Кіріспе

Ван-Хоув сингулярлығы – кристаллдық қатты денелердің күй тығыздығындағы сингулярлық (тегіс емес нүкте). Ван-Хоув сингулярлықтары пайда болатын толқын векторлары көбінесе Брилуэн аймағының критикалық нүктелері деп аталады. Үш өлшемді кристалдар үшін олар сынғыштар (күй тығыздығы туындыланбайтын жерлер) түрінде болады. Ван-Хоув сингулярлығы тұжырымдамасының ең көп қолданылатын саласы – оптикалық сіңіру спектрлерін талдау. Мұндай сингулярлықтарды алғаш рет 1953 жылы бельгиялық физик Леон Ван-Хоув фонондық күй тығыздықтары жағдайында зерттеген.

Эксперименттік байқау

Қатты дененің оптикалық сіңіру спектрін электрондық жолақтың құрылымынан Фермидің алтын ережесін қолдана отырып ең тікелей жолмен есептеуге болады, онда бағаланатын матрицалық элемент диполь операторы болып табылады, мұнда – векторлық потенциал және – импульс операторы. Фермидің алтын ережесінің өрнегінде пайда болатын күйлердің тығыздығы – бірлескен күйлер тығыздығы, яғни берілген фотон энергиясымен ажыратылған өткізгіш және валенттік жолақтағы электрондық күйлердің саны. Оптикалық сіңіру, негізінен, диполь операторының матрицалық элементінің (оциллятор күші деп те аталады) және JDOS көбейтіндісі болып табылады. Екі және бір өлшемді күйлер тығыздығындағы (DOS) айырмашылықтар математикалық формальдылық деп күтілуі мүмкін, бірақ іс жүзінде олар оңай байқалады. Графит (шамамен 2D) және Бехгаард тұздары (шамамен 1D) сияқты жоғары анизотроптық қатты денелерде Ван Хове сингулярлықтарына байланысты спектроскопиялық өлшемдерде аномалиялар байқалады. Ван Хове сингулярлықтары бір қабырғалы көміртек нанотүтікшелеріндегі (SWNT) оптикалық интенсивтілікті түсінуде маңызды рөл атқарады, олар да 1D жүйелер. Графендегі Дирак нүктесі – Ван Хове сингулярлығы, графен зарядтық бейтарап болғанда, электрлік кедергідегі шың ретінде тікелей көрінеді. Бұрылған графен қабаттары қабаттар аралық байланыс есебінен күйлер тығыздығында (DOS) айқын Ван Хове сингулярлықтарын көрсетеді.