Кіріспе
Индий (III) оксиді (In2O3) - индийдің амфотерлік оксиді.
Кристалдық құрылым
Аморфты индий оксиді суда ерімейді, бірақ қышқылдарда ериді, ал кристалды индий оксиді суда да, қышқылдарда да ерімейді. Кристалл түрінде екі фаза бар, кубикалық (биксбайт түрі) Кубикалық фазаның параметрлері ақпар қорабында келтірілген. Ромбоэдрлік фаза жоғары температура мен қысым кезінде немесе тепе-теңдікті емес өсу әдістерін қолданғанда жасалады. Оның Rc No ғарыш тобы бар . 167, Пирсон символы hR30, a = 0,5487 нм, b = 0,5487 нм, c = 1,4510 нм, Z = 6 және есептелген тығыздығы 7,31 г/см3.
Сыйғыш және магнетизм
Хроммен допингтелген индий оксидінің (In2−xCrxO3) жұқа қабаттары магниттік жартылай өткізгіш болып табылады, ол жоғары температуралы ферромагнетизмді, бір фазалы кристалдық құрылымды және жоғары концентрациядағы заряд тасымалдаушыларды көрсететін жартылай өткізгіш мінез-құлқын көрсетеді. Оның спинтроникада спин инжекторлары үшін материал ретінде қолданылуы мүмкін. Zn2+ допингтелген индий оксиді жұқа поликристалликалық қабаттары өте өткізгіш (жегіштігі ~ 105 S/m) және тіпті сұйық гелий температурасында өте өткізгіш. Тс үсті өткізгіштің өту температурасы допинг пен қабат құрылымына байланысты және 3,3 К-тан төмен.
Синтез
Үлгілерді индий гидроксидін немесе нитратты, карбонатты немесе сульфатты қыздыру арқылы дайындауға болады. Индиум оксидінің жұқа қабаттарын аргон/оттег атмосферасында индиум нысаналарын бүрку арқылы дайындауға болады. Олар жартылай өткізгіштерде диффузиялық кедергілер ("барьерлік металдар") ретінде, мысалы, алюминий мен кремний арасындағы диффузияны тежеу үшін пайдаланылуы мүмкін. Монокристалл наножиектерді лазерлік абляция арқылы индий оксидінен синтездеуге болады, бұл диаметрді 10 нм-ге дейін дәл бақылауға мүмкіндік береді. Осыдан өріс эффектті транзисторлар жасалды. Индий оксиді наножиіктері сезімтал және ерекше редокстық протеиндер сезімталдары ретінде қызмет ете алады. Солгель әдісі - наножиектерді дайындаудың тағы бір әдісі. Индий оксиді жартылай өткізгіш материал ретінде қызмет ете алады, ол p InP, n GaAs, n Si және басқа материалдармен гетерожиекті құрайды. Индий трихлориді ерітіндісінен кремний субстратына индий оксиді қабатын салуға болады, бұл күн батареяларын өндіру үшін пайдалы әдіс.
Қолданбалар
Индий оксиді кейбір батареяларда, көрінетін жарыққа мөлдір жұқа қабатты инфрақызыл рефлекторларда (жылы айналарда), кейбір оптикалық және кейбір антистатикалық қаптамаларда қолданылады. Индий оксиді қалайы диоксидімен бірігіп, үтәңке өткізгіш төсемдер үшін қолданылатын материал - индий қалайы оксиді (осылай-ақ қалайы допингтелген индий окиді немесе ITO) құрайды. Жартылай өткізгіштерде индий оксиді интегралды схемаларда резистивтік элемент ретінде қолданылатын n типті жартылай өткізгіш ретінде пайдаланылуы мүмкін. Гистологияда индий оксиді кейбір бояу құралымдарының бір бөлігі ретінде қолданылады.