Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Мазмұны
Кіріспе
Нейтрондық тереңдік профилін (NDP) алу - бұл кез-келген субстраттағы белгілі бір технологиялық маңызды жарық элементтерінің тереңдігіне байланысты концентрация профилін алу үшін жиі қолданылатын бет маңындағы талдау әдісі. Бұл әдісті алғаш рет Зиглер және басқалар ұсынған. Силицидті субстраттардағы бор қоспаларының концентрация профилін анықтау үшін, кейіннен Биерсак пен оның әріптестері оның көптеген мүмкіндіктерін жетілдірді.
Neutron depth profiling (NDP) is a near surface analysis technique that is commonly used to obtain profiles of concentration as a function of depth for certain technologically important light elements in nearly any substrate. The technique was first proposed by Ziegler et al. to determine the concentration profiles of boron impurities in silicon substrates, and later improved by Biersack and coworkers to much of its existing capabilities.
Нейтрондық тереңдік профилін құру
НДП-да жылулық немесе суық нейтрон сәулесі материалдан өтеді және нейтронды сіңіру кезінде моноэнергетикалық зарядталған бөлшектерді шығаратын изотоптармен өзара әрекеттеседі; протон немесе альфа және кері қайту ядросы. Зарядталған бөлшектердің кез келген бағытта шығарылуы бірдей, сондықтан реакция кинематикасы қарапайым. Аз энергиялы нейтрондар пайдаланылғандықтан, нейтрон сәулесінен субстратқа елеулі импульс берілуі болмайды және талдау іс жүзінде қиратушылық емес. Зарядталған бөлшектер бетке қарай қозғалғанда, олар, негізінен, субстраттың электрондарымен өзара әрекеттесу арқылы тез баяуланады. Энергия жоғалту мөлшері бөлшектің енген қалыңдығына тікелей байланысты. Реакция орнының тереңдігін токпен қоректенуді тоқтату арқылы табуға болады.
In NDP, a thermal or cold neutron beam passes through a material and interacts with isotopes that emit monoenergetic charged particles upon neutron absorption; either a proton or an alpha, and a recoil nucleus. Since the charged particles are equally likely to be emitted in any direction, reaction kinematics are straightforward. Because low energy neutrons are used, there is no significant momentum transfer from the neutron beam to the substrate, and the analysis is practically non destructive. As charged particles move towards the surface, they are rapidly slowed down, primarily by interacting with the electrons of the substrate. The amount of energy loss is directly related to the thickness penetrated by the particle. The depth of the reaction site can be found by stopping power correlations.
Профильдеу
Әдетте зарядталған бөлшектердің және кері қайту ядроларының қалдық энергиясы кремний зарядталған бөлшектер детекторымен өлшенеді; көбінесе беттік кедергі детекторы (SBD) немесе пассивтелген имплантацияланған жазық кремний (PIPS) детекторы. Бұл конфигурацияда жартылай өткізгіш детекторы талданатын сынаманың бетінің қарама-қарсы жағына орналастырылады және нейтрондық реакциядан шығарылатын зарядталған бөлшектердің энергия спектрі алынады.
Conventionally, the residual energies of charged particles and recoil nuclei have been measured by a silicon charged particle detector; most commonly either a surface barrier detector (SBD) or a passivated implanted planar silicon (PIPS) detector. In this configuration, the semiconductor detector is placed opposite to the surface of the sample being analyzed, and an energy spectrum of charged particles emitted by the neutron induced reaction is acquired.