізбегіне жете алмас бұрын, жадтан қателерді мерзімді түрде оқу (түзетуге әкелетін) немесе тазалау (егер оқу түзетуге әкелмесе) үшін арналған тізбектермен бірге қолданылады. Цифрлық және аналогтық тізбектерде бір оқиға бір немесе бірнеше кернеу импульсін (яғни, ақауларды) тізбек бойынша таратуы мүмкін, мұндай жағдайда ол бір оқиғалық уақытша құбылыс (SET) деп аталады. Таралатын импульс техникалық тұрғыдан жадтағы SEU-дағыдай «күйдің» өзгеруі емес болғандықтан, SET пен SEU арасында айырмашылықты жасау қажет. Егер SET цифрлық тізбек бойынша таралып, дәйекті логикалық тізбекке қате мәнді енгізсе, онда ол SEU болып есептеледі. Қатысты себептермен аппараттық мәселелер де туындауы мүмкін. Белгілі бір жағдайларда (тізбек дизайны, технологиялық процесс және бөлшектердің қасиеттері) CMOS дизайнына тән «паразиттік» тиристор белсендірілуі мүмкін, бұл қуаттан жерге қысқа тұйықталуға әкеледі. Бұл жағдай «жабысу» деп аталады және конструкциялық шаралар болмаған жағдайда, көбінесе жылулық қашып кетуден құрылғыны жояды. Көптеген өндірушілер жабысудың алдын алу үшін жобалайды және атмосфералық бөлшектердің соққысынан жабысудың пайда болмайтынына көз жеткізу үшін өнімдерін тексереді. Ғарыш кеңістігінде жабысудың алдын алу үшін эпитаксиалды негіздер, кремний изоляторында (SOI) немесе сапфирдегі кремний (SOS) жиі қолданылады, бұл сезімталдықты одан әрі азайтуға немесе жоюға мүмкіндік береді.

Ерекше SEU

2003 жылы Брюссельдің Шаербек муниципалитетінде (Бельгия) өткен сайлауда аномальды дауыс саны тіркелді, нәтижесінде жүргізілген тергеу Мария Виндевогель деген үміткерге 4,096 артық дауыс бергені үшін SEU жауапты екенін көрсетті. Дауыс айырмашылығының 2^(12) екінің дәрежесіне тең болуы, бір ғана жағдайдың өзгеру мүмкіндігін ұсынады. 2008 жылдың 7 қазанында Qantas 72 рейсі 37 000 фут биіктікте ұшып бара жатқанда, ұшақтың үш әуе деректерінің инерциялық анықтамалық бірлігінің бірі істен шығып, ұшақтың басқару жүйелеріне қате деректерді жіберді. Бұл ұшақтың күйреуіне және экипаж пен жолаушылардың ауыр жарақат алуына әкелді. Барлық мүмкін себептер "мүмкін емес" немесе "өте аз мүмкіндік" деп танылды, тек SEU-ны қоспағанда, оның болу ықтималдығын бағалау мүмкін болмады.